[发明专利]一种去光阻的方法和设备

说明书

技术领域

本发明涉及领域去光阻技术领域，特别涉及一种去光阻的方法和设备。

背景技术

现有有关基底的制程中，经常会涉及到去光阻制程，以去除基底上的光阻、金属杂质、有机污染物和人为污染物等，比如在制作阵列基板时，就会重复进行清洗、镀膜、上光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻等过程。

现有去光阻制程常采用湿式制程，该湿式制程包括以下步骤：

步骤A1、将带有光阻的基底置入去光阻液中进行浸泡，浸泡完成后从去光阻液中取出基底；

步骤A2、将基底置入NMP(N-Methyl-2-Pyrrolidone，N-甲基吡咯烷酮)中浸泡，浸泡完成后从NMP中取出基底；其中，NMP的粘度低，化学稳定性和热稳定性好，极性高，挥发性低，能与水及许多有机溶剂无限混溶；

步骤A3、用水清洗基底；

步骤A4、清洗基底以除去基底上的异丙醇；

步骤A5、再次用水清洗基底。

可见，现有的去光阻过程中，需要依序将基底在去光阻液和NMP中浸泡，然后再对基底进行清洗，不仅浸泡步骤较多(包括两个浸泡步骤)，而且所需原料也较多(原料包括去光阻液和NMP)，使得去光阻整体制程较慢、成本较高。

发明内容

本发明实施例提供了一种去光阻的方法和设备，用以解决现有去光阻过程浸泡步骤较多、所需原料较多，使得去光阻整体制程较慢、成本较高的问题。

本发明实施例提供一种去光阻的方法，包括：

将带有光阻的基底置入去光阻液中浸泡；

从所述去光阻液中取出所述基底；

将所述基底的温度冷却至预设温度，其中，所述预设温度低于所述去光阻液遇水后与所述基底发生反应的最低温度；

用水清洗所述基底。

其中，优选地，所述将所述基底的温度冷却至预设温度，具体为：

向所述基底吹风，使所述基底的温度冷却至预设温度。

其中，优选地，所述将所述基底的温度冷却至预设温度，具体为：

将所述基底自然冷却至预设温度。

其中，优选地，当所述去光阻液为PMR400时，所述预设温度的最大值为95摄氏度、最小值为70摄氏度。

其中，优选地，所述基底为晶片或基板。

本发明实施例还提供了一种去光阻的设备，包括：

去光阻槽，用于容纳浸泡有基底的去光阻液，其中，所述基底带有光阻；

水清洗装置，用于用水对从所述去光阻液中取出后温度被冷却至预设温度的所述基底进行清洗，其中，所述预设温度低于所述去光阻液遇水后与所述基底发生反应的最低温度。

其中，优选地，所述设备还可包括：

置入装置，用于将所述基底置入所述去光阻槽内的去光阻液中浸泡；

抓取装置，用于从所述去光阻槽中取出所述基底。

其中，优选地，所述设备还可包括：

冷却槽，用于放置从所述去光阻液中取出的所述基底，使所述基底的温度冷却至所述预设温度。

本发明实施例提供的技术方案是将基底在去光阻液中浸泡(包括一个浸泡步骤)，浸泡完成后从去光阻液中取出基底，将基底的温度冷却至能保证基底上残留的去光阻液遇水后与基底不发生反应的预设温度之后，用水对基底进行清洗。与现有去光阻制程需要先依序将基底在去光阻液和NMP中浸泡(包括两个浸泡步骤)、再对基底进行清洗的流程相比，本发明实施例提供的去光阻的方法免除了在将基底在NMP中浸泡的步骤，减少了浸泡步骤，从而缩短了去光阻整体制程时间，并且减少了使用的原料，从而降低了去光阻成本和基底处理成本。

附图说明

图1为本发明实施例中去光阻的方法流程图；

图2为本发明实施例中一种去光阻的设备的结构示意图；

图3为本发明实施例中另一种去光阻的设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

如图1所示，本发明实施例提供了一种去光阻的方法，包括以下步骤：

S11、将带有光阻的基底置入去光阻液中浸泡。

其中，基底可具体实施为基板或者晶片等。

基底在去光阻液中的浸泡时间可以根据基底上光阻的厚度来设定，比如，当基底上的光阻较厚时，可使基底在去光阻液中浸泡时间长些，以使基底上的光阻和其它不溶于水的污染物得到完全去除；当基底上的光阻较薄时，可使基底在去光阻液中浸泡时间短些，但浸泡时间应能保证光阻和其它不溶于水的污染物得到完全去除。