[发明专利]空穴传输材料的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种空穴传输材料的制备，具体的说，涉及制备导高分子材料poly(3，4-ethylenedioxythiophene)doped with poly(styrenesulfonate)(PEDOT：PSS)的方法。

背景技术

空穴传输材料主要用于OLED，PLED等电致发光显示屏上，空穴传输层与阳极界面形成的势垒应当尽量小，其势垒越小，器件的稳定性能就越好，有利于降低器件的启电电压和提高器件的最高亮度。

术语“OLED”通常指的是有机小分子发光二极管，术语“PLED”通常指的是有机高分子发光二极管，即organic light-emitting device和polymer light-emitting device。

目前，应用在OLED的空穴传输材料为芳香族三胺类化合物，因为此类化合物具有低的电离能，三级胺上的N原子具有很强的给电子能力，容易氧化形成阳离子自由基(空穴)而显示出正电性，它们容易发生分子间的电子转移，在电场的不间断地给出电子的过程中表现出空穴的迁移特性。但这种材料长时间放置，常有再结晶行为，这个问题被认为是导致有机器件衰减的原因之一。

在芳香族三胺类化合物的基础上，引入空间体积较大的基团后，可以有效地提高材料的玻璃化转变温度，从而获得更优良的材料。例如Investigation of ITO Surface modifiedby NRB and orachidic LB films文献报道，由Lingling Ren等人合成的N，N′-双-(3-萘基)-N，N′-二苯基-[1，1′-二苯基]-4，4′-二胺，这种材料具有更高的玻璃划转变温度和更好的形貌稳定性，更适合与电致发光的研究，但玻璃化转变温度为98℃，还是不够理想。

例如development of new hole-transporting amorphous molecular materials fororganicelectroluminescent devices and their charge-transport properties文献报道，由Okumoto K等人合成的用芴取代的联苯双胺FFD，具有较高的玻璃化转变温度和很好的空穴传输性能，是一种比较理想的空穴传输材料。

以上提到的技术，大都是应用在OLED空穴传输材料，并且是通过蒸镀的方法成膜在ITO上，所说的ITO是氧化铟锡(indiumtinoxide)，ITO通常用作阳极。

德国拜耳公司报道了一种以噻吩单体为起始原料的、应用于OLED和PLED上的空穴传输材料poly(3，4-ethylenedioxythiophene)doped with poly(styrenesulfonate)和(简称PEDOT：PSS)的制备方法，该方法制备的(PEDOT：PSS)，由于合成原因，其电阻率仅仅为10⁵Ω/cm，同时还存在保存的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种空穴传输材料的制备方法，以克服现有技术存在的上述缺陷。

本发明的空穴传输材料的制备方法，包括如下步骤：

(1)将噻吩单体、催化剂和掺杂剂在溶剂中，反应0.5～1小时；

(2)然后再加入含有催化剂的溶剂，反应15～30小时，加入水性成膜剂和粘度调节剂，搅拌分散1～4小时，然后将反应液与阴离子交换树脂和阳离子交换树脂接触，除去反应液中的阴离子和阳离子，过滤，得到所说的空穴传输材料；

为了抑制幅反应，反应温度为10-80℃，优选为10-40℃，更优选10-30℃。

搅拌分散速度为3000-15000转/分，优选4000-12000转/分，最优选5000-9000转/分；

所说的噻吩单体如通式(I)、(II)或(III)所示：

其中：

R¹和R²代表氢或C₁-C₄的烷基，或者是任何一个氢被取代的C₁-C₄的亚烷基，R¹和R²相互独立；