[发明专利]制作立体神经微电极的方法

权利要求书

1.一种制作立体神经微电极的方法，包括以下步骤：

步骤1：取一衬底；

步骤2：在衬底正反面生长掩膜，并做对称图案化处理，得到微电极阵列的原始形状；

步骤3：从衬底正反面同时刻蚀，将多余部分去除；

步骤4：去除剩余的掩膜；

步骤5：对上述步骤得到的结构，采用腐蚀的方法进行光滑和变尖处理，得到微电极阵列，该微电极阵列包括多个电极，该电极的尾端相连接；

步骤6：在微电极阵列的表面生长金属层；

步骤7：在微电极阵列表面的金属层上再生长绝缘层，并将连接点和记录点的绝缘层刻蚀掉。

2.根据权利要求1所述的制作立体神经微电极的方法，其中衬底的厚度为50至500微米。

3.根据权利要求1所述的制作立体神经微电极的方法，其中衬底的材料为硅、金属、碳化硅、氧化硅或陶瓷。

4.根据权利要求1所述的制作立体神经微电极的方法，其中掩膜的材料为氧化硅、氮化硅或金属。

5.根据权利要求1所述的制作立体神经微电极的方法，其中该微电极阵列上的多个电极的数量为2-10。

6.根据权利要求1所述的制作立体神经微电极的方法，其中微电极阵列中电极的长度为2毫米至2厘米。

7.根据权利要求1所述的制作立体神经微电极的方法，其中刻蚀是采用湿法刻蚀、干法刻蚀、机械切割或电火花放电的方法。

8.根据权利要求1所述的制作立体神经微电极的方法，其中光滑处理是采用化学湿法腐蚀或电化学腐蚀方法；变尖处理是采用腐蚀液静置法或针尖蘸腐蚀液法。

9.根据权利要求1所述的制作立体神经微电极的方法，其中金属层的材料为金或铂，或金/钛，金/铬；生长金属层是采用化学电镀、热蒸镀、化学气相沉积或磁控溅射的方法。

10.根据权利要求1所述的制作立体神经微电极的方法，其中绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、聚对二甲苯或聚酰亚胺，或这些材料构成的复合膜。