[发明专利]缓冲器无效
申请号: | 201110408059.0 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN103166623A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 张祐维;郑景中 | 申请(专利权)人: | 扬智科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/01 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缓冲器 | ||
1.一种缓冲器,其特征在于,应用于一存储器中以加速所述存储器的存取速度,包括:
一控制单元,依据一输入信号产生一第一控制信号与一第二控制信号;
一驱动单元,依据所述第一控制信号与所述第二控制信号产生一驱动信号;以及
一预充单元,电性连接所述控制单元,并提供由一参考电压至所述控制单元的一预充路经,
其中,当所述输入信号从一第一电压切换至一第二电压时,所述预充单元导通所述预充路经,以致使所述控制单元将所述第一控制信号从所述第二电压切换至一预设电压,并将所述第二控制信号从所述第二电压切换至所述第一电压。
2.如权利要求1所述的缓冲器,其特征在于,所述驱动单元包括:
一第一P型晶体管,其源极接收所述第一电压,所述第一P型晶体管的漏极产生所述驱动信号,且所述第一P型晶体管的栅极接收所述第一控制信号;以及
一第一N型晶体管,其漏极电性连接所述第一P型晶体管的漏极,所述第一N型晶体管的源极接收所述第二电压,且所述第一N型晶体管的栅极接收所述第二控制信号。
3.如权利要求1所述的缓冲器,其特征在于,所述控制单元包括:
一第一反相器,接收所述输入信号,以产生所述第一控制信号,并具有一第一电源端与一第二电源端,其中所述第一反相器的第一电源端电性连接所述预充单元,以在所述预充路径导通时接收所述预设电压,且所述第一反相器的第二电源端接收所述第二电压;以及
一第二反相器,接收所述输入信号,以产生所述第二控制信号,并具有一第一电源端与一第二电源端,其中所述第二反相器的第一电源端接收所述第一电压,且所述第二反相器的第二电源端接收所述第二电压。
4.如权利要求3所述的缓冲器,其特征在于,所述预充单元包括一二极管,其中所述二极管的阳极接收所述参考电压,所述二极管的阴极电性连接所述第一反相器的第一电源端。
5.如权利要求4所述的缓冲器,其特征在于,所述参考电压相等于所述第一电压。
6.如权利要求4所述的缓冲器,其特征在于,所述二极管由一第二N型晶体管所构成,所述第二N型晶体管的栅极与源极接收所述参考电压,且所述第二N型晶体管的漏极电性连接所述第一反相器的第一电源端。
7.如权利要求4所述的缓冲器,其特征在于,所述二极管由一第二P型晶体管所构成,所述第二P型晶体管的源极接收所述参考电压,且所述第二P型晶体管的栅极与漏极电性连接至所述第一反相器的第一电源端。
8.如权利要求1所述的缓冲器,其特征在于,所述控制单元包括:
一第三反相器,接收所述输入信号,以产生所述第一控制信号,并具有一第一电源端与一第二电源端,其中所述第三反相器的第一电源端接收所述第一电压,且所述第三反相器的第二电源端接收所述第二电压;以及
一第四反相器,接收所述输入信号,以产生所述第二控制信号,并具有一第一电源端与一第二电源端,其中所述第四反相器的第一电源端接收所述第一电压,且所述第四反相器的第二电源端接收所述第二电压。
9.如权利要求1所述的缓冲器,其特征在于,所述预充单元包括:
一开关,其第一端接收所述第一控制信号,所述开关的第二端接收所述参考电压,其中当所述输入信号从所述第一电压切换至所述第二电压时,所述开关导通其第一端与第二端。
10.如权利要求1所述的缓冲器,其特征在于,所述第一电压大于所述预设电压,且所述预设电压大于所述第二电压。
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