[发明专利]制作纳米管道的方法

权利要求书

1.一种制作纳米管道的方法，该方法包括如下步骤：

步骤1：在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层；

步骤2：在该电热绝缘材料层上淀积一层基底材料层并用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；

步骤3：在该电热绝缘材料层的上面和去除基底材料层的上面及侧壁淀积侧墙材料层；

步骤4：采用干法回刻，去除基底材料层上表面的侧墙材料层及电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；

步骤5：用湿法腐蚀的方法去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；

步骤6：采用光刻+剥离工艺或者光刻+干法刻蚀工艺在该侧墙材料层的相对两侧边上搭上一条制作纳米管道的抗腐蚀材料层；

步骤7、用湿法腐蚀方法去除侧墙同时留下抗腐蚀材料层，形成纳米尺寸的管道。

2.根据权利要求1所述的制作纳米管道的方法，其中所述电热绝缘材料层是氮化硅或SiO₂；所述基底材料层是SiO₂、氮化硅或多晶硅；所述侧墙材料层是SiO₂、氮化硅或多晶硅；所述抗腐蚀材料层是钨、SiO₂、氮化硅或多晶硅。

3.根据权利要求1所述的制作纳米管道的方法，其中所述的衬底是半导体材料衬底或绝缘材料衬底。

4.根据权利要求3所述的制作纳米管道的方法，其中所述半导体材料衬底是硅片或SOI片，所述绝缘材料衬底是SiO₂或玻璃。

5.根据权利要求1所述的制作纳米管道的方法，其中所述基底材料层的厚度为20～2000nm。

6.根据权利要求1所述的制作纳米管道的方法，其中所述侧墙材料层形成的侧墙的宽度为5～200nm。

7.根据权利要求1所述的制作纳米管道的方法，其中所述抗腐蚀材料层形成的纳米管道的宽度为5～200nm，高度为5～2000nm，长度为毫米量级。