专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像优化方法、装置、设备及存储介质-CN202210103415.6在审
  • 朱磊 - OPPO广东移动通信有限公司
  • 2022-01-27 - 2022-04-29 - G06T5/00
  • 上述方法通过将第i像素点的原始色彩数据分别输入标准色彩校正矩阵和高饱和度色彩校正矩阵进行运算,得到第i像素点的第一色彩数据和第二色彩数据;可以根据第i像素点的第一色彩数据和第二色彩数据更新高饱和度色彩校正矩阵,使高饱和度色彩校正矩阵在针对高饱和度色彩进行优化时,可以将超出色域范围外的原始色彩数据的参数调整回色域范围之内,同时避免过度降低饱和度,从而在改善偏色现象时避免饱和度色彩失真,提高高饱和度色彩的自然感;配合标准色彩校正矩阵对非高饱和度色彩进行优化,提高非高饱和度色彩的色彩表现,进而提升图像整体的色彩表现。
  • 图像优化方法装置设备存储介质
  • [实用新型]一种消毒剂发生器的配置饱和盐水装置-CN202020659209.X有效
  • 樊建明;何兆锋 - 上海敖科环境科技有限公司
  • 2020-04-26 - 2021-01-26 - B01F1/00
  • 本实用新型公开了一种消毒剂发生器的配置饱和盐水装置,包括清水箱、盐箱、饱和盐水箱,清水箱内设置有清水腔、盐箱内设置有盐腔、饱和盐水箱内设置有饱和盐水腔,盐腔设置在清水腔和饱和盐水腔之间,盐腔、清水腔、饱和盐水腔三者的底部相导通,盐腔储存有盐,盐沉淀至盐腔的底部;当清水腔内加入清水后,清水经过盐水腔底部并不断溶解盐水腔内的盐后进入至饱和盐水腔内并流出至饱和盐水腔的上端形成饱和盐水。本实用新型从盐的上面取饱和盐水,不存在盐粒掺入饱和盐水的隐患;避免了从底部取饱和盐水的过滤装置及管道的接头与阀门的故障隐患。
  • 一种消毒剂发生器配置饱和盐水装置
  • [发明专利]电感性电抗器-CN201010128604.6无效
  • 廖洋;田质 - 上海东沪电器自动化设备厂
  • 2010-03-19 - 2010-08-18 - H01F17/04
  • 一种安装式电感型电抗器,包括芯体、围绕芯体的线圈以及包裹线圈的磁盒,磁盒的数目至少为两个进行配合密闭并沿着磁芯体纵轴的方向依次堆叠放置,所述芯体采用抗磁饱和性材料及结构构成。本发明的优点在于,采用密闭磁盒的结构,在额定工频大电流励磁状态下,对外界不产生漏磁,目的在于避免发生磁饱和现象的同时,对外界不会产生因漏磁而引起的电磁干扰。本发明还采用了抗磁饱和性材料作为部分芯体介质,进一步避免芯体中产生耦合磁场并在大电流下发生磁饱和,综合以上两点,本发明所揭露的电感性电抗器器能够有效地避免在大电流下发生磁饱和现象,从而获得很宽的电抗线性范围
  • 感性电抗
  • [实用新型]一种不饱和树脂代木储存设备-CN202023350104.5有效
  • 胡勇;赵立前 - 盐城市华研复合材料有限公司
  • 2020-12-31 - 2021-10-22 - B65D25/02
  • 本实用新型公开了一种不饱和树脂代木储存设备,包括箱体、铰链、箱盖、圆槽、拉环、滑杆、内槽、滑块、板框和软垫。本实用新型的有益效果是:通过软垫的设置,使得不饱和树脂之间不会发生相对摩擦,有利于不饱和树脂的长期放置和运输,且软垫本身可以采用橡胶等材质,来提高与不饱和树脂之间的相对摩擦系数,从而使不饱和树脂放置在软垫上时,即便处于运输过程也能因静摩擦力大而不会晃动,从而避免运输过程中不饱和树脂与储存设备内壁碰撞而损坏,通过放置盒的设置,就可以在放置盒内放置除味剂,有害气体通过纱网进入到放置盒内而被除味剂所吸收,避免了不饱和树脂放在设备内后虽然设备外无气味但设备内有害气体气味浓烈的问题
  • 一种不饱和树脂储存设备
  • [发明专利]一种无线网状网络的通信方法和移动接入点-CN200910090562.9有效
  • 吴蔷;缪琛;刘岸淘 - 杭州华三通信技术有限公司
  • 2009-08-27 - 2010-02-24 - H04W84/00
  • 本发明提供了一种无线网状(MESH)网络的通信方法和移动接入点(MP),当移动MP接收到固定MP的信号质量大于或等于预设的饱和信号质量时,使该移动MP与该固定MP之间的MESH链路进入饱和状态,仅维持MESH链接的连接状态,而不将其拆除,使得MESH连接在饱和区间过后能够进入非饱和状态,并在满足切换条件的情况下迅速切换为主用链路,避免了重建与该固定MP的MESH链接所消耗的探测和协商时间,从而保证数据传输质量并且,主用链接始终在处于非饱和状态的MESH链接中选取,即饱和状态的MESH链接必须先成为备用链接才可能进一步切换为主用链接,能够有效地避免主用链路的频繁切换。
  • 一种无线网状网络通信方法移动接入
  • [发明专利]一种基于硅衬底的抗过饱和溢出CCD结构-CN202311142254.2在审
  • 杨洪 - 中国电子科技集团公司第四十四研究所
  • 2023-09-05 - 2023-10-24 - H01L27/148
  • 本发明涉及一种基于硅衬底的抗过饱和溢出CCD结构,属于电子电路领域。该结构由抗过饱和溢出栅、抗过饱和溢出势垒、抗过饱和溢出漏和沟阻构成;抗过饱和溢出势垒位于抗过饱和溢出栅下0.5μm位置,抗过饱和溢出漏位于抗过饱和溢出栅一侧,CCD垂直转移沟道位于抗过饱和溢出栅另一侧,CCD垂直转移沟道在强光下产生的过饱和信号越过抗过饱和溢出势垒进入抗过饱和溢出漏,避免饱和信号溢出至临近CCD垂直转移沟道;在N型硅衬底之上,通过注入能量为2MeV高能注入B+离子高温推结形成深度约5μm的深P阱;N型衬底施加5V的正向偏置电压,确保N型衬底不会倒灌信号至CCD垂直转移沟道;有利于降低抗过饱和溢出电压。
  • 一种基于衬底过饱和溢出ccd结构

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