专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]酸钾单晶及其制备方法-CN201310636441.6无效
  • 李均;李杨;周忠祥 - 哈尔滨工业大学
  • 2013-11-26 - 2014-02-26 - C30B29/30
  • 酸钾单晶及其制备方法,它涉及酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低酸钾晶体居里温度低,而用现有晶体生长方法无法得到富酸钾单晶的技术问题。本发明的富酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3,其中x=0.50~0.90。方法:将碳酸钾、碳酸、氧化和氧化粉末并混合均匀和球磨后,压片,然后预烧得到多晶片,再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料,在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后,得到富酸钾单晶。
  • 富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法
  • [其他]器件熔盐电解法制膜及产品-CN85101505无效
  • 刘寓中 - 华北光电技术研究所
  • 1985-04-01 - 1988-03-30 - C25D11/26
  • 本发明涉及在器件上熔盐电解制膜的工艺方法及产品。用熔融盐电化学反应在合金器件表面生成一层含有的含氧化合物的薄膜(如酸盐等),可改进器件的许多性能,膜的击穿电压达1500伏以上,表面硬度最高可达Hv700左右。可以改善合金器件的使用效果,扩大的应用范围。用于喷丝板,减少堵孔提高纤维质量。还可应用于石油化工上的制器件,薄膜热探测器的衬底及制作抗磨弹性元件等。
  • 器件电解法制产品
  • [其他]器件熔盐电解法制膜及产品-CN101985000001505在审
  • 刘寓中 - 华北光电技术研究所
  • 1985-04-01 - 1988-03-30 -
  • 本发明涉及在器件上熔盐电解制膜的工艺方法及产品。用熔融盐电化学反应在合金器件表面生成一层含有的含氧化合物的薄膜(如酸盐等),可改进器件的许多性能,膜的击穿电压达1500伏以上,表面硬度最高可达Hv700左右。可以改善合金器件的使用效果,扩大的应用范围。用于喷丝板,减少堵孔提高纤维质量。还可应用于石油化工上的制器件,薄膜热探测器的衬底及制作抗磨弹性元件等。
  • 器件电解法制产品
  • [发明专利]一种铒镱双掺酸钾单晶的提拉制备方法-CN201010598266.2无效
  • 李磊;周忠祥;杜艳伟;田浩 - 哈尔滨工业大学
  • 2010-12-21 - 2011-06-08 - C30B15/00
  • 一种铒镱双掺酸钾单晶的提拉制备方法,它涉及一种单晶的制备方法。本发明的目的是提供一种铒镱双掺酸钾单晶的提拉制备方法。制备方法如下:用无水乙醇将碳酸钾、碳酸、氧化、氧化、氧化铒和氧化镱的混合物的粉末研磨至无水乙醇挥发完全,然后放入铂金坩埚中,将铂金坩埚放入晶体生长炉内,进行晶体生长,即得铒镱双掺酸钾单晶。本发明利用提拉法成功生长铒镱掺杂酸钾单晶,并且能够实现铒镱掺杂酸钾单晶的可控生长;另外该方法相对工艺比较简单,不使用专用设备,不需要特殊气氛生长,对环境无污染,本发明方法对于铒镱掺杂酸钾单晶的大规模制备和全固态短波长激光器的应用起到了重要的推动作用
  • 一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶制备方法
  • [发明专利]一种用于薄膜波导的耦合方式及其实现方法-CN201610518118.2在审
  • 华平壤;陈朝夕 - 派尼尔科技(天津)有限公司
  • 2016-06-30 - 2016-11-23 - G02B6/30
  • 本发明公开了一种用于薄膜波导的耦合方式及其实现方法,包括单模光纤、氧化波导光栅、纳米线波导、二氧化硅缓冲层和硅衬底,其中,二氧化硅下包层可以采用热氧化的方式;薄膜层直接键合在二氧化硅缓冲层表面在薄膜表面制备氧化波导和光栅结构,最后将经过特殊抛磨的单模光纤直接压在氧化波导表面。光信号可以直接从单模光纤进入氧化薄膜波导然后通过氧化光栅耦合到薄膜波导中。本发明解决了在表面很难直接刻蚀光栅的难题,相比于端面耦合,难度大大降低;同时采用抛光后的普通光纤直接与基片压合的方式,在机械强度上有很大提高,不易受温度变化影响,提高了纳米级薄膜材料的耦合效率
  • 一种用于铌酸锂薄膜波导耦合方式及其实现方法
  • [发明专利]一种晶片的黑化方法-CN201810932998.7有效
  • 沈丽明;郭国标;吉成;王一峰;何大方;暴宁钟 - 江南石墨烯研究院
  • 2018-08-16 - 2021-08-31 - C30B33/02
  • 本发明涉及晶体材料后处理领域,特别涉及一种晶片的黑化方法。本发明采用强还原性粉末与碳酸粉末按照一定质量比机械球磨,均匀混合后得到复合还原剂;将待处理的晶片放入坩埚中并填充复合还原剂;然后将其置于气氛炉中,在保护气体气氛中,以8~12℃/min升温速率将晶片加热至300~380℃并恒温保持0.5~1.2 h;自然冷却后取出即得黑片。通过本发明制备的黑片,在不影响压电性能的前提下,电阻率下降了2~3个数量级,热释电效应明显减弱。本发明采用的晶片的黑化方法时间短、温度低、效率高,适合于工业化生产。
  • 一种铌酸锂钽酸锂晶片方法

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