[发明专利]一种干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法无效
| 申请号： | 200710040653.2 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101307447A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 楼丰瑞;徐旻;张建;石锗元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 等离子 刻蚀 设备 反应 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法，该等离子刻蚀设备具有一用于产生射频输出的射频发生器，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)驱动等离子刻蚀设备至一稳定状态；(2)启动射频发生器输出一预设功率的射频，并在反应腔中通入预设流量的氧气，进行一第一预设时间的干法清洗。
2、如权利要求1所述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法，其特征在于，该第一预设时间范围为40分钟至50分钟。
3、如权利要求1所述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法，其特征在于，该干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法还包括步骤(3)，停止射频发生器，并在反应腔中继续通入该预设流量的氧气，进行第二预设时间的冷却。
4、如权利要求3所述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法，其特征在于，该第二预设时间范围为20分钟至30分钟。
5、如权利要求1或3所述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法，其特征在于，该预设流量范围为300至400标准毫升每分。
6、如权利要求1所述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法，其特征在于，该稳定状态为反应腔压力范围为8至10帕斯卡，氦气压力为1000帕斯卡。
7、如权利要求1所述的干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法，其特征在于，该预设功率为1000瓦。
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