[发明专利]正性作用可光成像底部抗反射涂层无效

专利信息
申请号: 200810210008.5 申请日: 2003-01-03
公开(公告)号: CN101408729A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: J·E·奥伯兰德;R·R·达默尔;李丁术季;M·O·尼瑟尔;M·A·图卡伊 申请(专利权)人: AZ电子材料日本株式会社
主分类号: G03F7/039 分类号: G03F7/039;G03F7/00;G03F7/09
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王 健
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 作用 成像 底部 反射 涂层
【权利要求书】:

1.一种正性、底部、可光成像的抗反射涂料组合物,该组合物能够在含水碱性显影剂中显影且其涂覆在正性光刻胶的下方,其中该抗反射涂料组合物包含光酸产生剂和聚合物,该聚合物包含至少一种单元,该单元具有酸不稳定基团和吸收性生色团。

2.根据权利要求1的组合物,其中酸不稳定基团选自-(CO)O-R、-O-R、-O(CO)O-R、-C(CF3)2O-R、-C(CF3)2O(CO)O-R  和-C(CF3)2(COOR),其中R是烷基、环烷基、取代环烷基、氧代环己基、环状内酯、苄基、取代苄基、烷氧基烷基、乙酰氧基烷氧基烷基、四氢呋喃基、甲基金刚烷基、基、四氢吡喃基和甲羟戊酸内酯。

3.根据权利要求1的组合物,其中吸收性生色团选自包含如下部分的化合物:烃芳族环,取代和未取代的苯基,取代和未取代的蒽基、取代和未取代的菲基、取代和未取代的萘基、取代和未取代的杂环芳族环,该杂环芳族环包含杂原子,该杂原子选自氧、氮、硫或其组合。

4.根据权利要求1的组合物,其中该组合物形成的抗反射层的吸收参数k值为0.1-1.0。

5.根据权利要求1的组合物,其中光酸产生剂在450nm-100nm的范围内敏感。

6.根据权利要求5的组合物,其中光酸产生剂在选自如下的波长下敏感:436nm、365nm、248nm、193nm和157nm。

7.一种形成正像的方法,其包括:

a)在衬底上提供权利要求1的底部可光成像抗反射涂料组合物的涂层;

b)在底部涂层上提供表层光刻胶层的涂层;

c)将表层和底层在相同波长的光化辐射下成像式曝光;

d)曝光后烘烤衬底;和

e)采用含水碱性溶液将表层和底层显影。

8.根据权利要求7的方法,其中抗反射涂料基本不溶于表层光刻胶的溶剂。

9.根据权利要求7的方法,其中该组合物形成的抗反射层的厚度小于光刻胶的厚度。

10.根据权利要求7的方法,其中抗反射涂料在曝光步骤之前不溶于含水碱性溶液而在显影步骤之前变为可溶性。

11.根据权利要求7的方法,其中含水碱性溶液包含氢氧化四甲基铵。

12.根据权利要求11的方法,其中含水碱性溶液另外包含表面活性剂。

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