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[发明专利]可调输出电流的薄膜晶体管-CN202310390524.5在审
发明人：臧春和;王斌;何天琦;谢尚策 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调输出电流的薄膜晶体管，包括呈水平圆周转动的第一绝缘柱、套设于第一绝缘柱外并与第一绝缘柱同轴的第二绝缘柱和多个金属栅极叶片；每个金属栅极叶片的一端与第一绝缘柱的轴线连接，另一端设置有多个高介电常数的栅极绝缘介质层；每个金属栅极叶片上的栅极绝缘介质层的数量相同，位置对应，使同一水平线上，每个金属栅极叶片上均具有栅极绝缘介质层；位于同一水平线上的栅极绝缘介质层的材质不同；第二绝缘柱的内壁设置有半导体薄膜以及与半导体薄膜连接的源极和漏极，半导体薄膜与栅极绝缘介质层位于同一水平线上。本发明可通过第一绝缘柱的转动，改变栅极绝缘介质层的材质控制输出电流的大小，其控制更为精确且操作简单。
可调输出电流薄膜晶体管

[发明专利]一种用于高电位隔离设备上的冷却介质输运结构-CN201710704498.3在审
发明人：陈立华;崔保群;马鹰俊;唐兵;黄青华;马瑞刚;连钢;柳卫平 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高电位隔离设备上的冷却介质输运结构，属于加速器设备冷却技术领域，其包括由上行绝缘管和下行绝缘管构成的冷却介质输运通道、横向水平布置的绝缘支撑柱、多个间隔竖直设置在所述绝缘支撑柱上的绝缘支撑板以及用于将所述上行绝缘管和下行绝缘管固定在所述绝缘支撑板上的固定管夹，所述上行绝缘管和下行绝缘管呈对称布置在所述绝缘支撑柱两侧。工作时，冷却介质从位于地电位的上行绝缘管进入口进入后，沿着上行绝缘管输运到高电位，冷却介质流经冷却设备冷却后，介质温度增高，回流入位于高电位的下行绝缘管入口，再沿下行绝缘管回流到地电位，实现高电位和地电位间的介质输运
一种用于电位隔离设备冷却介质输运结构

[实用新型]一种用于高电位隔离设备上的冷却介质输运结构-CN201721028286.X有效
发明人：陈立华;崔保群;马鹰俊;唐兵;黄青华;马瑞刚;连钢;柳卫平 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于高电位隔离设备上的冷却介质输运结构，属于加速器设备冷却技术领域，其包括由上行绝缘管和下行绝缘管构成的冷却介质输运通道、横向水平布置的绝缘支撑柱、多个间隔竖直设置在所述绝缘支撑柱上的绝缘支撑板以及用于将所述上行绝缘管和下行绝缘管固定在所述绝缘支撑板上的固定管夹，所述上行绝缘管和下行绝缘管呈对称布置在所述绝缘支撑柱两侧。工作时，冷却介质从位于地电位的上行绝缘管进入口进入后，沿着上行绝缘管输运到高电位，冷却介质流经冷却设备冷却后，介质温度增高，回流入位于高电位的下行绝缘管入口，再沿下行绝缘管回流到地电位，实现高电位和地电位间的介质输运
一种用于电位隔离设备冷却介质输运结构

[发明专利]一种分段绝缘多相柱中频变压器及级联式电力电子变压器-CN202011210793.1有效
发明人：庄加才;徐君 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01F27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种分段绝缘多相柱中频变压器及级联式电力电子变压器，该分段绝缘多相柱中频变压器包括：多个磁柱、多个级联绕组和多个并联绕组；级联绕组与并联绕组之间由绝缘介质实现隔离，至少两个级联绕组共用同一绝缘介质进行封装，从而避免绝缘介质的浪费，提高分段绝缘多相柱中频变压器的功率密度，降低分段绝缘多相柱中频变压器的成本。并且，全部绕组分别设置于至少三个磁柱上，以将分段绝缘多相柱中频变压器的总功率分担至不同磁柱上；设置有绕组的各个磁柱分别属于不同的磁芯，使得单一磁路中传递的功率适中，改善了大功率中频变压器的散热情况，便于工程化实现
一种分段绝缘多相中频变压器级联电力电子变压器

[实用新型]一种快速安装的动力电池包装置-CN202022641771.2有效
发明人：陈梓山;胡淼;陈雨;李欣;张颖 -专利权人：上海凌云工业科技有限公司凌云汽车技术分公司;上海凌云工业科技有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01M50/204 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种快速安装的动力电池包装置，包括绝缘壳体、电池、动力电缆、散热盖板，所述绝缘壳体内部填充有冷却介质，电池安装固定于绝缘壳体内部且浸没于冷却介质液面以下；绝缘壳体上部开口，散热盖板盖在绝缘壳体上部开口处；绝缘壳体由纤维增强聚丙烯复合材料制成；绝缘壳体具有优良的电绝缘性和耐蚀性，用于电池的安装固定和冷却介质的存储；还包括接线柱，接线柱在绝缘壳体内的部分通过导线与电池正负极连接，接线柱在绝缘壳体外的部分与动力电缆连接通过沉浸式冷却提高电池的散热效率以及均匀性；整个电池包仅通过接线柱与外部连接，拆装过程十分简便；电池浸没在绝缘冷却介质中，电池着火的风险显著降低。
一种快速安装动力电池装置

[发明专利]一种ISI结构的二维光子晶体电磁辐射防护装置-CN201510908212.4有效
发明人：万勇;李长红;季钟;邹健;李梦雪 -专利权人：青岛大学
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H04K3/00 文献下载
摘要：本发明属于电磁防护技术领域，涉及一种ISI结构的二维光子晶体电磁辐射防护装置，ISI整体结构设置在迷彩层和附着层之间，ISI整体结构为单层、双层或多层ISI光子晶体结构，ISI光子晶体结构包括上层绝缘体、半导体介质柱、中间绝缘体和底层绝缘体；上层绝缘体和底层绝缘体之间设有均匀分布的半导体介质柱，半导体介质柱之间通过中间绝缘体填充，半导体介质柱的高度大于2mm，厚度大于5mm；其结构简单，机理明确，内容新颖
一种 isi 结构二维光子晶体电磁辐射防护装置

[实用新型]小型陶瓷天线-CN202121846074.9有效
发明人：罗昌桅;卢冠宇;谭金刚;王莉莉;刘楠 -专利权人：嘉兴佳利电子有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及小型陶瓷天线，包括绝缘叠层体，绝缘叠层体的两端分别设有第一外电极和第二外电极，绝缘叠层体由多层绝缘介质层叠层形成，且由上至下依次为两层附着上部金属线路的绝缘介质层A，两层附着下部金属线路的绝缘介质层B，两层绝缘介质层A、两层绝缘介质层B以及绝缘介质层A与绝缘介质层B之间均设有带有金属过孔柱的绝缘介质层C，上部金属线路、下部金属线路均通过金属过孔柱连通，上方的绝缘介质层A的上部还设有顶部绝缘层，且上方的绝缘介质层A上的上部金属线与顶部绝缘层上的第一外电极和第二外电极连接，绝缘介质层C的底部设有底部绝缘层。
小型陶瓷天线

[发明专利]弹性连接器及其制备方法-CN202310531153.8在审
发明人：吕英飞;笪余生;肖晖;卢茜;杜顺勇;刘军;岳玲玲 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01R43/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种弹性连接器及其制备方法，弹性连接器制备方法包括：制备绝缘介质板；制备第一膜体和第二膜体，以使第一膜体和第二膜体分别与绝缘介质板的两侧贴合；在第一膜体、绝缘介质板和第二膜体上开设若干通孔；向通孔中填充导电橡胶，以制备导电橡胶柱；去除第一膜体和第二膜体；另外，弹性连接器采用上述弹性连接器制备方法制备而成。本发明在制备弹性连接器时，导电橡胶柱的尺寸、导电橡胶柱两端与绝缘介质板之间的距离以及导电橡胶柱在绝缘介质板上的位置等关键参数均可以调控，有利于满足工业化生产要求。
弹性连接器及其制备方法

[发明专利]一种高硅铝合金转接板及其制备方法-CN202010002829.0有效
发明人：高求;曹向荣;王立春;陈靖;赵涌;吴伟伟;罗燕;周义 -专利权人：上海航天电子通讯设备研究所
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硅铝合金转接板及其制备方法，该转接板包括基板、连接柱阵列以及填充在所述连接柱阵列与所述基板的缝隙中的绝缘介质层，所述连接柱阵列为由所述基板通过激光垂直通孔技术加工而成的，所述基板和所述连接柱阵列为高硅铝合金，所述绝缘介质层为玻璃介质，所述连接柱阵列的连接柱与所述绝缘介质层同轴，所述连接柱、所述玻璃介质与所述基板具有同样的高度。采用本发明提供的方法制备的转接板结合界面牢固、可靠、气密性好，由于盲孔中心连接柱本身具备导电性，可直接用于电气互联，可省去通孔金属化过程，简化了转接板制备工艺流程，降低了转接板制备的时间和成本。
一种铝合金转接及其制备方法

[实用新型]变压器及变压器骨架-CN202223376011.9有效
发明人：田年斌;伍旭要;凌彩萌 -专利权人：深圳市崧盛电子股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01F27/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及变压器及变压器骨架，变压器骨架包括用于供线组绕设的绕线柱、设置于绕线柱两端的第一阻挡结构以及第二阻挡结构；绕线柱包括第一侧以及与第一侧相背设置的第二侧；第一阻挡结构和/或第二阻挡结构上设置有第一通道，第一通道靠近第一侧设置，用于供绝缘介质从第一侧流入位于绕线柱上的线组；第一阻挡结构和/或第二阻挡结构上设置有第二通道，第二通道靠近第二侧设置，用于供绝缘介质从第二侧流入位于绕线柱上的线组。该变压器骨架通过设置第一通道，进而可供绝缘介质从第一侧流入位于绕线柱上的线组，并且通过设置第二通道，进而便于绝缘介质从第二侧流入位于绕线柱上的线组，从而使得绝缘介质可充分流入绕线柱上的线组。
变压器骨架

[发明专利]一种介质阻挡放电等离子体射流装置-CN201510471897.0有效
发明人：张建军;郭腾;韩明聪;孙九凤;杜绪兵;程平;李建权;黄正旭;高伟;周振 -专利权人：昆山禾信质谱技术有限公司;上海大学;广州禾信仪器股份有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质阻挡放电等离子体射流装置，包括绝缘介质柱、放电电极和供电电源；绝缘介质柱的轴心开有通孔，通孔作为介质腔；介质腔的一端为载气入口，另一端为等离子体喷射口；沿绝缘介质柱的外壁周向均匀分布有至少两个与放电电极相适配的扇形槽本发明通过把放电电极嵌入绝缘介质柱的扇形槽中保证了放电电极的同轴度，并增大了放电面积，提高了放电性能和放电效率，避免了放电不稳定现象；同时放电电极位于介质腔的外侧，避免了放电电极与离子源直接接触，进而防止放电电极在放电过程中因蒸发或溅射污染离子源
放电电极绝缘介质柱介质腔扇形槽介质阻挡放电等离子体供电电源射流装置放电通孔嵌入等离子体喷射放电过程放电效率放电性能外壁周向稳定现象污染离子载气入口离子源同轴度溅射适配蒸发保证

[发明专利]一种降低导通电阻的功率半导体器件及制造方法-CN201710536741.5有效
发明人：朱袁正;周锦程 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低导通电阻的功率半导体器件及制造方法，其特征在于：在超结结构的第一导电类型柱和第二导电类型柱之间设置第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层顶端在第二导电类型体区底部下方0µm至10µm处，且底端在第二导电类型柱底部上方0µm至10µm处，第二导电类型柱底部不存在第二绝缘介质层，且与第一导电类型漂移区连接；本发明超结结构中的第二绝缘介质层能够有效抑制第一导电类型柱和第二导电类型柱中的掺杂杂质互相扩散，降低第一导电类型柱和第二导电类型柱的电阻率
一种降低通电功率半导体器件制造方法

[实用新型]一种降低导通电阻的功率半导体器件-CN201720802726.6有效
发明人：朱袁正;周锦程 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种降低导通电阻的功率半导体器件，其特征在于在超结结构的第一导电类型柱和第二导电类型柱之间设置第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层顶端在第二导电类型体区底部下方0µm至10µm处，且底端在第二导电类型柱底部上方0µm至10µm处，第二导电类型柱底部不存在第二绝缘介质层，且与第一导电类型漂移区连接；本实用新型超结结构中的第二绝缘介质层能够有效抑制第一导电类型柱和第二导电类型柱中的掺杂杂质互相扩散，降低第一导电类型柱和第二导电类型柱的电阻率
一种降低通电功率半导体器件

[实用新型]一种利用于时延稳定的共腔容性耦合抽头组件-CN202121730934.2有效
发明人：梁永团;刘建平;曹凤杰 -专利权人：盐城东山通信技术有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本实用新型属于射频器件技术领域，尤其为一种利用于时延稳定的共腔容性耦合抽头组件，包括容置腔、谐振柱和容置腔小盖板，还包括绝缘介质A、L型金属片和绝缘介质B；所述L型金属片套接在所述绝缘介质A上；所述绝缘介质B为中心开孔的“凸”型构件，其套接在所述绝缘介质A上并位于所述L型金属片与所述容置腔小盖板之间；所述绝缘介质B的顶面带有齿状小凸点，且所述齿状小凸点过盈于所述容置腔；本实用新型的共腔容性耦合抽头组件，利用容置腔、谐振柱、容置腔小盖板、绝缘介质A、L型金属片和绝缘介质B，结构更稳定牢靠，装配更简单，不仅可以满足性能对端口时延的要求，还能提高端口时延的一致性，提高产品调试通过率。
一种利用稳定共腔容性耦合抽头组件

[实用新型]GIS局部放电监测装置-CN201520777121.7有效
发明人：孙晓凡;罗涛 -专利权人：四川菲博斯科技有限责任公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种GIS局部放电监测装置，该装置包括GIS壳体、盆式绝缘子、传感电极、检测阻抗、高通滤波器、放大器和测量仪，盆式绝缘子设置在GIS壳体上，传感电极包括介质基板、金属贴片和馈电柱，介质基板设置在盆式绝缘子内，金属贴片贴设在介质基板的上表面，馈电柱固定在介质基板中，馈电柱的一端与金属贴片相连接，馈电柱的另一端穿过介质基板的下表面，检测阻抗接在馈电柱的另一端与GIS壳体之间，检测阻抗与高通滤波器耦接，高通滤波器通过放大器连接所述测量仪
gis 局部放电监测装置

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