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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

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国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置-CN201620267353.2有效
发明人：栗宁 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置，包括升降机构以及水冷管，升降机构用于驱动水冷管进入单晶炉内。本实用新型的直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置解决了现有的单晶炉停炉冷却时间过长的问题。本实用新型的直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置在停炉时，通过升降机构将两根水冷管同步伸入单晶炉热场中，将热场底部保温抬起，通过循环冷却水带走热场中热量，达到降低炉内温度的目的，其结构简单，避免因改造单晶炉产生的高额费用
一种直拉单晶炉停炉快速冷却装置

[发明专利]用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场-CN200310117762.1有效
发明人：田达晰;马向阳;林必清;李晓军;李立本 -专利权人：宁波立立电子股份有限公司
申请日： 2003-12-30 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶上部热场。它具有保温罩、在保温罩外侧设有上盖板并固定在保温罩上端、上盖板放置在支承筒上。保温罩为上、下两中空圆锥台连接件。本发明的新型热场结构加强了对单晶的冷却作用，从而增大了固液界面处的温度梯度，使用本发明的新型热场解决了在普通标准热场中不能生长六英寸和八英寸重掺磷直拉硅单晶的难题，使六英寸和八英寸重掺磷直拉硅单晶的生长变得与普通高电阻率直拉硅单晶一样容易
用于英寸重掺磷直拉硅单晶制造上部

[发明专利]提高直拉单晶拉速的装置-CN201910556405.6有效
发明人：丁亚国;梁万亮;马国忠;顾燕滨;河野贵之 -专利权人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高直拉单晶拉速的装置，属于单晶硅生产设备技术领域。包括导流筒及撤热组件，所述撤热组件安装于所述导流筒的上方，通过热辐射或者热传导的方式对所述导流筒进行降温。本发明技术方案实现在所述撤热组件远离单晶炉的热场的状态下，与固液界面发生热量交换，降低固液界面处温度，从而提高直拉单晶的拉速，提高直拉单晶拉速则大幅度节约的电耗。同时，由于所述撤热组件距离单晶炉热场较远，一则所述撤热组件受到热场的热应力有限，降低所述撤热组件泄漏概率，二则一旦泄漏发生，能够及时通过单晶炉内的氛围变化判断发现，及时停炉，降低事故率。
提高直拉单晶拉速装置

[实用新型]直拉法生长单晶热场的石墨坩埚-CN201220709097.X有效
发明人：吴亚军;李宗斌;梁会宁;胡元庆 -专利权人：海润光伏科技股份有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法生长单晶热场的石墨坩埚，其特征在于它由四瓣或者四瓣以上相同结构的石墨坩埚单元（1）拼接而成，所述石墨坩埚单元（1）的R角半径为100~150mm。本实用新型直拉法生长单晶热场的石墨坩埚具有圆角部位不容易开裂，提高使用寿命的优点。
直拉法生长单晶热场石墨坩埚

[实用新型]一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置-CN201120016798.0无效
发明人：王增荣;李斌;郝俊涛;王飞;黄少华;赖汝萍;黄鲁生;钟贵琪;林增标;林海萍;黄云增;黄斌;林德彰;杨峰;王县 -专利权人：江西神硅科技有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器，所述外壳的上部设置有保温板，该保温板上固接有中空的倒圆台形的热屏，该热屏的上方安装有石墨导热筒。本实用新型通过增设热屏、导流筒、炭毡等合理部件，并对它们的相对位置和规格进行选择，使得热场装置内形成合适的温度梯度，气体在热场装置内分布合理，适于直拉法中20英寸硅单晶的生长。
一种适于直拉法中 20 英寸硅单晶生长装置

[发明专利]18英寸热场生长Φ8″太阳能级直拉硅单晶工艺-CN200910312899.X有效
发明人：谢江帆;吴雪霆;徐杰;张俊;常宏伟;陈军;陈家红;黄建平 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种18英寸热场生长Φ8″太阳能级直拉硅单晶工艺，采用18英寸热屏热场和带冷却系统的上轴磁流体密封装置，结合优化的拉晶工艺参数条件，可使热场保温性能好、能耗明显降低，气体流向顺畅、利于挥发物排走、成晶稳定，延长设备使用寿命、降低生产成本；减少磁铁退磁和磁流体蒸发、避免磁流体密封漏气掉渣而影响直拉单晶生长，提高密封性能、延长使用寿命；使引晶、等径、转肩等拉晶工艺稳定，提高生产效率和成品率。
18 英寸生长太阳能级直拉硅单晶工艺

[实用新型]一种支撑机构及直拉单晶炉热场装置-CN201820872049.X有效
发明人：李江林;马腾飞;马新成;邹昌盛;段永兵;王军 -专利权人：新疆晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅加工设备技术领域，具体涉及一种支撑机构及直拉单晶炉热场装置。主要技术方案为：一种支撑机构，包括:支撑体和支撑耳；所述支撑体为圆环状，用于支撑直拉单晶炉的中保温罩；所述支撑耳沿所述支撑体的径向，固定地设置在所述支撑体的外缘上；所述支撑耳为多个；多个所述支撑耳沿所述支撑体的圆周方向间隔设置采用本实用新型能够使直拉单晶炉热场装置作业方便，提升保温效果。
支撑体支撑耳直拉单晶炉热场支撑机构本实用新型设备技术领域圆周方向间隔单晶硅加工直拉单晶炉保温效果装置作业保温罩圆环状支撑

[发明专利]一种直拉单晶硅炉用石墨热场材料制备方法-CN202010035367.2在审
发明人：魏健;张锦俊;闵洁;张培林;庞中海;武建军;刘伟凯;纪永良;雷涛;霍有;张彦举;陈永贵;吕星薄;徐保国;孟鹏 -专利权人：大同新成新材料股份有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明涉及石墨热场技术领域，更具体而言，涉及一种直拉单晶硅炉用石墨热场材料制备方法，骨料为针状石油焦；粉料为石墨烯、沥青焦、炭黑、碳纤维；粘结剂为改质中温煤沥青；浸渍剂为浸渍沥青，中原料选择合理，制备工艺科学；所制备的直拉单晶硅炉用石墨热场材料结构均匀细腻，体积密度高；石墨理化理指标优良；石墨热场材料的体积密度≥2.0g/cm3，电阻率≤6.0μΩm，抗折强度≥32Mpa
一种单晶硅石墨材料制备方法

[发明专利]直拉单晶方法、直拉单晶装置、计算机可读存储介质-CN201910577260.8有效
发明人：陈海云 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种直拉单晶方法、直拉单晶装置、计算机可读存储介质，涉及单晶制造技术领域。所述方法包括：提供单晶炉，所述单晶炉包括热场以及设置于所述热场内的加热器和至少一个热场件；在所述单晶炉中生长并提拉单晶；关闭加热器，使所述热场内的温度降低至第一预设温度；以及向所述单晶炉内通入氢气，使所述氢气与所述至少一个热场件反应本申请中，关闭加热器，热场的温度降低至反应所需的第一预设温度附近，通入氢气，使之与热场内的金属氧化物发生还原反应，得到金属单质和被排出炉外的水蒸气。避免了热场再次使用的过程中，上述金属氧化物蒸发，影响单晶硅中少数载流子寿命；在拆炉前完成反应，无需拆炉后再做处理，节省了作业时间。
直拉单晶方法装置计算机可读存储介质

[实用新型]一种直拉单晶热场结构-CN202122381533.7有效
发明人：武志军;谷守伟;韩凯;岳彩广;徐小龙 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉单晶热场结构，包括：在导流筒和石英坩埚外侧配设有保温机构；所述保温机构靠近所述导流筒和所述石英坩埚的内侧面均设有强化层；所述保温机构的外侧面均设有固化层；在拉制单晶时，所述强化层和所述固化层使所述保温机构与所述导流筒和所述石英坩埚的外壁面形成一下端开口的封闭腔本实用新型一种直拉单晶热场结构，可提高保温效果，降低功耗流失，避免热场被氩气和挥发气体腐蚀，使整个结构形成为一体，使热场温度稳定且变化幅度较小，保证热场温度的阶梯性和一致性，提高硅棒的成晶率。
一种直拉单晶热场结构

[实用新型]一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板-CN201420083892.1有效
发明人：刘进;张波;周水生;董建明;罗晓斌;赵科巍;赵彩霞 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉领域，具体是一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板。一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板，该反射板中间有托杆孔，该反射板为放置在9层碳毡上的圆饼，在该圆饼上的电极孔和辅助电极孔之间的一条直径的两端有两个排气孔，在一对辅助电极孔上各覆盖一块石墨板，在每块石墨板中间开一个绝缘陶瓷放置口本实用新型的有益效果是：在不影响产品质量的前提下，通过热场改造，降低发热件损耗或增强热场系统保温性能，以达到缩短等径时间、降低生产成本的目的。
一种直拉单晶炉热场系统反射

[发明专利]直拉硅单晶热场-CN201010288250.1无效
发明人：刘彬国;何京辉;曹祥瑞;颜超 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2010-09-20 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶热场，其包括炉体、炉体内设置的石英坩埚和加热器；炉体侧壁下部设置有通孔，炉体的顶部开有氩气进口；炉体的底部设置有炉底盘，炉底盘的上面安装有保温桶，所述的保温桶外侧包裹有保温材料本热场有效降低了热系统的能量损耗、降低加热器的发热功率，从而达到节能的效果。本热场一定程度上增加了氩气的流速，使晶体散发的热量及时的被带走，增加了单晶的冷却速度，有效的提高了单晶生长拉速。本热场有效降低了气氛中杂质对单晶生长环境的污染，从而提高成晶率。
直拉硅单晶热场

[实用新型]直拉硅单晶热场-CN201420653429.6有效
发明人：陈康;马洋;王军磊;王建平;谷守伟;贾海洋;王永青;梁山;郝勇 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉硅单晶热场，其包括炉体、炉体内设置的石墨坩埚和加热器；加热器将石墨坩埚围在其中；在加热器外套装设有保温筒，在保温筒上有环形的大盖板，大盖板的内环上架设有导流筒；所述加热器高度H为
直拉硅单晶热场

[实用新型]直拉单晶炉-CN201320553829.5有效
发明人：毛静;马少林;王福敏 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：直拉单晶炉，包括壳体和设置在壳体内的热场装置，壳体包括炉底板和炉侧壁，热场装置位于炉底板上方，热场装置与炉底板之间设有护底板，炉底板与护底板之间设有隔离架。本实用新型解决了现有技术热场装置与炉底板直接接触导致的热能损耗大的问题。大幅度降低了能量损耗，可在不影响单晶品质及拉速的前提下，达到等径功率降低3～5KW。
直拉单晶炉

[实用新型]直拉单晶炉热场升降装置-CN201220201726.8有效
发明人：徐胜;杨生凯 -专利权人：常州顺风光电材料有限公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉热场升降装置，包括由绞轮、连接装置以及定位器组成的多组，所述的绞轮焊接在炉盖上，绞轮连接连接装置，连接装置穿过炉盖和热场的上沿与热场压环下方的定位器连接。本实用新型结构简单，使用方便，能够使热场在高温下完好提升和下降，从而实现增加初始投料量的目的，提高生产效率。此外，本实用新型提及装置不仅限于硅单晶热场的升降，同时也适用于其他类似材料生长设备的热场升降。
直拉单晶炉热场升降装置

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