[发明专利]SiC合成炉气体收集系统及气体收集方法

权利要求书

1.一种SiC合成炉气体收集系统，其特征在于：所述气体收集系统包括放置在SiC合成炉之上的用于气体收集的收集装置，设置在SiC合成炉两端的用于移动收集装置的离合行走机构，设置在收集装置上的检测分析装置和均衡泄压装置，设置在SiC合成炉炉体四周与收集装置接触形成封闭空间的密封连接装置，密封连接装置和/或收集装置上设置有气体出口；所述收集装置包括收集罩壳，设置在SiC合成炉炉体两侧的轨道，设置在收集罩壳两侧下端在轨道上行驶的车轮，设置在车轮内侧或外侧的与收集罩壳封闭连接的密封裙。

2.根据权利要求1所述的SiC合成炉气体收集系统，其特征在于：所述收集罩壳为刚性罩壳、柔性罩壳或刚性与柔性结合的罩壳。

3.根据权利要求1或2所述的SiC合成炉气体收集系统，其特征在于：所述密封连接装置为设置在SiC合成炉端部的、使收集装置移动到SiC合成炉上时形成封闭连接的密封墙体，以及设置在密封墙体以外、SiC合成炉周围的用于配合收集装置隔离外部空气的水封槽。

4.根据权利要求3所述的SiC合成炉气体收集系统，其特征在于：所述密封墙体设置在SiC合成炉炉体一端或两端，收集装置和密封墙体之间采用弹性密封胶垫进行密封。

5.根据权利要求1所述的SiC合成炉气体收集系统，其特征在于：所述离合行走机构为设置在SiC合成炉炉体两端方向的轮轴和导向轮以及连接轮轴、导向轮和收集装置的牵引绳。

6.根据权利要求1所述的SiC合成炉气体收集系统，其特征在于：所述检测分析装置为气体检测装置、与气体检测装置连接的控制器和与控制器连接的充气风机；所述气体检测装置为氧气含量检测装置和一氧化碳含量检测装置。

7.根据权利要求1所述的SiC合成炉气体收集系统，其特征在于：所述均衡泄压装置为安装在收集装置内表面的用于检测收集气体压力的压力检测装置，与压力检测装置连接的泄压阀门和排风机。

8.根据权利要求1所述收集系统进行气体收集的方法，该方法包括以下步骤：

1)SiC合成原料混合配制，装入SiC合成炉；

2)将收集装置平移到SiC合成炉炉体上端，收集装置和密封连接装置连接形成封闭空间；

3)供电前期，向收集装置内充入惰性气体，强制排挤收集装置内的空气；或者在通电后，利用SiC合成炉炉内产生的炉气自然排赶装置内空气，进行空气置换；当收集装置内O₂浓度小于12.5％时，完成空气置换；

4)对SiC合成炉供电生产碳化硅；

5)在碳化硅的生产过程中通过气体出口对CO气体进行收集；

6)对SiC合成炉停止供电；

7)对SiC合成炉停炉冷却，同时延时收集CO气体，进行炉气置换，炉气置换采用冷炉空气吹扫或热炉充惰方式进行置换，当收集装置内CO浓度小于12.5％时，完成炉气置换；

8)将收集装置移出；

9)将碳化硅出炉。