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- [发明专利]光电转换元件-CN200980160181.1有效
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须藤裕之
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丰田自动车株式会社
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2009-07-23
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2012-05-23
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H01L31/04
- 、以及与n层连接的第二电极,i层包括由第一半导体构成的壁层以及由配置在该壁层中的第二半导体构成的量子结构部,第一半导体的带隙比第二半导体的带隙宽,在将i层的厚度方向中央能够含有的n型杂质的浓度设为Cn1、将i层的p层侧区域能够含有的n型杂质的浓度设为Cn2、将i层的厚度方向中央能够含有的p型杂质的浓度设为Cp1、以及将i层的n层侧区域能够含有的p型杂质的浓度设为Cp2时,Cn1<Cn2和/或Cp1<Cp2
- 光电转换元件
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