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[发明专利]一种硅基二氧化硅波导及其制作与应用方法-CN201310277590.8有效
发明人：张小平;单欣岩;李铭晖;张卫华 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明属于光学材料器件技术领域，特别涉及一种硅基二氧化硅波导及其制作与应用方法。本发明通过对波导中硅基上的二氧化硅进行光刻刻蚀工艺，形成截面为矩形的波导芯区空间。本发明的硅基二氧化硅波导结构给出了特定的几何参数，可以实现多种全光逻辑器件，包括全光分路器、全光耦合器、全光开关、全光逻辑门、全光存储器、全光路由器，都可以通过特定微区结构的硅基二氧化硅波导加工得到，进一步应用还包括全光集成芯片和全光网络采用了波长范围270～1100nm的飞秒脉冲光源作为全光逻辑器件的高速输入信号。本发明采用的二氧化硅微区结构在制作上具有与硅微电子工艺兼容的优点，在工业上易于推广应用。
一种二氧化硅波导及其制作应用方法

[发明专利]一种全四族硅基C波段半导体激光器-CN201910704486.X有效
发明人：李鸿强;王嘉宁;谢睿;杜吉林;王润洁;宫正 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：一种全四族硅基C波段半导体激光器，包括有硅衬底，所述硅衬底上并排设置有构成外接负电源引入端口的侧边负电极和N型掺杂硅体材料区，所述N型掺杂硅体材料区上设置有三层Ge/Si量子阱，所述三层Ge/Si量子阱上设置有脊型波导结构本发明的一种全四族硅基C波段半导体激光器，解决了目前在硅基光电子集成领域光源与硅基CMOS工艺不兼容的问题。由全四族元素构成的半导体激光器光源能够实现在硅片上直接生长光源，免去了传统键合光源步骤，可以降低光电子集成的制作难度和成本。本发明的全四族硅基C波段半导体激光器能在室温下进行工作。
一种全四族硅基波段半导体激光器

[发明专利]全氟醚基聚硅氧烷及其制备方法和应用-CN201710128103.X有效
发明人：王跃林;谌绍林;冯钦邦;曾祥浩;吴利民 -专利权人：宜昌科林硅材料有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C08G77/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种全氟醚基聚硅氧烷及其制备方法和应用。该全氟醚基聚硅氧烷具有如式(I)所示结构特征。该全氟醚基聚硅氧烷能够同时具有优异的耐低温特性、粘温特性、稳定性、耐腐蚀性和抗磨损能力性能，且蒸发损失少，能够适用于航空航天、特殊工业等环境恶劣的领域的应用。
全氟醚基聚硅氧烷及其制备方法应用

[发明专利]全氟烷基磺酰基封端对α,ω-二羟基聚二甲基硅氧烷及其合成方法-CN202111297861.7有效
发明人：陈云峰;文建强;吴爱国 -专利权人：枣阳市华威硅氟材料有限公司;武汉工程大学
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C08G77/392 文献下载
摘要：本发明公开一种全氟烷基磺酰基封端对α,ω‑二羟基聚二甲基硅氧烷及其合成方法，属于有机硅橡胶技术领域。该全氟烷基磺酰基封端对α,ω‑二羟基聚二甲基硅氧烷的合成方法，包括以下步骤：S1、将107硅橡胶和全氟烷基磺酰氟封端剂在惰性气体氛围下混合得到混合物，之后将所述混合物加热至70‑120℃；S2、向所述混合物中加入催化剂继续保温反应得到所述全氟烷基磺酰基封端对α,ω‑二羟基聚二甲基硅氧烷。本发明还包括上述方法制得的全氟烷基磺酰基封端对α,ω‑二羟基聚二甲基硅氧烷。该全氟烷基磺酰基封端对α,ω‑二羟基聚二甲基硅氧烷的封端效率高且黏度稳定性好。
烷基磺酰基封端羟基聚二甲基硅氧烷及其合成方法

[发明专利]一种双重改性聚硅氮烷、基于双重改性聚硅氮烷的涂料及其制备和使用方法-CN202111239352.9有效
发明人：樊绍彦;申会员;何洋;张志成;秦强强 -专利权人：宁波公牛电器有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C08G77/46 文献下载
摘要：本发明属于涂料技术领域，涉及一种双重改性聚硅氮烷、基于双重改性聚硅氮烷的涂料及其制备和使用方法。本发明提供的双重改性聚硅氮烷的制备方法，包括以下步骤：S1、将乙烯基全氟聚醚或乙烯基类硅油与聚硅氮烷混合，在催化剂存在下，反应制得乙烯基全氟聚醚或乙烯基类硅油改性的聚硅氮烷；S2、将乙烯基全氟聚醚或乙烯基类硅油改性的聚硅氮烷和乙二醇单醚羧酸类单体混合均匀，反应制得双重改性聚硅氮烷。基于本发明制备的双重改性聚硅氮烷的涂料具有优异的耐油防污性能，施涂在制件表面油污不易粘附或者少量粘附后极易清除；同时基于该双重改性聚硅氮烷的涂料制成的涂层具有优异的附着力，良好的硬度、耐磨等性能。
一种双重改性聚硅氮烷基于涂料及其制备使用方法

[发明专利]一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法-CN201310200573.4有效
发明人：崔艳丽;许姗姗;毛建卫;蔡春锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-05-25 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C08B37/16 文献下载
摘要：本发明属于化学合成领域，具体涉及到区域选择性反应，即全TMS保护基保护的环糊精的伯位即6位TMS保护基的选择性脱除方法。本发明是一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法，以全TMS保护的环糊精为底物，以有机溶剂为溶剂，在催化剂作用下及一定温度下，搅拌到原料消失，伯位即6位的三甲基硅基可完全选择性去除，而其它位置上的三甲基硅基仍存在本发明的乙酸、或甲酸或草酸是一种区域选择性高的三甲基硅基保护基的脱除剂，只脱除6位三甲基硅基保护基，其他位置不受影响；反应条件温和，后处理简单，而且其他保护基如TMS，乙酰基、甲基、乙基、苯基、苄基、烯丙基均不受影响
一种选择性脱除甲基保护环糊精方法

[发明专利]一种多乙烯基全氟聚醚氟硅油及其制备方法-CN201610748828.4有效
发明人：徐涛;王军;张恒英;盛磊 -专利权人：太仓中化环保化工有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C08G77/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种多乙烯基全氟聚醚氟硅油及其制备方法，该多乙烯基全氟聚醚氟硅油以胺基硅烷偶联剂、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、六甲基二硅氧烷和全氟聚醚类化合物为主要原料制备，本发明的多乙烯基全氟聚醚氟硅油具有较高的乙烯基官能度
一种乙烯基全氟聚醚氟硅油及其制备方法

[发明专利]一种选择性脱除全三甲基硅基保护糖的伯位三甲基硅基的方法-CN201210588133.6有效
发明人：崔艳丽;程照东;毛建卫 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C07H23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性脱除全三甲基硅基（TMS）保护糖的伯位三甲基硅基的方法，该方法以乙酸铵作为三甲基硅基的脱除试剂，以全TMS保护的单糖、或多糖或及其衍生物为底物，以丙酮、甲醇为溶剂，在40℃搅拌10小时，伯位的三甲基硅基可完全去除。
一种选择性脱除甲基保护伯位三方法

[发明专利]全电池及基于全电池的硅基材料本征循环稳定性评价方法-CN202111478877.8在审
发明人：宋缙华;丰震河;张兴浩;杨炜婧;郭向飞;顾海涛;王可;解晶莹 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01R31/382 文献下载
摘要：本发明公开了一种“背对背”结构的全电池，包括背对背的2个扣式半电池以及位于2个扣式半电池背与背之间的参比电极极耳，本发明的全电池能够模拟硅基负极材料在全电池中的工作模式，同时，在全电池内部存在过量锂源，能够实现循环过程中活性锂的实时补偿，剔除活性锂损失对硅基电池循环性能的影响，另外，通过在电池中间引出参比电极极耳，可以原位监测循环过程中正、负极对锂的电位变化，单独研究硅基负极材料在充放电过程中的本征稳定性；本发明还公开了一种基于全电池的硅基材料本征循环稳定性的评价方法，制备方法简单，试验周期短，能够实现硅基材料循环稳定性的快速评价。
电池基于基材循环稳定性评价方法

[发明专利]硅基MOS薄膜发光器件及其制备方法和全光谱薄膜发光器件-CN201711240511.0有效
发明人：张小宁;林媛媛;王耀功;刘凌光 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基MOS薄膜发光器件及其制备方法和全光谱薄膜发光器件，属于薄膜发光器件领域。包括硅基及设置在硅基表面的凸起结构；所述凸起结构为三角棱型、不规则山丘型、嵌套金字塔型、米字金字塔型、四方体金字塔型和四棱锥金字塔型中的一种或几种；凸起结构在硅基表面的分布密度、底部尺寸及高度可调。本发明通过利用各向异性碱性溶液湿法腐蚀的方法，在硅基表面制备出不同形貌、密度、底部尺寸和/或高度的凸起。本发明通过利用这种具有凸起结构的硅基，使得基于MOS结构击穿形成导电通道发光的全光谱薄膜发光器件的发光强度增大，器件的发光效率提高。
硅基 mos 薄膜发光器件及其制备方法光谱

[发明专利]一种全谱域叠层硅基薄膜太阳电池-CN200910245205.5无效
发明人：张建军;倪牮;曹宇;王先宝;耿新华;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种全谱域叠层硅基薄膜太阳电池，由三个硅基薄膜太阳电池叠加沉积在衬底上制成，其中第一个p-i-n是宽带隙硅基薄膜电池，第二个p-i-n电池是中间带隙硅基薄膜太阳电池，第三个p-i-n电池是窄带隙硅基薄膜太阳电池，其采用硅、锗合金型窄带隙材料作为吸收层，带隙为(0.66～1.1)eV、厚度为(1000～3000)nm。本发明的优点是：结构新颖，窄带隙材料采用硅、锗合金型，通过与其它硅基薄膜合金材料的组合，使不同吸收层材料的带隙为2.0eV～0.66eV，可实现叠层电池的电流最佳匹配，实现硅基薄膜电池对太阳光谱300nm～1800nm的全谱域响应，提高了电池的光电转换效率。
一种全谱域叠层硅基薄膜太阳电池

[发明专利]一种光固化全氟聚醚/烯基硅树脂、制备方法及应用-CN202111641753.7有效
发明人：江日新;钟法往;袁俊杰;王伟忠;巫耿航 -专利权人：惠州瑞德新材料科技股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C08G77/26 文献下载
摘要：一种光固化全氟聚醚/烯基硅树脂、制法及应用，将全氟聚醚酰氟FEF与氨丙基硅烷先进行反应合成全氟聚醚基硅烷，然后再将该硅烷与烯基硅烷水解缩聚，合成了一种疏水疏油性、结构中同时连有N‑全氟聚醚酰‑γ‑氨丙基硅基链节和反应性烯基硅链节的聚倍半硅氧烷，即全氟聚醚/烯基硅树脂FVSR；然后，将FVSR与多官能丙烯酸酯聚氨酯改性含氟烷基丙烯酸酯树脂、全氟聚醚丙烯酸酯活性稀释剂、KH‑570/氟烷基改性的纳米硅溶胶、光引发剂组合成涂料，在UV光照作用下，
一种光固化全氟聚醚硅树脂制备方法应用

[发明专利]光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法-CN202110661496.7有效
发明人：董恒平;陈坤基;杨华烽;窦如凤;井娥林;李伟;徐骏 -专利权人：南京理工大学泰州科技学院
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法，属于光电探测领域，光导型全硅基日盲紫外探测器包括：硅基底，所述硅基底为P型晶硅或本征晶硅，被配置为载流子传输层；非晶掺氧氮化硅薄膜，形成于所述硅基底表面本发明的日盲紫外探测器采用发光的宽禁带非晶掺氧氮化硅(a‑SiNx:O)薄膜作为紫外光吸收层，以P型晶硅(p‑Si)或本征晶硅(i‑Si)作为载流子传输层，构建的光导型全硅基日盲紫外探测器不仅成本低廉
光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法

[发明专利]固化性氟聚醚系粘接剂组合物和光学部件-CN202080058357.9在审
发明人：越川英纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C09J171/00 文献下载
摘要：固化性氟聚醚系粘接剂组合物，其含有特定量的下述组分：(A)在1分子中具有2个以上的烯基、且在主链中具有全氟聚醚结构的直链状多氟化合物；(B)在1分子中具有全氟烷基或全氟氧烷基、全氟亚烷基或全氟氧亚烷基，具有2个以上SiH基，且不具有环氧基及与硅原子直接结合的烷氧基的含氟有机氢硅氧烷；(C)氟化钠；(D)铂族金属系催化剂；以及(E)在1分子中具有SiH基、全氟烷基或全氟氧烷基、环氧基和/或三烷氧基甲硅烷基的有机聚硅氧烷
固化性氟聚醚系粘接剂组合光学部件

[发明专利]反应性氟硅疏水疏油高分子材料的制备与应用-CN200910273072.2无效
发明人：张爱东;罗必新;涂海洋;宗羽 -专利权人：华中师范大学
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C08F226/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种反应性氟硅疏水疏油高分子材料的制备与应用。本发明在充分依据制备低自由能固体表面的原则和方法的前提下，设计合成了[N-烯丙基全氟丁基磺酰胺，N-甲基-N-烯丙基全氟丁基磺酰胺，N，N-二烯丙基全氟丁基磺酰胺，烯丙基全氟(2-异丙基-1，3-二甲基-1-丁烯基)醚，4-全氟(2-异丙基-1，3-二甲基-1-丁烯基)氧苯乙烯，使之分别与乙烯基三甲氧基硅烷或乙烯基三乙氧基硅烷通过自由基溶液聚合反应得到含全氟烷基和硅氧烷基的反应性氟硅高分子。该反应性氟硅高分子应用于玻璃、棉纤维等固体表面的化学改性，使之具有防雾、防水、防油、自净、润滑等功效。
反应性氟硅疏水高分子材料制备应用

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