[发明专利]一种LED 及LED 的粉浆平面涂覆工艺

说明书

【技术领域】

本发明涉及电子元器件，尤其涉及LED及其粉浆涂覆工艺的改进。

【背景技术】

目前国内PCLED产业主要采用的是传统的灌封工艺，直接在芯片表面点涂荧光粉胶，即将荧光粉粉末与胶体(如硅胶或环氧树脂等)按一定配比混合，制成粉浆，搅拌均匀，然后用细针头类工具将其涂覆于芯片表面，理想情况下形成类似球冠状的涂层。但这种方法及涂层存在明显的结构缺陷，这种荧光粉涂层，除中心到边缘的结构性非均匀外，在实际操作中，无论手动或机器操作，同一批次的LED管之间，荧光粉层在形状上都会有一定的差异，很难控制均匀性和一致性，从而导致器件间较大的色度差异；同时，由于涂层胶滴实际微观表面的凹凸不平，当光线出射时，就会形成白光颜色的不均匀，导致局部偏黄或偏蓝的不均匀性光斑出现。

【发明内容】

本发明的目的就是解决现有技术中的问题，提出一种LED及LED的粉浆平面涂覆工艺，能够有效控制荧光粉涂层的形状、厚度和均匀性，从而提高器件间的色度一致性。

为实现上述目的，本发明提出了一种LED，包括基板、LED芯片和反射杯，所述LED芯片封装在基板上，LED芯片外安装有反射杯，所述LED芯片的上表面和四个侧面外均涂覆有矩形的荧光粉层，所述荧光粉层的外部包覆有矩形的透明保护胶体层。

作为优选，所述荧光粉层的厚度为2mm，透明保护胶体层的厚度为3mm，既满足质量要求，又节约成本。

为实现上述目的，本发明还提出了一种LED的粉浆平面涂覆工艺，依次包括以下步骤：

A)荧光粉层形状控制：将LED芯片封装在基板上以后，将LED芯片上电极部分通过感光胶体遮挡住，形成电极遮挡部分，只留下需要荧光粉覆盖的芯片发光区域；

B)制备荧光粉层：在LED芯片上未遮挡的芯片发光区域制备成厚度一致且均匀的荧光粉层；

C)第一去除电极遮挡部分：过80～100分钟后将电极遮挡部分去除，得到固定形状的荧光粉层；

D)保护胶体层形状控制：将LED芯片上电极部分通过感光胶体遮挡形成电极遮挡部分，暴露出已形成的荧光粉层，并留出保护胶体层的厚度空间；

E)涂覆保护胶体层：在暴露出的荧光粉层外部的厚度空间内涂覆厚度均匀的透明保护胶体层；

F)第二去除电极遮挡部分：过170～190分钟后将电极遮挡部分去除，得到包裹在荧光粉层外部的透明保护胶体层，完成粉浆平面涂覆工艺。

作为优选，所述B)步骤中制备的荧光粉层的厚度为2mm；E)步骤中涂覆的透明保护胶体层的厚度为3mm，既满足质量要求，又节约成本。

作为优选，所述C)步骤中过90分钟后将电极遮挡部分去除；F)步骤中过180分钟后将电极遮挡部分去除，既满足质量要求，又提高效率。

本发明的有益效果：本发明采用粉浆平面涂覆工艺，克服了传统灌封点胶工艺在粉层结构、形状上的弊端，将荧光粉混合分散到透明感光胶中，对荧光粉涂层的形状、厚度及均匀性能有效控制，从而提高了器件间的色度一致性。

本发明的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。

【附图说明】

图1是本发明中一种LED的结构示意图；

图2是本发明中一种LED的粉浆平面涂覆工艺的流程图。

【具体实施方式】

如图1所示，LED，包括基板1、LED芯片2和反射杯3，所述LED芯片2封装在基板1上，LED芯片2外安装有反射杯3，所述LED芯片2的上表面和四个侧面外均涂覆有矩形的荧光粉层4，所述荧光粉层4的外部包覆有矩形的透明保护胶体层5。

如图2所示，LED的粉浆平面涂覆工艺，依次包括以下步骤：

A)荧光粉层4形状控制：将LED芯片2封装在基板1上以后，将LED芯片2上电极部分通过感光胶体遮挡住，形成电极遮挡部分，只留下需要荧光粉覆盖的芯片发光区域；

B)制备荧光粉层4：在LED芯片2上未遮挡的芯片发光区域制备成厚度一致且均匀的荧光粉层4；荧光粉层4的厚度为2mm，各方向上的厚度相等，以保持均匀。

C)第一去除电极遮挡部分：过80～100分钟后将电极遮挡部分去除，得到固定形状的荧光粉层4；一般过90分钟后将电极遮挡部分去除。

D)保护胶体层形状控制：将LED芯片2上电极部分通过感光胶体遮挡形成电极遮挡部分，暴露出已形成的荧光粉层4，并留出保护胶体层的厚度空间；

E)涂覆保护胶体层：在暴露出的荧光粉层4外部的厚度空间内涂覆厚度均匀的透明保护胶体层5；透明保护胶体层5的厚度为3mm，各方向上的厚度相等，以保持均匀。