[发明专利]P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法

权利要求书

1.一种P型GaN上镉铟氧透明电极，它包括：一P型GaN(1)，在P型GaN(1)上有第一导电层(2)，其特征在于：在第一导电层(2)之上有CIO透明导电薄膜(3)。

2.根据权利要求1所述的P型GaN上镉铟氧透明电极，其特征在于：可以在所述的第一导电层(2)和CIO透明导电薄膜(3)之间再沉积一第二导电层(4)。

3.根据权利要求2所述的P型GaN上镉铟氧透明电极，其特征在于：所述的第一导电层(2)采用的金属材料可以是：Ni、Pt、Pd、Ru、Re、Cu中的一种；所述的第二导电层(4)，所采用的金属材料可以是Au、Cr、Ir中的一种。

4.根据权利要求2或3所述的P型GaN上镉铟氧透明电极，其特征在于：所述的第一导电层(2)的厚度范围可以是2到100埃，所述的第二导电层(4)的厚度范围可以是2到100埃。

5.根据权利要求1所述的P型GaN上镉铟氧透明电极，其特征在于：所述的CIO透明导电薄膜(3)的厚度范围可以是100到1000nm。

6.一种P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其特征在于：其工艺步骤为：

1)在P型GaN(1)上以物理气相沉积方式，沉积第一导电层(2)；

2)在第一导电层(2)上以物理气相沉积方式，沉积CIO透明导电薄膜(3)；

3)进行合金化热处理。

7.根据权利要求6所述的P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其特征在于：在步骤1)之后，还可以再沉积一热稳定金属薄膜所构成的第二导电层(4)。

8.根据权利要求7所述的P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其特征在于：第一导电层(2)和第二导电层(4)的沉积方法可以是电子束蒸镀、热蒸镀或溅射。

9.根据权利要求8所述的P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其特征在于：步骤2)中所述的CIO透明导电薄膜(3)的沉积方法可以是溅射或电子束蒸镀。

10.根据权利要求6所述的P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其特征在于：

步骤1)所述的沉积方法是：将P型GaN(1)浸入王水溶液中3-5min，并采用丙酮、酒精和去离子水分别超声振荡5min，把样品用氮气吹干，立即置于电子枪蒸镀系统中，抽真空，在P型GaN(1)蒸发沉积厚度为5nm的金属Ni，其工艺条件为：高压6KV，束流155mA，工作气压：2.2×10^-3Pa；

步骤2)所述的沉积方法是：采用直流磁控溅射法在P型GaN/Ni上沉积200nm的CdIn₂O₄薄膜，靶材原料选用纯度为99.99％直径为6cm的Cd-In合金靶材，Cd、In的原子比为1∶2，其工艺参数为：工作压强：3.1Pa，氧浓度4.29％，溅射功率50W，基片温度250℃，靶基距7.5cm；

步骤3)所述的合金化热处理，是在氧气或空气中，400℃-700℃范围内退火处理1-5min。