[发明专利]用以减少暗电流的ONO侧墙刻蚀工艺有效
| 申请号： | 200810040366.6 | 申请日： | 2008-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101625996A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 霍介光;杨建平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用以 减少 电流 ono 刻蚀 工艺 | ||
1.一种CMOS图像传感器件的形成方法，包括：
提供具有P型杂质特性的半导体衬底，所述半导体衬底包括表面区域；
形成覆盖表面区域的栅氧化层；
形成覆盖栅氧化层的第一部分的第一栅结构，所述第一栅结构具有上表面区域和至少侧面区域；
在部分半导体衬底内形成N型杂质区域，以至少由N型杂质区域和P型杂质区域形成光电二极管器件区域；
形成覆盖至少第一栅结构的毯式侧墙层，所述侧墙层包括顶部氧化层-中间氮化层-底部氧化层结构；
利用毯式刻蚀工艺刻蚀毯式侧墙层，所述底部氧化层用作刻蚀停止层，刻蚀停止在底部氧化层，形成用于第一栅结构的一个或者多个侧墙结构，同时保留顶部氧化层-中间氮化层-底部氧化层中的部分底部氧化层来覆盖至少光电二极管器件区域，所述底部氧化层的厚度为80埃至200埃，并且完全没有氮化硅。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器件的形成方法，其特征在于，
所述部分底部氧化层中不含氮化物。
3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器件的形成方法，其特征在于，
所述底部氧化层为停止层。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器件的形成方法，其特征在于，
所述底部氧化层减小了N型杂质区域以及N型区域中的衬底表面与栅氧化层的界面上的一个或者多个表面缺陷。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器件的形成方法，其特征在于，
所述一个或者多个侧墙结构使用侧墙刻蚀工艺形成。
6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器件的形成方法，其特征在于，
所述覆盖光电二极管器件区域的氧化层在侧墙刻蚀工艺中使用遮蔽层保护。
7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器件的形成方法，其特征在于，
所述遮蔽层包括光刻胶材料。
8.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器件的形成方法，其特征在于，
在侧墙刻蚀工艺中，所述覆盖光电二极管区域的氧化层减少了对光电二极管区域的栅氧化层以及栅氧化层/衬底界面的损伤。
9.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器件的形成方法，其特征在于，
所述CMOS图像传感器具有降低的暗电流泄漏。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
