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[发明专利]一种基于Fano谐振的超高精度波长解析器-CN201610072445.X在审
发明人：王根成;戴庭舸;杨梅;李宇波;王曰海;杨建义 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： G01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Fano谐振的超高精度波长解析器。波导分束器与多个Fano滤波器的输入端连接，Fano滤波器的输出端经各自的Fano滤波器连接到信号处理模块，待测光由光波导经过波导分束器分成多束光，多束光分别进入到Fano滤波器滤波后输出信号到Ge-Si光电探测器；Fano滤波器中设有TiN热电极，通过加热TiN热电极调节Fano滤波器的输出产生Fano滤波谱线，形成“X”形频谱。
一种基于 fano 谐振超高精度波长解析

[发明专利]三角晶格二维光子晶体Fano共振器-CN201910635303.3有效
发明人：陈兵;陈德媛;夏雨 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种三角晶格二维光子的Fano共振器，该器件由一个光子晶体腔和一个设计有反射元的光子晶体波导构成。腔结构产生Fano共振所需的离散态，而设计有反射元的光子晶体波导产生Fano共振所需的连续态，两者耦合产生非对称的Fano共振线形。本发明产生的Fano共振的消光比高达55dB，Fano共振的峰值与谷值之差仅有1.4nm，此外也具有高的Q值和低的插入损耗。该发明应用于光子集成中的光开关、光子传感器、滤波器等基础光子器件。
三角晶格二维光子晶体 fano 共振器

[发明专利]一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面-CN202310238034.3在审
发明人：桂丽丽;谢海伦;刘怡雯;林凤斌;徐坤 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明提供一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面，所述基于Fano共振的硅超构表面单元包括单元基体和两个基体凸肋；所述基体凸肋设置于所述单元基体的侧面，所述基体凸肋由所述单元基体上表面延伸至下表面所述基于Fano共振的硅超构表面包括阵列设置的多个所述基于Fano共振的硅超构表面单元。本方案的每个基于Fano共振的硅超构表面单元均设置有三个基体缺陷，通过构造缺陷，打破硅立方体结构的对称性，诱导亮暗模间的弱耦合，产生尖锐的Fano共振，实现大的局域近场增强，进而极大增强双光子吸收响应。
一种基于 fano 共振硅超构表面单元

[发明专利]一种基于边模式实现Fano共振的结构-CN202310544841.8在审
发明人：陈召;段运鸿;何家琪;马昕新;李童;王艺霖;侯志灵 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种基于边模式实现Fano共振的结构，所述Fano共振的结构包括金属层，金属层内形成有输入通道、输出通道以及谐振腔；谐振腔为对称结构，且位于金属层内的中心位置；谐振腔分别与输入通道和输出通道直接耦合输入通道连通于谐振腔的一侧，输出通道连通于谐振腔的另一侧，并且输入通道和输出通道位于同一直线上；输入通道和输出通道内填充有空气，谐振腔内填充有折射材料；共振系统的入射光能够穿过输入通道，并激发谐振腔内的边模式，从而获得Fano线型；本发明提供的基于边模式实现Fano共振的结构，进一步丰富了基于MIM波导实现Fano共振现象的方法，简化了实现Fano线型的结构体系，能够为多功能微纳光学器件的小型化和集成化发展提供新思路。
一种基于模式实现 fano 共振结构

[发明专利]一种基于双波导腔Fano共振装置的双参量测量方法-CN202110167139.5有效
发明人：王贤平;蔡文娟;张颖聪;殷澄;袁文;罗海梅;李俊;桑明煌 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双波导腔Fano共振装置的双参量测量方法，旨在解决现有技术中双参量测量的准确性和灵敏度不足等问题。其包括：利用双波导腔Fano共振装置获得不同电压对应的非对称Fano共振曲线；基于非对称Fano共振曲线获得两预设入射角度下的反射光强变化量；基于双参量传感逆矩阵和反射光强变化量实时获得不同电压下双波导腔Fano共振装置的折射率变化量和厚度变化量；其中，双波导腔Fano共振装置包括依次连接的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层和第三金属层，且第一介质层的厚度小于第二介质层的厚度。
一种基于波导 fano 共振装置参量测量方法

[发明专利]一种Cr2Te3非对称结构的高灵敏磁场测量方法-CN202310329488.1在审
发明人：李鹏;田兵;吕前程;骆柏锋;徐振恒;何毅;张伟勋;钟枚汕;卢星宇;李立浧;王志明 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R33/24 文献下载
摘要：本发明涉及磁场探测技术领域，且公开了一种Cr2Te3非对称结构的高灵敏磁场测量方法，利用Fano共振的窄线宽、高光谱对比度具有对周围环境输入波的变化敏感特征，提出一种基于Fano磁场工频共振的Cr2Te3非对称阵列结构，通过监测Cr2Te3非对称结构响应谱中Fano共振的变化来感应磁场的变化情况，利用Cr‑Te化物在恒定磁场平衡轨道平面进动的前提下可随工频待测磁场发生磁性共振的铁磁特性，使得Cr2Te3非对称阵列结构响应谱中Fano共振发生变化，Fano共振的具有宽显示窄线、高光谱对比度、强非对称线形的光栅特性，故对周围环境磁场的变化非常敏感，适合对微弱磁场进行探测。在外界施加磁场下，装置可通过结构响应谱中的Fano共振共振频率、线宽、振幅等的变化监测磁场大小和变化情况。
一种 cr2te3 对称结构灵敏磁场测量方法

[发明专利]一种降低Fano算法译码器堆栈溢出概率的方法-CN201710207642.2有效
发明人：葛建华;李成林 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低Fano算法译码器堆栈溢出概率的方法，主要解决Fano算法译码器堆栈溢出概率过高的问题。本发明的具体思路，一是增加观测距离来筛选出最优节点，以降低译码器进入错误路径的概率；二是判断特定点的可靠性来修正其Fano度量，以降低译码器离开正确路径的概率。本发明的具体步骤包括：(1)译码器参数初始化；(2)筛选出最优节点；(3)对译码节点进行处理；(4)对停机条件进行判断；(5)对特定点的Fano度量进行修正；(6)对门限进行紧缩处理；(7)得到向后窥测度量本发明显著地降低了Fano算法译码器的堆栈溢出概率，提高了卷积码Fano算法译码在信道较差时的译码速度和译码稳定性。
一种降低 fano 算法译码器堆栈溢出概率方法

[发明专利]一种全光二极管实现方法-CN201710944450.X在审
发明人：刘彬;胡金凤;梁红勤 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种全光二极管实现方法，在介质波导与两侧背景的金属构成的金属‑介质‑金属表面等离激元波导结构的旁侧设计一个Fano短腔；在Fano短腔附近的表面介质波导中增加反射层，并且反射层的位置向介质波导正对Fano短腔位置偏离；以改变Fano短腔的折射率，使正向入射由反射状态变成透射状态；而从反向入射端口入射的光在此光强下还处于截止状态，从而实现全光二极管功能正向导通和反向截止的功能。本发明可以通过适当调整Fano短腔的腔长来调节工作波段，并且不需要外界泵浦激励，为光无源器件，便于集成于全光网络中，因此具有较大的应用价值。
一种二极管实现方法

[实用新型]一种共振超表面激光器-CN202222733655.2有效
发明人：罗先刚;蒲明博;徐明峰;周梦洁;陈强;张逸群;陈双成 -专利权人：天府兴隆湖实验室
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种共振超表面激光器，包括反馈半导体激光器，偏振态产生系统，分光子系统，光衰减子系统，以及作为外腔反馈镜的Fano共振超表面，Fano共振超表面由基底及位于基底之上的亚波长圆柱形结构单元组成，Fano共振超表面可产生不同的Fano共振线型，对于不同频率光的反射率和色散不同，从而可以利用其产生的不同的延迟时间消除一致的外腔谐振模式，输出的混沌激光信号不再具有延时特性，同时提升混沌信号的带宽，
一种共振表面激光器

[发明专利]一种基于Fano共振与MIM波导结构的圆环形折射率传感器-CN202310346711.3在审
发明人：张留洋;张宇博 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Fano共振与金属‑电介质‑金属（MIM）波导结构的圆环形折射率传感器，该传感器由矩形波导A、大的扇环形谐振腔B和小的扇环形谐振腔C组成。扇环形谐振腔B和扇环形谐振腔C分别作为Fano共振中的暗模式和亮模式存在，在透射光谱中表现出Fano共振。Fano共振具有尖锐不对称的线形，并且对折射率的改变非常敏感，改变矩形波导A、扇环形谐振腔B和扇环形谐振腔C中的介质折射率，介质折射率的改变会造成透射光谱中Fano共振峰的显著偏移，从而实现高灵敏度的折射率传感器
一种基于 fano 共振 mim 波导结构圆环折射率传感器

[发明专利]一种基于相变材料混合Fano共振的调制器及调制系统-CN202310309293.0在审
发明人：李鸿鹏;鹿利单;祝连庆;董明利;张旭 -专利权人：北京信息科技大学;广州市南沙区北科光子感知技术研究院
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于相变材料混合Fano共振的调制器，包括：绝缘体上硅层，在所述绝缘体上硅层上形成微环谐振器，其中，所述微环谐振器包括环形波导和直线波导，所述直线波导对应所述环形波导的中心位置开设气孔，本发明可输出高性能Fano线性，在具有连续传播模式的直线波导中插入气孔，从而产生相位突变，然后与具有离散传播模式的环形波导进行耦合，进而产生Fano共振，通过调制微环谐振器上GST相变材料折射率，利用Fano
一种基于相变材料混合 fano 共振调制器调制系统

[发明专利]一种基于Fano共振纳米光波导加速度计制备方法-CN201810133315.1有效
发明人：闫树斌;张彦军;韵力宇;李云超;张志东;崔建功;李国洪;冯登超;胡旭文 -专利权人：中北大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G01P15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Fano共振纳米光波导加速度计原理及制造工艺，具体属于光学领域和微光机电系统领域，具体为一种基于Fano共振纳米光波导加速度计制备方法。本发明提供了一种基于Fano共振纳米光波导加速度计制备方法，本发明以SOI材料作为敏感元件和基底材料，基于高Q光学微环腔高灵敏的特点，以及SOI材料高折射率、光学限制能力强、传输损耗小、易集成等优点，采用集成纳米光波导工艺，提出基于Fano共振的纳米光波导加速度计，通过力‑光耦合效应实现具有高灵敏抗冲击特性的光学加速度计。
一种基于 fano 共振纳米波导加速度计制备方法

[发明专利]多个纳米棒二聚体阵列结构、其制造方法、激发其Fano共振的方法及包含其的光学传感器-CN201610259769.4有效
发明人：王俊俏;张佳;牧凯军;臧华平;范春珍;陈述;田勇志;梁二军 -专利权人：郑州大学
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明通过公开一种多个纳米棒二聚体阵列结构、其制造方法、激发其Fano共振的方法以及包含其的光学传感器。在该结构中，选用了合适的折射率、横向间隙、纵向间隙和长度，从而使得结构具有很好的Fano共振特性，并在电场偏振方向与纳米棒长轴方向平行的入射光垂直作用下，其Fano共振被强烈激发；使用该结构的光学传感器可以极大地提高灵敏度
光学传感器共振阵列结构二聚体纳米棒激发纳米棒长轴垂直作用方向平行共振特性横向间隙影响作用纵向间隙电场灵敏度入射光折射率偏振制造

[发明专利]一种基于Fano共振的自脉冲和连续输出型硅基集成半导体激光器及其制备方法-CN202110480999.4有效
发明人：李俣;赵英明;黄卫平 -专利权人：山东大学;齐鲁工业大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Fano共振的自脉冲和连续输出型硅基集成半导体激光器及其制备方法，激光器包括衬底及设置在衬底上自左向右依次设置的布拉格反射镜、第一锥形波导、III‑V族多量子阱有源区、第二锥形波导和Fano反射镜；Fano反射镜包括直波导和微环波导；微环波导上覆盖石墨烯形成饱和吸收；通过在微环波导与直波导耦合区设计部分透过单元，产生Fano共振，实现在1550nm光通信C波段的自脉冲和连续两种工作模式，能够适用多重应用场景
一种基于 fano 共振脉冲连续输出型硅基集成半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种测量Fano共振传感器检测极限的装置及方法-CN201811174816.0有效
发明人：黄田野;赵翔 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N21/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量Fano共振传感器检测极限的装置及方法，装置包括激光器、准直物镜、偏振器、传感器、检偏器、聚焦物镜和光谱仪，所述传感器包括耦合棱镜、Au膜、Cytop膜、TiO2相对于其它的偏振测量装置，本发明采用表面等离子体极化模式，以及在多层介质中形成的平面波导模式耦合产生Fano共振，进一步提升等离子体传感器的检测极限；用一个偏振器代替原来两个偏振器，结构更为简单，更重要的是，采用一种测量Fano共振传感器的方法分析反射光的偏振作用，用偏振函数取代传统的反射光强度检测，Fano共振传感器的检测极限有了显著地提高。
一种测量 fano 共振传感器检测极限装置方法

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