[发明专利]多单元射频晶体管的射频参数模拟方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体测试技术，特别涉及一种多单元射频晶体管的射频参数模拟方法。

背景技术

在射频集成电路设计中，由于大电流和高功率的应用要求，有源器件的设计多采用多单元射频晶体管结构，如图1所示，多单元射频晶体管结构其实包括两部分，一部分是重复并联的射频晶体管单元11，另一部分则是多个射频晶体管单元之间的相互连线12。为了对多单元射频晶体管结构进行准确的射频参数模拟，传统方法是预先设计多单元射频晶体管的版图结构，然后直接对其进行射频测试，进行射频参数模拟。以上方法有较多缺点，如：多单元射频晶体管的版图结构设计不仅需要大量的人力资源，而且无法覆盖各种不同的高功率射频集成电路应用。同时，多单元射频晶体管工作电流很大，其射频测试也受到现有测试设备的限制。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种多单元射频晶体管的射频参数模拟方法，能降低进行射频参数模拟的人力资源，能灵活方便地模拟多单元射频晶体管的射频参数。

为解决上述技术问题，本发明的多单元射频晶体管的射频参数模拟方法，包括以下步骤：

一.设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构，并对各单个射频晶体管单元的版图结构进行射频测试，得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数；

二.将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件调入电磁仿真软件，同时在电磁仿真软件中定义和多单元射频晶体管结构生产工艺完全匹配的金属和介质层参数，然后对多个射频晶体管单元之间的相互连线结构进行电磁仿真得到多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数；

三.将所述多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数同所有各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数进行射频参数的叠加得到多单元射频晶体管总结构的射频参数。

本发明的多单元射频晶体管的射频参数模拟方法，先分别设计多单元射频晶体管结构用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构，并对各单个射频晶体管单元的版图结构进行射频测试，得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数，采用磁仿真软件对多单元射频晶体管之间的相互连线结构进行高精度的电磁仿真，从而得到相互连线结构准确的射频参数，在此基础上，运用射频参数叠加的算法，得到所测的多单元射频晶体管总结构的射频参数。由于进行各单个射频晶体管单元的版图结构设计需要的人力资源远小于进行多单元射频晶体管总版图结构设计需要的人力资源，节省了传统做法中大量的版图工作，所以能大大降低进行版图结构设计的人力资源，从而能降低进行射频参数模拟的人力资源，另一方面也较大地提高了多单元射频晶体管建模的灵活度，能灵活方便地模拟多单元射频晶体管的射频参数。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。

图1是多单元射频晶体管结构示意图；

图2是本发明的多单元射频晶体管的射频参数模拟方法一实施方式流程图。

具体实施方式

在射频集成电路设计中采用的多单元射频晶体管结构如图1所示，多单元射频晶体管结构主要包括两部分，一部分是重复并联的多个射频晶体管单元11，另一部分则是多个射频晶体管单元之间的相互连线12。

本发明的多单元射频晶体管的射频参数模拟方法一实施方式如图2所示，包括以下步骤：

一.先设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构，并对各单个射频晶体管单元的版图结构进行射频测试，得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数S_singlecell_i(i＝1，…，m，m为重复并联的多个射频晶体管单元数量)；根据微波基础理论，可推出重复并联的多个射频晶体管单元的集总的射频参数S_multicell，即S_multicell＝S_singlecell_1+S_singlecell_2+…+S_singlecell_m。

二.将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件调入电磁仿真软件(如：HFSS，Momentum等)，同时在电磁仿真软件中定义和多单元射频晶体管结构生产工艺完全匹配的金属和介质层参数，然后对多个射频晶体管单元之间的相互连线结构进行电磁仿真得到多个射频晶体管单元之间的相互连线结构准确的射频参数S_interconnection；