专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管-CN201720288143.6有效
  • 黎明 - 成都海威华芯科技有限公司
  • 2017-03-22 - 2017-10-31 - H01L29/778
  • 型沟道场效应晶体管,包括由下至上的衬底、低温GaSb/AlSb超晶格缓冲层、AlGaSb缓冲层、GaSb沟道层、AlSb隔离层、AlGaSb势垒层、所述AlGaSb势垒层上一端面的第一梯度InXGa1‑XSb帽层和相对另一端面的第二梯度InXGa1‑XSb帽层,还包括形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层上的源极和第二梯度InXGa1‑XSb帽层上的漏极,形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层和第二梯度InXGa1‑XSb帽层之间且位于AlGaSb势垒层上的栅极,所述AlGaSb势垒层具体为P型掺杂结构,与GaSb沟道层之间形成二维空穴气,有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应并降低功耗,克服摩尔定律,打破极限
  • 一种基于衬底沟道场效应晶体管

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