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[发明专利]一种清水研磨抛光工艺-CN201910776979.4有效
发明人：和晓宇;和洪喜;和俊卿;赵宝春 -专利权人：海南亿鑫和科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及研磨抛光技术领域，更具体地涉及到一种清水研磨抛光工艺。所述清水研磨抛光工艺包括以下步骤：第一阶段为使用粗磨抛光研磨盘进行20～30min粗磨，所述粗磨抛光研磨盘包括粗磨研磨剂；第二阶段为使用精磨抛光研磨盘进行15～25min精磨，所述精磨抛光研磨盘包括精磨研磨剂；第三阶段为使用精抛抛光研磨盘进行5～15min抛光，所述精抛抛光研磨盘包括精抛研磨剂。本发明提供一种清水研磨抛光工艺，可在只使用清水的情况下进行研磨抛光，避免使用含有研磨剂的粉剂或浆料进行研磨造成的环境污染和对人体健康的危害；可应用于玻璃、硅晶体和金属陶瓷等材料中，且可实现粗磨、精磨和精抛一系列的操作
一种清水研磨抛光工艺

[发明专利]研磨抛光模拟方法、系统及研磨抛光工艺转移方法-CN202110005115.X有效
发明人：罗元玠;王右勋;林沛群;施志轩;黄甦 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：一种研磨抛光模拟方法、系统及研磨抛光工艺转移方法，研磨抛光模拟方法包括以下步骤：取得研磨抛光设备进行工件的研磨或抛光作业的感测信息；依据此感测信息识别出多个模型参数；依据加工路径、多个工艺参数以及此些模型参数计算出至少一品质参数
研磨抛光模拟方法系统工艺转移

[发明专利]复杂表面抛光工艺及抛光设备-CN202211676813.3在审
发明人：吴洋;沈波;蒋明明;周惠全 -专利权人：苏州艾联精特航空科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B24B31/10 文献下载
摘要：本发明公开了复杂表面抛光工艺及抛光设备，涉及复杂表面抛光工艺领域，其中抛光设备包括机座，还包括用于加压研磨料实现抛光打磨的加压机构；设置于加压机构下端用于放置工件的抛光仓；以及位于抛光仓底端的除屑搅拌机构，具备打磨前序用于研磨料的搅拌与打磨中序用于研磨料除屑的双重效用。本发明所述的复杂表面抛光工艺及抛光设备，通过设置的加压机构，加压机构为直上直下式给料，结合研磨料的自重，在抛光前序进料的过程中，以使研磨料的覆盖更加均匀全面，由液压缸带动顶压块初步加压，使研磨料充塞于抛光仓的内部，并且通过增压机构进行进一步增压，以使研磨料高速流动，实现抛光，带来更好的使用前景。
复杂表面抛光工艺设备

[发明专利]一种晶圆研磨抛光方法-CN201210557494.4在审
发明人：夏金伟;张中连;龚小春;顾军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B24B37/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆研磨抛光方法，用于在钨化学金属研磨工艺中实现钨触点突出晶圆表面，其包含以下步骤：1、研磨液管路和研磨台表面进行冲洗；2、研磨垫进行研磨修整以保证研磨垫的稳定性能，并喷射氮气保证研磨垫表面干净；3、研磨液由去离子水切换为研磨液；4、研磨液预流出，使得在进行主要的抛光工艺前研磨液已经布满研磨垫；5、持续供应研磨液，研磨头压在研磨垫上并加背压的方式进行氧化物抛光工艺；6、研磨头保持不动，晶圆受力由背压的状态转为真空，提供的研磨液切换为去离子水；7、采用去离子水研磨，对晶圆进行研磨抛光同时去除晶圆表面残留的研磨液。本发明省去进行研磨抛光工艺时研磨头抬升和下降的步骤，减少晶圆加工时间，提高设备工作效率，降低生产成本。
一种研磨抛光方法

[发明专利]一种精密毛刷研磨抛光工艺-CN201811071897.1有效
发明人：蔡赞峰 -专利权人：蔡赞峰
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种精密毛刷研磨抛光工艺，包括单边式玻璃层叠毛刷研磨抛光和玻璃层叠外形对中心式毛刷研磨抛光，其中单边式玻璃层叠毛刷研磨抛光包括步骤A一，玻璃层叠工序A；步骤A二，精密毛刷研磨抛光加工工序A1；步骤A三，更换需要抛光的玻璃端面；步骤A四，精密毛刷研磨抛光加工工序A2；步骤A五，依次更换需要抛光的玻璃端面；步骤A六，依次完成精密毛刷研磨抛光加工工序A；步骤A七，玻璃分离工序A；其中玻璃层叠外形对中心式毛刷研磨抛光包括步骤B一，玻璃层叠工序B；步骤B二，精密毛刷研磨抛光加工工序B；步骤B三，玻璃分离工序B；该发明，极大的提升了生产加工效率，且简化了玻璃生产工艺、降低了生产成本。
一种精密毛刷研磨抛光工艺

[发明专利]一种抛光工艺-CN201710123586.4在审
发明人：刘小龙 -专利权人：中山市科旗金属表面处理设备有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光工艺，适用于抛光粉末冶金制品。本发明采用离心研磨抛光设备、涡流研磨抛光设备、核桃壳研磨抛光设备、等离子抛光机等核心设备，并配合使用陶瓷圆球石、高频陶瓷长条石、核桃壳颗粒等研磨材料和等离子抛光机所使用的硫酸铵溶液，以将粉末冶金制品进行抛光本发明利用设备组合使用的加工方式替代传统的手工抛光工艺，这样的抛光工艺大幅地减少了人工，能够提高加工效率，降低加工成本，还能避免加工过程中所产生的碎屑飞扬而危害人的健康。
一种抛光工艺

[发明专利]一种医用钛植入物的抛光工艺-CN202010566548.8有效
发明人：颜瑜;张春雨;陈贤帅;杜如虚 -专利权人：佛山市逸合生物科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种医用钛植入物的抛光工艺，包括采用树脂研磨料+金刚石研磨液进行的粗研磨、氧化锆研磨料+不含铝研磨剂进行的精研磨和木质研磨料进行的光亮等步骤。本发明通过研磨组合物的选用，对医用钛植入物进行粗研磨、精研磨和光亮表面，得到了粗糙度优良且铝含量低的抛光产品，在保证了抛光效果的同时，克服了现有工艺中机械抛光后表面铝含量过高的问题。
一种医用植入抛光工艺

[发明专利]一种车辆支撑架的抛光工艺-CN201110333115.9无效
发明人：朱锡军 -专利权人：朱锡军
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： B24B31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种车辆支撑架的抛光工艺，先将摩擦件置于研磨机内，再将车辆支撑架置于研磨机内，开启研磨机，向研磨机内加入研磨助剂，使得摩擦件和车辆支撑架在研磨机内旋转摩擦，直至车辆支撑架抛光完成。本发明工艺简单，抛光效率高，且节省劳动力。
一种车辆支撑架抛光工艺

[发明专利]一种蓝宝石晶片加工方法-CN201410011912.9无效
发明人：孙新利 -专利权人：孙新利
申请日： 2014-01-12 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石晶片加工方法，具体工艺流程：晶片检查→晶片上蜡→粗砂研磨→晶片清洗→细砂研磨→晶片清洗→抛光。该工艺是在单面研磨工序中通过不同粒径砂粒进行二段式单面研磨工艺优化蓝宝石加工。二段式单面研磨可制造出表面损伤层浅，表面无划痕的蓝宝石晶片为蓝宝石抛光加工提供表面质量优良晶片，降低了抛光工序中晶片所必须的移除量，提高了抛光工序效率。此工艺方法有效降低蓝宝石加工生产成本，提升生产线的效能。
一种蓝宝石晶片加工方法

[发明专利]一种电解铜高精度镜面抛光方法-CN202110615267.1在审
发明人：赖建明;张桂添 -专利权人：清远市进田企业有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电解铜高精度镜面抛光方法，该方法包括如下所述步骤：步骤一：电解铜高效抛光液配比，抛光液组份包括氧化物剥离剂、光亮剂、磷酸，将各组分按照一定重量份数进行混合调配，得到电解铜高效抛光液；步骤二：电解铜复合抛光料配比，将步骤一制得的电解铜高效抛光液与研磨辅料混合；步骤三：喷淋抛光，通过控制氧化物剥离剂、光亮剂、磷酸的配比，以实现电解铜氧化物的室温剥离；采用抛光液+研磨辅料的复合抛光料，综合抛光液的腐蚀作用及研磨辅料的研磨作用，实现电解铜高效抛光处理；采用喷射或喷淋抛光工艺替代传统的浸泡抛光工艺，并控制喷射或喷淋工艺参数，以实现电解铜高效快速抛光，得到镜面效果。
一种电解铜高精度抛光方法

[发明专利]一种用于KDP晶体的抛光液及高效研磨抛光工艺-CN202210746930.6在审
发明人：郭江;高菲;俞学雯;潘博 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明属于研磨抛光加工技术领域，提供一种用于KDP晶体的抛光液及高效研磨抛光工艺。所述的抛光液为由磨粒、反应物、添加剂、有机溶剂、去离子水组成的非水基化学机械抛光液。高效研磨抛光工艺包括粗研、精研、抛光、清洗。本发明在研磨阶段通过固结磨料垫表层有效磨粒的微切削作用快速去除线切割产生的宏观加工纹理以及脆性损伤。本发明将研磨分为两个阶段，兼顾研磨效率和表面质量；在抛光阶段，利用抛光液中反应物的化学作用、去离子水的溶解作用、磨粒的机械作用实现对材料的去除，可在低压下快速将晶体表面粗糙度降至纳米级；采用的固结磨料研磨抛光垫
一种用于 kdp 晶体抛光高效研磨工艺

[发明专利]一种不锈钢机械抛光工艺-CN201410762029.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：重庆迎瑞升压铸有限公司
申请日： 2014-12-13 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种不锈钢机械抛光工艺，（1）粗抛：经铣、电火花、磨等工艺后的表面可以选择转速在35000-40000rpm的旋转表面抛光机或超声波研磨机进行抛光；（2）半精抛：半精抛主要使用砂纸和煤油；砂纸的号数依次为：#400~#600~#800~#1000~#1200~#1500；（3）精抛：精抛主要使用钻石研磨膏；若用抛光布轮混合钻石研磨粉或研磨膏进行研磨的话，则通常的研磨顺序是9μm（#1800）~ 6μm（目前的不锈钢机械抛光工艺复杂，没有统一标准，造成生产抛光质量参差不齐，很多重复工序也使得生产效率底下，加大了工人的劳动负担，同时使得产品的市场竞争力不高。
一种不锈钢机械抛光工艺

[发明专利]混凝土地坪研磨抛光工艺-CN201210360284.6有效
发明人：杨建西;韩燕;谭勰彦 -专利权人：湖南交泰建材有限公司
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： E04F21/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种混凝土地坪研磨抛光工艺。本发明提供的混凝土地坪研磨抛光工艺，采用干磨代替现有技术的水磨工艺，使用改进的密封剂和硬化剂使得经本工艺研磨抛光的混凝土地坪的光泽度、耐磨度、密实度更好，且更经久耐用。本发明的工艺省去了吸水及废弃浆料排放处理的步骤，使得施工操作简单方便，且更节能环保。采用本发明的工艺研磨抛光的新混凝土地坪或翻新的混凝土地坪，其光泽度可以达到类似抛光石材的效果，可广泛用作大型车库、商场、厂房以及住房地坪等等，从而拓宽了混凝土地坪的应用范围，降低了地坪成本。
混凝土地坪研磨抛光工艺

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体结构的研磨方法-CN200710184908.2无效
发明人：庄子仪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体结构的研磨方法。该浅沟槽隔离结构的形成方法是在晶片的基底上形成掩模层，并移除未被掩模层覆盖的部分基底，以在基底中形成多个浅沟槽。其后，进行第一化学机械抛光工艺，以移除部分介电层，接着，进行第二化学机械抛光工艺，以移除部分介电层及掩模层，使介电层的表面低于掩模层的表面。前述第二化学机械抛光工艺的研磨速率低于第一化学机械抛光工艺的研磨速率，且第二化学机械抛光工艺的介电层与掩模层之间的研磨选择比高于第一化学机械抛光工艺的介电层与掩模层之间的研磨选择比。
沟槽隔离结构形成方法半导体研磨

[发明专利]研磨液传送臂-CN201210325693.2无效
发明人：蔡晨;张震宇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种研磨液传送臂，是在半导体制造工艺中的CMP过程中，由于研磨生成物累积在抛光垫上，降低了研磨工艺的稳定性。本发明在传统研磨液传送臂上加装尼龙排刷，在研磨过程中，研磨生成物能被尼龙排刷及时清理，保持抛光垫的粗糙度，提高工艺性能。
研磨传送

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