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[发明专利]一种金属/离子过滤层、其制备方法及其在电池中的应用-CN201810608692.6有效
发明人：任飞鸿;彭哲;王木钦;林欢;李振东;王德宇 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本申请公开了一种可应用于电池的金属/离子过滤层，所述金属/离子过滤层为多层堆叠材料。所述离子/金属过滤层可以增大金属沉积的过电位，过滤整合离子和金属，隔绝新鲜金属与电解液接触产生副反应，金属只会在支撑结构表面沉积，而不在离子/金属过滤层表面沉积。
一种金属离子过滤制备方法及其电池中的应用

[发明专利]等离子体雾化沉积方法及设备-CN202210860169.9在审
发明人：谷旭;熊孝经;孟宪钊;王磊;余立滨;陈国超;农晓东;毕云杰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种等离子体雾化沉积方法及设备，所述等离子体雾化沉积设备包括雾化沉积舱、沉积器和至少一个等离子体源，其中，所述等离子体源的喷嘴设置于所述雾化沉积舱内，所述等离子体源用于向金属源喷射等离子体，以使得金属源在等离子体的作用下，雾化形成金属熔滴；所述沉积器设置于所述雾化沉积舱内，位于所述等离子体源的下方，用于接收雾化形成的所述金属熔滴，形成沉积坯锭。本申请解决了现有技术喷射沉积制备的坯锭的孔隙率较高的技术问题。
等离子体雾化沉积方法设备

[发明专利]三节拍式液基金属离子源电沉积微增材制造方法-CN202010490525.3有效
发明人：沈春健;朱荻;朱增伟 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明属于金属增材制造领域，涉及一种三节拍式液基金属离子源电沉积微增材制造方法。本发明的金属微增材制造过程包含若干周期，每个周期内分为三个节拍：金属离子源电沉积、外部离子水溶液更新以及微纳米移液管口与沉积金属间隙监测回路电流检测，制造过程中三个节拍独立工作和脉动切换，分别起到了金属生长、扩散金属离子清除、金属生长监测的作用。其中，金属离子源电沉积是在外部离子溶液中被极化的阴极表面构造金属离子源进行金属电沉积，外部离子水溶液更新能够及时清除电沉积阶段扩散的金属离子，抑制金属离子长距离、大范围扩散造成的金属杂散沉积，提高微结构件尺寸精度和表面质量，而独立的监测回路电流检测提高金属生长监测的正确性和稳定性，提升对微增材制造过程的控制能力，实现金属三维微结构的精密增材制造。
节拍基金离子源沉积微增材制造方法

[发明专利]离子束辅助沉积在抑制金属涂层元素界面互扩散中的应用-CN202110633029.3在审
发明人：吴护林;解志文;向林;高旭;公平;宁海青;陈永君;郭锋;苏艳;高诗情;邢志辉;刘鹏 -专利权人：中国兵器工业第五九研究所;辽宁科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供了离子束辅助沉积在抑制金属涂层元素界面互扩散中的应用，所述金属涂层为沉积在金属基体上的单一涂层或复合涂层，所述离子束辅助沉积是在涂层沉积过程中进行离子束轰击。本发明方案属于离子束辅助沉积新应用的基础研究，能够使得金属基体与涂层、涂层与涂层之间的元素界面扩散在一定程度上被较好地抑制，为离子束辅助沉积在抑制金属涂层元素界面互扩散中的应用提供了更多地可能。
离子束辅助沉积抑制金属涂层元素界面扩散中的应用

[发明专利]一种过渡金属硼化物涂层及其制备方法-CN201410635526.7有效
发明人：唐永炳;蒋春磊 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种过渡金属硼化物涂层及其制备方法，方法包括：将基底待沉积表面进行离子轰击清洗；将离子轰击清洗后的基底表面上用电弧离子镀形成过渡金属层；用磁控溅射与电弧离子镀共沉积的复合镀膜技术在过渡金属层上形成过渡金属硼化物涂层本发明中采用通过磁控溅射与电弧离子镀相结合的MS/AIP复合沉积工艺，得到通过过渡金属层与基底表面结合的过渡金属硼化物涂层MBx；其中过渡金属层通过电弧离子镀进行沉积，具有高的离化率和粒子能量，在沉积过程中由于负偏压的作用，可以对基底表面进行有效的离子轰击，提高了沉积粒子的动能，使表面不断沉积的粒子与表层原子发生冶金结合，最终使基底表面和沉积的过渡金属硼化物涂层MBx的结合力大大提升。
一种过渡金属硼化物涂层及其制备方法

[发明专利]柔性电子学基材及其制备方法和制备系统-CN202110117303.1在审
发明人：刘圆圆;吕沙沙;程建平;张少君;廖斌;仇猛淋 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：制备方法包括：对基底进行预处理；对预处理过的基底表面进行离子注入第一金属；对第一金属离子注入的基底表面进行沉积第一金属；对第一金属沉积的基底表面进行沉积第二金属。制备系统包括：预处理装置，用于对基底进行预处理；离子注入装置，用于对预处理过的基底表面进行离子注入第一金属；第一沉积装置，用于对第一金属离子注入的基底表面进行沉积第一金属；第二沉积装置，用于对第一金属沉积的基底表面进行沉积第二金属
柔性电子学基材及其制备方法系统

[发明专利]一种高性能钠离子电池负极及其制备方法-CN201810118913.1在审
发明人：高云智;田宇;付传凯;曹毅;石坚 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：一种高性能钠离子电池负极及其制备方法，属于锂离子电池制备技术领域。所述钠离子电池负极由金属钠、负极极片活性材料、负极集流体和导电剂组成。所述方法如下：将负极极片活性材料置于物理气相沉积的腔体内作为沉积基底；将待沉积金属钠制成靶材置于腔体内进行固定，作为沉积层金属源；设置物理气相沉积参数，真空状态下利用物理气相沉积方法在负极极片活性材料表面沉积一层金属钠本发明通过在负极极片活性材料表面沉积一层金属钠，减少正极材料中活性钠离子的损失，提高钠离子电池首次库伦效率，本发明提供的钠离子电池负极预钠化的方法，安全、实用，且操作简便。物理气相沉积金属薄层，数控操作，安全高效，适用于大规模生产。
钠离子电池物理气相沉积负极负极极片金属钠沉积活性材料表面活性材料制备体内首次库伦效率制备技术领域负极集流体锂离子电池沉积金属金属薄层数控操作真空状态正极材料沉积层导电剂金属源钠离子靶材基底钠化安全

[发明专利]一种基于PVD制备全固态锂离子电池用薄层金属锂基负极的方法-CN201511011121.7在审
发明人：高云智;付传凯 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PVD制备全固态锂离子电池用薄层金属锂基负极的方法，其步骤如下：一、将商业化锂离子电池负极用集流体铜箔表面清洁后，置于物理气相沉积的腔体内作为沉积基底；二、将待沉积金属锂源和保护层金属源分别制成靶材置于腔体内，作为沉积层金属源；三、设置物理气相沉积参数，真空状态下，利用PVD方法在铜箔表面依次沉积金属锂基负极材料沉积层和保护金属层，沉积层厚度由沉积时间控制。本发明采用物理气相沉积（PVD）方法制备在负极集流体铜箔表面沉积薄层金属锂基负极材料，在薄层金属锂基负极材料表面沉积薄层金属保护层，该方法能极大地增强了全固态锂离子电池生产过程中的安全性，提升了全固态锂离子电池的极限能量密度
一种基于 pvd 制备固态锂离子电池薄层金属负极方法

[发明专利]一种刀具涂层及其沉积方法-CN202010198939.9有效
发明人：廖斌;欧阳潇;欧阳晓平;罗军;陈琳;庞盼;张旭;吴先映;英敏菊 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种刀具涂层及其沉积方法，其中，刀具涂层的沉积方法包括以下步骤：在惰性气体中，在刀具基体上沉积金属离子形成金属过渡层；在金属过渡层上依次沉积金属离子、金属碳化物、碳离子形成单元涂层；循环步骤2S若干次；在所述单元循环涂层表层沉积SP3键渐变的碳离子形成渐变碳膜层。本发明对在微型刀具上沉积超厚碳膜的沉积方法进行优化，在刀具表面沉积金属过渡层、单元循环沉积、sp3键不断升高的渐变碳膜层，涂层与刀具结合力大于30N，膜层厚度可高至15微米，硬度大于50Gpa。
一种刀具涂层及其沉积方法

[发明专利]调整电解质中离子浓度的方法和装置-CN200610081384.X无效
发明人：阿克塞尔·柯尼希;安德烈亚斯·默比乌斯;弗朗茨－约瑟夫·斯塔克 -专利权人：恩索恩公司
申请日： 2006-05-24 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： C25D21/18 文献下载
摘要：本发明涉及调整用于在基底上沉积金属的电解质中待沉积金属的离子浓度的方法以及装置。根据本发明，使电解质和交换液体通过阳离子交换膜或微孔膜相互接触，使得存在于交换液体中的待沉积金属的离子通过唐南渗析经阳离子交换膜或微孔膜迁移至电解质中，由此可以调整电解质中待沉积金属的离子浓度，而不改变电解质的阴离子浓度或阴离子组成
调整电解质离子浓度方法装置

[发明专利]一种类金刚石镀膜过程中金属打底的工艺-CN201410193574.5无效
发明人：李灿民;陶满 -专利权人：合肥永信等离子技术有限公司
申请日： 2014-05-02 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种类金刚石镀膜过程中金属打底的工艺，包括等离子体清洗、金属网罩等离子沉积/金属有机物蒸汽输入沉积两步组成。等离子体清洗是将Ar，Kr等稀有气体充入真空罐体中，在工件上施加高压产生稀有气体的等离子体。金属网罩等离子沉积是将纯Ti、Cr等金属片和工件一起置于金属网罩内进行镀膜，高能量的等离子体会轰击纯Ti、Cr，使这些金属元素产生溅射或者逸出效应，可以在工件表面沉积一层薄薄的Ti、Cr的金属打底层。金属有机物蒸汽输入沉积是将含有Ti、Cr等金属元素的有机物液体置于外接金属罐内，通过加热使其变成蒸汽后通入真空罐内，在离子轰击作用下蒸汽会变成等离子体，从而在工件表面形成金属打底层。
种类金刚石镀膜过程金属打底工艺

[发明专利]离化率检测装置及方法-CN201310695110.X在审
发明人：边国栋;邱国庆;丁培军;王厚工 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种离化率检测装置和方法，其包括离子沉积速率检测单元和总沉积速率检测单元；总沉积速率检测单元用于通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；离子沉积速率检测单元用于检测溅射粒子中离子的沉积速率，其包括导电金属片、隔离件、电流检测装置及直流电源；导电金属片置于被加工工件上；隔离件用以将导电金属片与外界电绝缘；隔离件的位于导电金属片上方的位置处设有竖直的通孔；直流电源用以向导电金属片加载负偏压；电流检测装置用于检测电路上的电流；根据电流进行计算而获得溅射粒子中离子的沉积速率，并通过计算溅射粒子的离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。
离化率检测装置方法

[发明专利]一种离子液体电沉积金属钴的方法-CN200610010063.0无效
发明人：杨培霞;安茂忠 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C25C1/08 文献下载
摘要：一种离子液体电沉积金属钴的方法，它涉及一种离子液体电沉积金属的方法。它解决了目前用含EMIC的离子液体电沉积钴的方法在基体表面容易形成合金沉积层的缺陷。本发明的离子液体电沉积金属钴的方法按以下步骤进行：(一)EMIC、无水氯化钴和有机醇按1∶0.3～2∶2.5～18的摩尔比混合；(二)将基体放入离子液体电沉积液，采用电流密度为30～150A/m²、温度为60～100℃的恒电流电沉积，阳极不与离子液体电沉积液发生化学反应，阳极与基体间的距离为1～10cm；(三)将带有电沉积层的基体从离子液体电沉积液中取出后依次用乙醇和蒸馏水冲洗，再经过干燥，即在基体表面得到钴沉积层；其中步骤(一)在真空手套箱中进行。本发明可在基体上电沉积得到均匀的、具有金属光泽的纯钴沉积层。
一种离子液体沉积金属方法

[发明专利]一种用于测量等离子体沉积的动态压阻探针-CN201910986478.9有效
发明人：汤海滨;章喆;许舒婷;张尊;曹晋滨 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：一种用于测量等离子体沉积的动态压阻探针，使用接触式测量方法对金属推进剂电推力器束流等离子体的沉积情况进行测量的动态压阻探针。测量对象为电推进领域的金属工质锂推力器，测量离子沉积率。采用了一个恒流源通在并联的两块不同材质的金属板上，将等离子体沉积在金属表面产生的电阻率变化的差异采集并建立模型计算，最终获得等离子体的沉积率。
一种用于测量等离子体沉积动态探针

[发明专利]一种铝溶胶和金属镍离子共沉积的方法-CN201310364989.X有效
发明人：周琦;曾齐 -专利权人：沈阳理工大学
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C25D3/12 文献下载
摘要：一种铝溶胶和金属镍离子共沉积的方法，包括下列步骤：第一步、前处理。第二步、铝溶胶和金属镍离子的电镀-电泳共沉积。在镀镍液中加入铝溶胶，制成铝溶胶和金属镍离子共沉积的镀镍液。将前处理后的工件放入铝溶胶和金属镍离子共沉积的镀镍液中，进行电镀-电泳共沉积，在工件表面得到金属镍和铝溶胶的共沉积复合膜。第三步、用流动自来水冲洗工件，然后烘干。在镀镍液中加入铝溶胶进行电镀，可以得到亮度高的铝溶胶和金属镍的共沉积复合膜，并且降低了起镀温度，节约了能源。
一种溶胶金属离子沉积方法

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