专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果5145个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种CS域呼叫终结系统和方法-CN200510093915.2有效
  • 段小琴;朱东铭;张海 - 华为技术有限公司
  • 2005-08-31 - 2007-03-07 - H04Q7/22
  • 本发明提供一种CS域呼叫终结系统和方法,其核心均为:已路由控制判定模块根据接收的呼叫发起消息中携带的信息确定出已进行过路由控制的呼叫,将该呼叫的已路由控制信息传输至后续呼叫流程控制模块,由后续呼叫流程控制模块根据已路由控制信息确定并执行该呼叫的后续呼叫流程本发明的CS域呼叫终结过程中的网络实体能够获知呼叫的已路由控制信息,避免了CS域呼叫终结流程中的重复路由控制、后续呼叫流程不明确的现象;本发明应用于呼叫连续性课题下的静态锚点方案时,明确了静态锚点方案中CS域呼叫终结流程,使呼叫能够正常地在CS域中接续;从而实现了完善CS域呼叫终结流程、增强域间呼叫可实现性、提高静态锚点方案实用性的目的。
  • 一种cs呼叫终结系统方法
  • [发明专利]实现QinQ路由终结的方法、交换芯片和交换机-CN201410244288.7有效
  • 黄米青 - 福建星网锐捷网络有限公司
  • 2014-06-04 - 2017-05-17 - H04L12/741
  • 本发明提供一种实现QinQ路由终结的方法、交换芯片和交换机,该方法包括ASIC接收待处理数据报文,数据报文中包括目的IP地址;ASIC查询路由表确定对应的下一跳信息,下一跳信息中包括输出接口、外层VLANID;ASIC根据输出接口和外层VLAN TAG确定是否需要为数据报文添加内层VLAN TAG;若需要添加内层VLAN TAG,则ASIC将与Class ID对应的内层VLAN TAG添加到数据报文中终结数据报文的路由处理通过该方案,ASIC路由输出的数据报文被打上双TAG,在ASIC上实现了路由终结的同时,由于ASIC的高速转发,使得路由终结的处理效率得到提高。
  • 实现qinq路由终结方法交换芯片交换机
  • [发明专利]用于意图推理的上下文无关文法的机器生成-CN201880089707.0在审
  • 李宝洁;顾海松 - 美的集团股份有限公司
  • 2018-11-23 - 2020-12-11 - G10L15/18
  • 一种用于生成用于意图推理的上下文无关文法的方法,包括:针对与待由机器执行的第一任务对应的可操作意图,通过编译器检索第一模板文件;使用编译器解析第一模板文件,以识别第一非终结符变量,第一非终结符变量引用包含多个第一命名实体值的第一非终结符文件;以及基于在第一模板文件中指定的、包括至少第一产生式规则的多个产生式规则,生成与第一任务对应的可操作意图的第一上下文无关文法,第一产生式规则包括第一非终结符变量,其中,生成与第一任务对应的可操作意图的第一上下文无关文法包括:通过用多个第一命名实体值替换第一产生式规则中的第一非终结符变量来重写第一产生式规则。
  • 用于意图推理上下文无关文法机器生成
  • [发明专利]高压集成电路、半导体电路及其制备方法-CN202111275737.0在审
  • 冯宇翔;潘志坚;谢荣才;张土明;左安超 - 广东汇芯半导体有限公司
  • 2021-10-29 - 2022-02-11 - H01L27/02
  • 本发明涉及一种高压集成电路、半导体电路及其制备方法,通过在P型衬底上设置有N外延层,N外延层包括N型高压区;N型高压区内设置有第一N+区;P型衬底内设置有第二N+区和P+区;HVJT终结端设置在N外延层上;HVNMOS管包括多晶硅栅、漏区、源区和体区;多晶硅栅设置在HVJT终结端的外侧,且与HVJT终结端电性连接;第一N+区形成漏区,第二N+区形成源区,P+区形成体区。当HVJT终结端处的静电电流达到阈值时,会向HVNMOS管的多晶硅栅输出一定电平,当该电平高于HVNMOS管的阈值电压时,HVNMOS管开始导通,静电电流从HVNMOS管释放到地,提高了HVIC在高压岛和低压区之间的ESD能力,避免了静电加载到高压端口和低压端口之间而造成HVJT终结端的击穿。
  • 高压集成电路半导体电路及其制备方法
  • [发明专利]曲线绘制方法和系统-CN201610308020.4有效
  • 薄景仁 - 广州视睿电子科技有限公司
  • 2016-05-09 - 2019-02-01 - G06T11/20
  • 查找上一次绘制的曲线段的终点坐标作为起始点的坐标,并将第一绘制点的坐标作为起始控制点的坐标;提取两个参考点的坐标中靠近第一绘制点的坐标作为终结控制点的坐标,提取另一参考点的坐标作为终结点的坐标。根据起始点的坐标、起始控制点的坐标、终结控制点的坐标和终结点的坐标进行贝塞尔曲线绘制,得到本次绘制的曲线段。终结点与绘制点之间的部分在下一次曲线绘制时完成,下一段曲线通过上一个绘制点调整曲线的角度,使得多条曲线的连接处光滑无锯齿,提高了曲线的平滑度。
  • 曲线绘制方法系统

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top