[发明专利]参考缓冲电路有效

专利信息
申请号: 200910147900.8 申请日: 2009-06-17
公开(公告)号: CN101859159A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 廖介伟;张文华;徐哲祥 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: G05F3/16 分类号: G05F3/16;G05F3/24
代理公司: 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 代理人: 葛强;张一军
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 参考 缓冲 电路
【说明书】:

技术领域

发明有关于参考缓冲电路(reference buffer circuit)。

背景技术

在模拟电路应用中,尤其对于模数转换器(Analog To Digital Converter,ADC),例如流水线ADC、快闪(Flash)ADC以及逐次逼近型(SAR)ADC,具有足够驱动能力的参考缓冲电路是一个关键组件,以提供精确的参考电压。随着技术发展,电路设计所需电源电压可比以往更低,因此,在保持驱动能力不变的前提下,实现具有较低电源电压的参考缓冲电路,就日益成为挑战。

图1为根据现有技术的参考缓冲电路100的示意图。参考缓冲电路100主要包含:缓冲级110以及驱动级120,而缓冲级110以及驱动级120均由电源电压VDD所驱动。缓冲级110可以提供第一驱动电压以及第二驱动电压,即高驱动电压VGH以及低驱动电压VGL,而高驱动电压VGH以及低驱动电压VGL分别根据第一输入电压以及第二输入电压而得到,即分别根据高输入电压VinH以及低输入电压VinL而得到。驱动级120可由高驱动电压VGH以及低驱动电压VGL所驱动,从而相应地输出第一输出电压以及第二输出电压,即高输出电压VoutH以及低输出电压VoutL。特别地,缓冲级110包含第一缓冲晶体管以及第二缓冲晶体管,在此例中,第一缓冲晶体管以及第二缓冲晶体管分别为第一NMOS晶体管M1以及第一PMOS晶体管M2,其中第一NMOS晶体管M1的漏极耦接到电源电压VDD,而第一PMOS晶体管M2的漏极耦接到接地信号端。第一运算放大器OP1具有两个输入端以及一个输出端。第一运算放大器OP1的第一输入端(+)接收高输入电压VinH,第一运算放大器OP1的第二输入端(-)连接到第一NMOS晶体管M1的源极端,而第一运算放大器OP1的输出端耦接到第一NMOS晶体管M1的栅极端以提供高驱动电压VGH。第二运算放大器OP2也具有两个输入端以及一个输出端。第二运算放大器OP2的第一输入端(+)接收低输入电压VinL,第二运算放大器OP2的第二输入端(-)连接到第一PMOS晶体管M2的源极端,第二运算放大器OP2的输出端耦接到第一PMOS晶体管M2的栅极端以提供低驱动电压VGL(请注意,运算放大器的输入端如图所示,下文中不再标示+和-)。可选择地,可以将至少一个缓冲级电阻RB耦接到第一NMOS晶体管M1的源极端以及第一PMOS晶体管M2的源极端之间,以产生电压降。通过将高输入电压VinH应用到第一运算放大器OP1上,第一运算放大器OP1就可以将第一NMOS晶体管M1的栅极电压锁定在高驱动电压VGH。相似地,通过将低输入电压VinL应用到第二运算放大器OP2上,第二运算放大器OP2就可以将第一PMOS晶体管M2的栅极电压锁定在低驱动电压VGL。因此,驱动级120就可以使用高驱动电压VGH以及低驱动电压VGL驱动,从而精确地输出高输出电压VoutH以及低输出电压VoutL

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