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- [发明专利]低温多晶硅基板的制作方法及低温多晶硅基板-CN201910995575.4在审
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聂晓辉
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武汉华星光电技术有限公司
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2019-10-18
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2020-02-25
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H01L21/77
- 本发明提供一种低温多晶硅基板的制作方法及低温多晶硅基板。本发明的低温多晶硅基板的制作方法，先在衬底基板上依次沉积形成缓冲层和非晶硅层，在非晶硅层和缓冲层上图案化形成多条沟槽，该多条沟槽将所述非晶硅层分隔成多个相互独立的单元格，然后再对所述非晶硅层进行退火处理以结晶形成多晶硅层，最后对该多晶硅层进行图案化处理，每一单元格对应形成一个有源层图案；本发明通过在非晶硅层和缓冲层上设置沟槽，在非晶硅层退火结晶形成多晶硅层的过程中为晶粒横向生长提供空间，从而能够降低多晶硅层的薄膜应力，避免多晶硅薄膜凸起，提高低温多晶硅制程的可靠性，进而提高TFT器件的电学性能。
- 低温多晶硅基板制作方法
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