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[发明专利]一种硝基钴酞菁敏化硫化铟锡复合可见光催化剂的制备方法-CN201810217994.0在审
发明人：李忠玉;陆敏;李贝贝;徐松 -专利权人：常州大学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： B01J31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种硝基钴酞菁染料(CoTNPc)敏化硫化铟锡(SnIn4S8)复合光催化剂的制备，其中制备材料步骤包括：硝基钴酞菁染料的合成，花状硫化铟锡(SnIn4S8)的制备和硝基钴酞菁敏化硫化铟锡(CoTNPc/SnIn4S8)复合材料的制备。
制备硫化铟硝基钴敏化酞菁染料酞菁复合可见光催化剂复合光催化材料复合光催化剂光催化性能可见光利用制备材料复合材料花状合成应用

[发明专利]共沉淀法低温制备石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂的方法-CN201510066028.X在审
发明人：邓芳;裴旭乐;李文涛;罗旭彪;罗胜联 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2015-02-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种共沉淀法低温制备石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂的方法，其特征在于：首先用改性的Hummers法制备出氧化石墨烯，然后用80%的水合肼将氧化石墨烯还原，得到还原氧化石墨烯；然后以氯化锡，氯化铟和硫代乙酰胺作为原料，将它们溶解到有机醇溶液中，同时加入提前制备好的还原氧化石墨烯，低温共沉淀法得到了以化学键结合的石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂。本发明的特点是反应温度低、反应时间短，同时制备的石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂具有较大的比表面积，禁带宽度窄，能有效地使光生电子-空穴分离，有着较高的稳定性、再生性能好，在可见光下有较强的光吸收和光催化活性
共沉淀低温制备石墨 snin4s8 纳米复合光催化剂方法

[发明专利]一种SnIn4-CN202010102402.8在审
发明人：张申;韦运梅;王啟源;王俊;蒋银花;张文莉 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明属于无机光催化材料的合成领域，公开了一种SnIn4S8/CdS保护型核壳棒状异质结复合光催化剂的制备方法。将CdS纳米棒、In(NO3)3·4.5H2O、SnCl4·5H2O以及硫代乙酰胺分散至乙二醇中，采用溶剂热‑原位生长法一步合成高可见光活性的SnIn4S8SnIn4S8纳米层，实现两者间的亲密接触异质结，构建了真正意义上的核壳异质结，缩短光生电子的传输路径，减少光生电子对的复合率，提升光生电子对的分离效率；同时，SnIn4S8纳米层完全实现了对1D
一种 snin base sub

[发明专利]GQDs@ZIF-8作为信号猝灭器传感器的构建-CN202210268650.9有效
发明人：颜梅;苗培;张晶;秦成坤;马廷滨;刘明霞;吕艳锋 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GQDs@ZIF‑8作为信号猝灭器传感器的构建方法，首先合成了Bi4NbO8Cl/SnIn4S8异质结，其中Bi4NbO8Cl作为一种硅基钙钛矿:Sub>NbO8Cl/SnIn4S8异质结可以有效的提高电荷分离效率。另外二抗上面修饰GQDs@ZIF‑8多面体作为信号猝灭剂，不仅可以通过空间位阻效应抑制ITO/Bi4NbO8Cl/SnIn4S8电极的光电流信号，还可以作为过氧化物酶的模拟物催化4‑氯‑1‑萘酚的沉淀反应，导致光电流信号明显降低来达到提高传感器灵敏度的效果
gqds zif 作为信号猝灭器传感器构建

[发明专利]一种复合催化剂QDs-SISCN及其制备方法和应用-CN201811147810.4有效
发明人：陈伟;黄国波 -专利权人：台州学院
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合催化剂QDs‑SISCN及其制备方法和应用，即一种量子点自装饰的SnIn4S8同质结/g‑C3N4复合催化剂，其是在混合溶剂热反应条件下，通过在介孔石墨碳氮(CN)纳米片表面上原位锚定量子点(QDs)自装饰SnIn4S8(SIS)纳米片的方法合成了量子点自装饰SnIn4S8/g‑C3N4(QDs‑SISCN)纳米复合材料。该复合材料在可见光照射(λ400)下表现出优异的对硝基苯胺(4‑NA)还原效率，且4‑NA还原的再循环实验表明QDs‑SISCN纳米复合材料具有高稳定性。
一种复合催化剂 qds siscn 及其制备方法应用

[发明专利]用于光致持续阴极保护的多孔复合光电储能材料及其制备与应用-CN202111374208.6有效
发明人：孙萌萌;鹿桂英;姜旭宏 -专利权人：中国科学院海洋研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明属于光电化学阴极保护领域，具体地讲，本发明涉及一种用于光致持续阴极保护的多孔复合光电储能材料(TiO2/SnIn4S8)及其制备与应用。复合光电储能材料为于TiO2纳米灌木丛空隙及上部原位生长SnIn4S8三维纳米花获得多孔复合光电储能材料
用于持续阴极保护多孔复合光电材料及其制备应用

[发明专利]一种可见光响应SnIn4-CN202010102419.3在审
发明人：蒋银花;王啟源;张申;周二帅;王俊;张文莉 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明属于无机纳米复合材料技术领域，公开了一种可见光响应SnIn4S8纳米粒子/TiO22纳米带分散在乙二醇水溶液中，依次加入五水氯化锡、氯化铟和硫代乙酰胺，通过溶剂热法在TiO2纳米带表面生长SnIn4S8纳米粒子，构筑可见光响应SnIn4S8
一种可见光响应 snin base sub

[发明专利]一种棒状g-C3-CN201810194561.8有效
发明人：王玉新;毛晓妍;汪翰阳;金银秀;陶雪芬;张昕欣 -专利权人：台州职业技术学院
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明属于光催化剂技术领域，尤其是涉及一种棒状g‑C3N4@SnIn4S8复合光催化剂及其制备方法。本发明所提供的利用水热法合成棒状g‑C3N4@SnIn4S8复合光催化剂的方法以尿素为原料，高温煅烧得到纯g‑C3N4。本发明方法制备的g‑C3N4@SnIn4S8
一种 base sub

[发明专利]一种CdIn2-CN202010102721.9有效
发明人：张申;邢庆增;赵云帆;王啟源;蒋银花;张文莉 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明属于无机纳米材料合成领域，涉及一种CdIn2S4纳米块/SnIn4S8片状堆集结构双功能复合光催化剂的合成及其在再生能源制备和环境治理方面的应用。本发明首先以五水合四氯化锡、四水合氯化铟和硫代乙酰胺为原料，以二甲基甲酰胺为溶剂，添加CdIn2S4纳米块为成核剂和复合剂，采用原位溶剂热法获得一种CdIn2S4纳米块/SnIn4S8片状堆集结构双功能复合光催化剂。
一种 cdin base sub

[发明专利]一种负载铜金合金的SnIn4-CN202211361634.0在审
发明人：许晖;杨铮睿;杨金曼;吉海燕;袁俊杰 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种负载铜金合金的SnIn4S8光催化剂的制备方法，属于用于光催化还原CO2SnIn4S8具有优良的光催化CO2
一种负载合金 snin base sub

[发明专利]一种利用制革含硫废水制备多元金属硫化物纳米片的方法-CN202111256994.X有效
发明人：许平凡;黎剑;黄思逸;于方霞;刘明华 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：以硫化物浓度为1542~2700 mg/L的制革高浓度含硫废水为硫源，通过废水预处理、原位共沉淀、水热合成和冷冻干燥等工艺制得多元金属硫化物纳米片SnInxS<采用本发明的方法处理后的废水可回用于制革脱毛工序或直接进入生化处理单元，制得的多元金属硫化物纳米片（SnInxSy）可见光催化剂兼具比表面积高
一种利用制革废水制备多元金属硫化物纳米方法

[发明专利]基于TdT和G4/hemin模拟酶扩增技术的适配体传感器的构建方法及应用-CN202111621532.3有效
发明人：邹丽娜;吕瑞丽;王寒潇 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明属于生物分析领域，涉及氨苄青霉素的检测，特别是指基于TdT和G4/hemin模拟酶扩增技术的适配体传感器的构建方法及应用。以一种新型的Au NPs@SnIn4S8‑GR敏化结构作为光电活性材料获得了强烈的基础光电流；目标物氨苄青霉素存在时，由链置换得到P1引入到电极表面后，在TdT和hemin存在下形成大量的G4/hemin；随后，具有辣根类过氧化酶活性的G4/hemin催化H2O2氧化4‑CN在修饰电极表面生成4‑CD沉淀，严重阻碍了电子转移，有效抑制了光电流输出，通过测量光电流信号即可实现对氨苄青霉素的定量分析；灵敏度高，稳定性好，选择性好，在生物分析和环境监测中具有很好的应用前景
基于 tdt g4 hemin 模拟扩增技术适配体传感器构建方法应用

[外观设计]手链（祥云福8-S4）-CN202230188957.9有效
发明人：陈金华 -专利权人：周六福珠宝股份有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手链（祥云福8‑S4）。2.本外观设计产品的用途：用于佩戴、装饰及收藏。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
手链祥云 s4

[外观设计]汽车大灯（A8S-H4）-CN202230689810.8有效
发明人：谢玄 -专利权人：谢玄
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： 26-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车大灯（A8S‑H4）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于汽车大灯照明。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
汽车大灯 a8s h4

[发明专利]SnBi和SnIn焊锡合金-CN201980056600.0在审
发明人： F·M·穆图克;李宁成;张宏闻 -专利权人：铟泰公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本公开内容的一些实施涉及低熔化温度(例如，液相线温度低于210℃)SnBi或SnIn焊锡合金。SnIn焊锡合金可以由下述组成：8至20wt％的In；任选地，下述的一种或多种：多至12wt％的Bi、多至4wt％的Ag、多至5wt％的Sb、多至3wt％的Cu、多至2.5wt％的Zn、多至1.5wt％
snbi snin 焊锡合金

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