[发明专利]一种干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法

说明书

技术领域

本发明涉及等离子刻蚀设备反应腔的清洗，特别涉及一种干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法。

背景技术

等离子刻蚀设备在进行刻蚀的过程中，除刻蚀需刻蚀的绝缘膜或金属外，也会刻蚀涂覆在晶圆上的光阻，刻蚀光阻的生成物易沉积在反应腔内壁上，当等离子刻蚀设备工作一段时间(例如射频时间超过150小时)后，所述沉积在反应腔内壁上，且含有碳氧成分的薄膜就会脱落，其可能会落到正在进行刻蚀的晶圆上，如此将会影响刻蚀或污染晶圆，故需定期的对等离子刻蚀设备反应腔进行清洗，例如型号为Lam2300的等离子刻蚀设备，其射频时间达到150小时时，就需对反应腔进行清洗。现清洗等离子刻蚀设备时需将反应腔打开，并采用人工方式清洗例如使用浸润有水的无尘布对所述反应腔进行擦拭。

上述将反应腔打开且采用人工清洗的方式过程复杂且用时较久，浪费了时间及人力，再者通过人工方式也很难将反应腔内壁上的薄膜清洗干净。

发明内容

本发明的目的在于提供一种干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法，通过所述方法可简化等离子刻蚀设备反应腔的清洗过程，且大大节约人力成本。

本发明的目的是这样实现的：一种干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法，该等离子刻蚀设备具有一用于产生射频输出的射频发生器，该方法包括以下步骤：(1)驱动等离子刻蚀设备至一稳定状态；(2)启动射频发生器输出一预设功率的射频，并在反应腔中通入预设流量的氧气，进行一预设时间的干法清洗。

在上述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法中，该第一预设时间范围为40分钟至50分钟。

在上述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法中，该干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法还包括步骤(3)，停止射频发生器，并在反应腔中继续通入该预设流量的氧气，进行第二预设时间的冷却。

在上述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法中，该第二预设时间范围为20分钟至30分钟。

在上述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法中，该预设流量范围为300至400标准毫升每分。

在上述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法中，该稳定状态为反应腔压力范围为8至10帕斯卡，氦气压力为1000帕斯卡。

在上述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法中，该预设功率为1000瓦。

与现有技术中将反应腔拆开且进行人工清洗相比，本发明的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法在反应腔中通入氧气，使氧气与反应腔内壁上的含碳氢元素的薄膜发生反应，从而无需打开干法等离子刻蚀设备，无需人工清洗就可将反应腔的内壁彻底清洗干净，如此简化了清洗过程，提高了清洗质量，并大大节约人力成本。

附图说明

本发明的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法由以下的实施例及附图给出。

图1为本发明的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法的流程图。

具体实施方式

以下将对本发明的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法作进一步的详细描述。

本发明中的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法，用于清洗等离子刻蚀设备的反应腔，其中，所述等离子刻蚀设备具有一用于产生射频输出的射频发生器，所述等离子刻蚀设备在进行刻蚀后其反应腔内壁上会沉积有含碳氧元素的薄膜，本发明的方法首先进行步骤S10，驱动等离子刻蚀设备至一稳定状态。在本实施例中，所述稳定状态为反应腔压力范围为8至10帕斯卡，氦气压力为1000帕斯卡。

接着继续步骤S11，启动射频发生器输出预设功率的射频，并在反应腔中通入预设流量的氧气，进行第一预设时间的干法清洗，其中，所述干法清洗是指氧气与反应腔内壁上的含碳氢元素的薄膜发生反应，生成可方便排出反应腔的二氧化碳和水蒸汽。在本实施例中，反应腔压力为9帕斯卡，所述预设功率为1000瓦，所述预设流量范围为300至400标准毫升每分，所述第一预设时间范围为40分钟至50分钟。

接着继续步骤S12，停止射频发生器，并在反应腔中继续通入所述预设流量的氧气，进行第二预设时间的冷却。在本实施例中，所述第二预设时间范围为20分钟至30分钟。

在本发明其他实施例中，步骤S10中的所述稳定状态除包括反应腔压力范围为8至10帕斯卡，氦气压力为1000帕斯卡外，还可包括通入所述预设流量的氧气。