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- [发明专利]存储器元件的形成方法-CN201410151323.0有效
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林孟弘;吴伯伦
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华邦电子股份有限公司
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2014-04-16
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2017-10-13
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H01L45/00
- 本发明提供了一种存储器元件的形成方法,包括在一第一电极上形成一电阻转换层;在该电阻转换层上形成一第二电极;对该电阻转换层提供一形成电压使该电阻转换层的电阻变小;在提供该形成电压后,对该电阻转换层提供一初始重置电压使该电阻转换层的电阻变大;在提供该初始重置电压后,对该电阻转换层提供一第一设定电压,使该电阻转换层的电阻变小;在提供该第一设定电压后,对该电阻转换层提供一第二重置电压,使该电阻转换层的电阻变大;以及在提供该第二重置电压后,对该电阻转换层提供一第二设定电压,使该电阻转换层的电阻变小,其中,该第二设定电压小于该第一设定电压。本发明提高了电阻式非易失性存储器的合格率与效率。
- 存储器元件形成方法
- [发明专利]一种电压测量电路-CN202011109195.5在审
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刘均;林琪钧
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深圳市元征科技股份有限公司
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2020-10-16
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2021-01-29
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G01R31/3835
- 本申请实施例公开了一种电压测量电路,该电路包括:基准电压源、电压输入端口、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、运算放大器、保护电阻和电压测量芯片;所述基准电压源与所述电压输入端口的电压最大差值小于所述电压测量芯片的测量上限;所述第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻的规格相同;所述电压输入端口经第一电阻连接所述运算放大器的反向输入端;所述基准电压源的输出端经第二电阻连接所述运算放大器的同相输入端;所述运算放大器的输出端经第三电阻连接所述运算放大器的反向输入端,且所述运算放大器的输出端还连接所述电压测量芯片的输入端,所述运算放大器的同相输入端还经过第四电阻接地。
- 一种电压测量电路
- [发明专利]驱动电路-CN201910708906.1在审
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菅原敬人
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富士电机株式会社
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2019-08-01
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2020-03-31
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H03K17/687
- 本发明提供驱动电路,根据高电压电源系统的电压的高低来切换用于将输出级晶体管的栅极下拉的电阻的电阻值,由此能够将向输出级晶体管施加的电压抑制为耐压以下。驱动电路具备:栅极电容放电电路,在NMOSFET(4)导通的时刻使用于将输出级的PMOSFET(2)的栅极下拉的电阻的电阻值降低并将该降低后的电阻值保持规定期间;下拉电阻切换电路,基于对高电压电源系统的电压VCC进行分压所得到的分压电压来切换栅极电容放电电路的下拉电阻,在分压电压高于基准电压时,下拉电阻切换电路将规定期间的下拉电阻切换为电阻(9),在分压电压为基准电压以下时,下拉电阻切换电路将下拉电阻切换为高于电阻(9)的电阻(7’)。
- 驱动电路
- [发明专利]电阻电路-CN200680015041.1无效
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伊藤康一
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索尼株式会社
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2006-05-25
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2008-04-30
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H03H11/24
- 即使当可变MOS电阻的漏-源电压与基准MOS电阻的漏-源电压不相同时也可有利地实现作为可变电阻的操作。参考栅电压Vp11控制可变MOS电阻的栅电压Vp12,所述栅电压Vp11被控制为便于将基准MOS电阻中产生的电压控制为等于基准电压。将电阻在基准MOS电阻的漏极和源极之间与该基准MOS电阻并联连接,所述电阻包括串联连接的具有相同电阻值的电阻体R11和R12。在具有串联连接电阻体的电阻的中点处检测基准MOS电阻的漏-源电压Vds的一半。通过从基准MOS电阻的栅电压Vp11中减去Vds/2得到可变电阻的栅电压Vp12。
- 电阻电路
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