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[发明专利]全无机QLED显示器件及其制备方法-CN201710078219.7有效
发明人：刘代明;宋志成;刘卫东 -专利权人：青岛海信电器股份有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种全无机QLED显示器件及其制备方法，该全无机QLED显示器件包括：阳极，阴极和位于该阳极与该阴极之间的空穴传输层、电子传输层以及量子点发光层；该空穴传输层是由位于该阳极上的第一空穴传输层和位于该第一空穴传输层上的第二空穴传输层组成，该第一空穴传输层的材料为氧化钨，该第二空穴传输层的材料为氧化亚铜。
无机 qled 显示器件及其制备方法

[发明专利]空穴传输材料的修饰方法、发光器件及其制备方法-CN202010711473.8在审
发明人：姚振垒 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种空穴传输材料的修饰方法，包括以下步骤：获取聚合物空穴传输材料；采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，得到修饰后的空穴传输材料。本发明空穴传输材料的修饰方法，采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，提高聚合物空穴传输材料的功函数，有利于降低空穴传输层中空穴注入势垒，从而降低空穴传输层与量子点发光层之间价带的能级差，进而提高量子点发层中空穴的注入效率，提高量子点发光层中电子与空穴的复合效率，提高发光器件的发光效率和稳定性，延长使用寿命。
空穴传输材料修饰方法发光器件及其制备

[发明专利]发光装置-CN202211384760.8在审
发明人：宋恩惠;宣轸元;李东赞;李钟铉;田坪恩 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10K50/155 文献下载
摘要：该发光装置包括夹层，该夹层包括第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，其中第一空穴传输层包括第一空穴传输化合物和第一p‑掺杂剂化合物，第二空穴传输层包括第二空穴传输化合物和第二p‑掺杂剂化合物，第三空穴传输层包括第三空穴传输化合物并且不包括p‑掺杂剂，并且第二p‑掺杂剂化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能量的绝对值大于第一p‑掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值。
发光装置

[发明专利]发光器件及其制作方法-CN202011631277.6有效
发明人：朱佩 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：该发光器件包括第一电极、空穴传输层、界面层、量子点发光层以及第二电极，空穴传输层设置在第一电极上，界面层设置在空穴传输层上，界面层包含碳材料，量子点发光层设置在界面层上，第二电极设置在量子点发光层上。界面层的存在能够避免量子点溶液中的溶剂溶解空穴传输层材料，并且界面层良好的导电性降低了空穴传输层和量子点发光层之间的接触电阻，促进空穴的注入与传输，使得空穴和电子能够更好地在量子点发光层复合，提高发光器件的效率另外，界面层可以阻挡过量的电子在空穴传输层和量子点发光层之间的积累，抑制部分漏电子对空穴传输层的破坏，提高空穴传输层的稳定性，提高器件寿命。
发光器件及其制作方法

[发明专利]一种有机太阳能电池及其制作方法-CN201710898964.6在审
发明人：吴锡荣 -专利权人：东莞产权交易中心
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：所述有机太阳能电池包括ITO玻璃基底、新型空穴传输层、有机光吸收层、电子传输层和反射电极，所述的新型空穴传输层为溶液法制备的MoO3与荧光碳点的复合空穴传输层，所述新型空穴传输层的厚度为10‑50 nm所述新型空穴传输层制备包括步骤：制备七钼酸铵水溶液，制备荧光碳点水溶液，制备新型空穴传输层前驱体溶液和制备新型空穴传输层等步骤。本发明的新型空穴传输层能够有效提高空穴传输层的电荷收集能力，增强器件的内建电场，提高开路电压，最终提高电池的能量转换效率。本发明的太阳能电池，制作方法简单，成本低，适合于大规模的工业化生产。
空穴传输层制备有机太阳能电池荧光制作复合空穴传输层电荷收集能力能量转换效率电子传输层前驱体溶液溶液法制备太阳能电池反射电极开路电压内建电场七钼酸铵吸收层光伏基底电池

[发明专利]有机发光二极管和使用其的显示装置-CN202111399918.4在审
发明人：宋旭;李愈征 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：所述有机发光二极管包括：空穴注入层；在空穴注入层上的空穴传输层；第一发光层，所述第一发光层被配置成产生可见光波段中的短波长的光，所述第一发光层在空穴传输层上，其中所述有机发光二极管还包括光吸收层，所述光吸收层包含于空穴注入层与空穴传输层之间的界面处的空穴注入层和/或空穴传输层中，并且包含添加至空穴注入层和空穴传输层的至少一者中的磷光掺杂剂材料。
有机发光二极管使用显示装置

[发明专利]一种量子点发光二极管-CN201811150184.4有效
发明人：苏亮;谢相伟 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管，其包括设置在所述阳极与所述量子点发光层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴缓冲层，所述空穴传输层靠近所述阳极设置，所述空穴缓冲层靠近所述量子点发光层设置，所述空穴缓冲层包括一层与所述空穴传输层贴合设置的第一空穴缓冲子层，所述第一空穴缓冲子层的材料为第一空穴缓冲材料或者为由第一空穴缓冲材料和第一空穴传输材料组成的混合材料，其中所述第一空穴缓冲材料的电导率小于所述空穴缓冲层可宽化空穴累积区域，并使空穴累积区与激子复合区分离，减小空间电场对量子点的荧光猝灭，既可以提高空穴传输层的耐电性，又可以提高QLED的发光效率、稳定性和寿命。
一种量子发光二极管

[发明专利]一种新型钙钛矿电池及其制备方法-CN201911181618.1在审
发明人：朱煜剑 -专利权人：徐州吴瑞信息科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型钙钛矿电池及其制备方法，该方法包括以下步骤：在ITO导电玻璃上依次制备电子传输层、钙钛矿功能层、第一空穴传输层、第二空穴传输层以及金属电极，其中在电子传输层、钙钛矿功能层、第一空穴传输层以及第二空穴传输层的退火过程中，通过施加一定的压力，并通过优化施加压力的具体工艺，得到高致密性的电子传输层、钙钛矿功能层、第一空穴传输层以及第二空穴传输层。
一种新型钙钛矿电池及其制备方法

[发明专利]一种复合空穴传输层及包含其的钙钛矿太阳能电池-CN201910525362.5在审
发明人：杨田;唐泽国 -专利权人：北京宏泰创新科技有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合空穴传输层，包括Spiro‑TTB层和无机空穴传输材料层，所述无机空穴传输材料为氧化镍或硫化锰。本发明还公开了采用本发明的复合空穴传输层作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及硅/钙钛矿叠层太阳能电池。
一种复合空穴传输包含钙钛矿太阳能电池

[发明专利]空穴传输材料、QLED器件及其制备方法-CN201711351046.8有效
发明人：吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种空穴传输材料、QLED器件及其制备方法。该空穴传输材料包括p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的石墨炔。该QLED器件的空穴传输层的材料含有上述空穴传输材料。通过在空穴传输层中加入具有高空穴迁移率的石墨炔，凭借掺杂石墨炔优异的空穴迁移能力，可以显著提高QLED中空穴传输层的空穴分离能力和空穴迁移能力、调节膜层材料的功函数，提高器件的空穴传输效率，达到提升器件的传输
空穴传输材料 qled 器件及其制备方法

[发明专利]倒置型有机发光二极管显示器件及其制备方法-CN201310290051.8有效
发明人：洪飞 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了倒置型有机发光二极管显示器件及其制备方法，包括：提供一基板，在基板上溅射一层导电材料作为阴极；在阴极上形成一电子传输层，电子传输层为多晶态；在电子传输层上形成一发光层，发光层为非晶态；在发光层上真空蒸镀一空穴传输层，空穴传输层为非晶态；在空穴传输层上真空蒸镀一空穴注入层，空穴注入层为非晶态；以及在空穴注入层上通过真空蒸镀或是溅射沉积阴极，本发明的传输速度可以得到极大的加强，并且阳极与空穴注入层的势垒也可以得到优化，电子和空穴均可以得到高速的传输，不但可以提高效率，而且能降低驱动电压。
倒置有机发光二极管显示器件及其制备方法

[发明专利]有机-无机复合发光二极管及其制作方法-CN200710175971.X无效
发明人：曹俊松;秦大山;曹国华;关敏;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机-无机复合发光二极管，包括：一带有透明阳极的衬底；一空穴注入层，该空穴注入层沉积在带有透明阳极的衬底上；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层沉积在有机空穴传输层上；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在有机发光层上；一阴极，该阴极沉积在有机电子传输层上。
有机无机复合发光二极管及其制作方法

[发明专利]有机发光显示装置及其形成方法-CN201611073625.6有效
发明人：金玹奭;崔盛勋;尹成志 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：第二阳极电极和第三阳极电极，每个电极彼此横向地分隔开；设置在所述第一阳极电极、所述第二阳极电极和所述第三阳极电极的边缘上的堤部；设置在所述第一阳极电极、所述第二阳极电极、所述第三阳极电极和所述堤部上的第三空穴传输层，所述第三空穴传输层具有第三空穴迁移率；设置在所述第三空穴传输层上的第一空穴传输层，所述第一空穴传输层具有比所述第三空穴迁移率高的第一空穴迁移率；和设置在所述第三空穴传输层上的第二空穴传输层，所述第二空穴传输层具有比所述第三空穴迁移率高的第二空穴迁移率
有机发光显示装置及其形成方法

[发明专利]量子点器件和电子设备-CN201910173978.0在审
发明人：徐弘圭;张银珠;韩文奎;金泰豪;丁大荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：公开了量子点器件和显示设备，所述量子点器件包括阳极、设置在所述阳极上的空穴注入层、设置在所述空穴注入层上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上并且包括量子点的量子点层、和设置在所述量子点层上的阴极，其中所述空穴传输层包括空穴传输材料和电子传输材料，并且在所述量子点层和所述电子传输材料之间的LUMO能级差小于或等于约0.5eV。
空穴传输层量子点器件量子点层电子传输材料空穴注入层阳极阴极空穴传输材料电子设备显示设备量子点能级差

[发明专利]有机电致发光装置及其制造方法-CN201180023532.1有效
发明人：林直之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：有机电致发光装置，包括阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的有机层，该有机层含有空穴注入层、空穴传输层和含主体材料的发光层；其中空穴注入层、空穴传输层和发光层每层含有磷光发光材料；其中空穴注入层含有10质量%或更多且低于50质量%的磷光发光材料；并且其中空穴传输层中含有的磷光发光材料的浓度低于空穴注入层中磷光发光材料的浓度，以及发光层中含有的磷光发光材料的浓度低于空穴注入层中磷光发光材料的浓度且高于空穴传输层中磷光发光材料的浓度
有机电致发光装置及其制造方法