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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]压电陶瓷、陶瓷电子部件及压电陶瓷的制造方法-CN201980035361.0在审
发明人：金森有纪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：一种压电陶瓷，其特征在于，含有至少包含Pb、Zr、Ti、Mn和Nb的钙钛矿型化合物，在上述钙钛矿型化合物的X射线结晶结构分析图中，在PZT四方相的主峰即2θ＝30.5°～31.5°的范围检测到X射线衍射峰的(101)面和在2θ＝30.8°～31.8°的范围内检测到X射线衍射峰的(110)面的X射线衍射峰没有分支，基于(101)面与(110)面出现的X射线衍射峰的个数为一个。
压电陶瓷电子部件制造方法

[发明专利]压电陶瓷、陶瓷电子部件及压电陶瓷的制造方法-CN202310423206.4在审
发明人：金森有纪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：一种压电陶瓷，其特征在于，含有至少包含Pb、Zr、Ti、Mn和Nb的钙钛矿型化合物，在上述钙钛矿型化合物的X射线结晶结构分析图中，在PZT四方相的主峰即2θ＝30.5°～31.5°的范围检测到X射线衍射峰的(101)面和在2θ＝30.8°～31.8°的范围内检测到X射线衍射峰的(110)面的X射线衍射峰没有分支，基于(101)面与(110)面出现的X射线衍射峰的个数为一个。
压电陶瓷电子部件制造方法

[发明专利]绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法-CN200610165285.X有效
发明人：马通达;屠海令;胡广勇;孙泽明;邵贝羚;刘安生 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：一种绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法，它包括：(1)、根据所要检测的应变硅异质结的晶体学结构特征，按X射线双晶对称衍射几何进行实验布置；(2)、利用同步辐射单色光对样品进行双晶对称衍射获得摇摆曲线，得到应变硅异质结的衍射峰；(3)、将样品以表面法线为轴旋转180°，再次获得摇摆曲线；(4)、比较旋转180°前后的双晶摇摆曲线，判断各衍射峰与衍射结构的对应关系；(5)、调整入射线的入射角度，以使Si层衍射合峰呈现非对称性或出现分立的峰；(6)、固定入射线的入射角度，在各衍射峰上拍摄对应衍射结构的同步辐射形貌像。
绝缘体应变硅异质结无损检测方法

[发明专利]颜料、颜料的生产方法、颜料分散体和黄色调色剂-CN201010149854.8有效
发明人：丰田隆之;井上圭;新藤太一;谷泰;村井康亮;广濑雅史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C09B67/20 文献下载
摘要：一种由下式表示的颜料，所述颜料具有CuKα特征X射线衍射谱图，所述CuKα特征X射线衍射谱图当θ表示布拉格角时具有：在2θ±0.20°等于10.0°的峰和在2θ±0.20°等于11.1°的峰，所述11.1°峰与所述10.0°峰的强度比为0.7以上：。
颜料生产方法散体黄色调色

[发明专利]一种药用蒙脱石X射线衍射图谱鉴别标准-CN200910013765.8无效
发明人：张为胜;李诗标;许翠萍;徐东峰;张梅雪 -专利权人：济南康众医药科技开发有限公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种药用蒙脱石的X射线衍射图谱鉴别标准，其特征在于蒙脱石X射线衍射图谱的特征谱线在约1.5nm和约0.45nm波长处，图谱中其它杂质峰强度不得高于蒙脱石的第二个特征峰(约0.45nm波长处)，其中在约0.40nm波长处和约0.33nm波长处的两个杂质峰强度之和不得高于蒙脱石的第二个特征峰(约0.45nm波长处)。
一种药用蒙脱石射线衍射图谱鉴别标准

[发明专利]一种磷酸硅铝分子筛、其制备方法及应用-CN201610081448.X有效
发明人：田鹏;王德花;刘中民;向骁;杨淼;郜贝贝 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C01B37/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种新型磷酸硅铝分子筛，其X射线衍射图谱中包含以下4个衍射峰：衍射峰A，2θ在12.82°至13.2°之间，峰强度为I_A；衍射峰B，2θ在17.63°至18.15°之间，峰强度为I_B；衍射峰C，2θ在21.80°至22.40°之间，峰强度为I_C；衍射峰D，2θ在25.92°至26.38°之间，峰强度为I_D；其中，衍射峰B的峰强度I_B最大；除衍射峰A、衍射峰C和衍射峰D外的其他任意衍射峰与衍射峰B的峰强度比值均不超过0.07。
一种磷酸分子筛制备方法应用

[发明专利]经过锶改善的镍钴锰三元材料的制备方法-CN201710773250.2有效
发明人：童庆松;曾观音;翁景峥;马莎莎;余欣瑞;李秀华 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及经过锶改善的镍钴锰三元材料的制备方法，其特征在于所述的锶离子化合物为氧化锶、氯化锶、硝酸锶、氢氧化锶或碳酸锶。本发明制备的三元材料具有XRD衍射图上的衍射峰均与JCPDS卡片09‑0063的层状α‑NaFeO2结构的特征衍射峰相吻合，样品的XRD衍射图的2θ角20～25°区间没有出现弱的衍射峰，没有对应于JCPDS卡片27‑1252的Li2MnO3衍射产生的衍射峰的特点。
经过改善镍钴锰三元材料制备方法

[发明专利]钠离子电池正极材料及其制备方法、钠离子电池-CN202311117897.1在审
发明人：陈飞江;刘亚飞;陈彦彬 -专利权人：北京当升材料科技股份有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明涉及钠离子电池技术领域，具体涉及一种钠离子电池正极材料及其制备方法和一种钠离子电池，该正极材料的XRD图谱中，分别在2θ为15‑19°和39‑44°处具有(003)晶面和(104)晶面的特征衍射峰A和特征衍射峰B；其中，所述特征衍射峰A的微晶尺寸DA和特征衍射峰B的微晶尺寸DB满足：1.3≤D
钠离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]一种具有介孔和微孔结构的含钛复合材料及其制备方法-CN200710099852.0有效
发明人：林民;史春风;龙军;朱斌;舒兴田;慕旭宏;罗一斌;汪燮卿;汝迎春 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： B01J29/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有介孔和微孔结构的含钛复合材料，其特征在于该复合材料的X射线衍射谱图中，在2θ为2.3°±0.1°、4.0°±0.2°、4.6°±0.3°处各有一个衍射峰，在2θ为7.5－9.0°范围内至少有二个衍射峰，在2θ为23.0－25.0°范围内至少有三个衍射峰。
一种具有微孔结构复合材料及其制备方法

[发明专利]一种TiCN基金属陶瓷-CN201711466012.3在审
发明人：鲁攀;许荣杰;聂洪波;项忠楠;郭新营;江嘉鹭 -专利权人：厦门钨业股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C22C29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种特殊结构的TiCN基金属陶瓷，包括硬质相和粘结相，通过对TiCN基金属陶瓷进行X射线衍射测量得到原始谱图，原始谱图包括在布拉格角2θ为47°‑49.7°出现的衍射峰A和在布拉格角2θ为132.1°‑139.7°出现的衍射峰B；衍射峰A的峰边宽0.92°‑1.48°，衍射峰B的峰边宽0.84°‑2.0°；衍射峰A进行峰形拟合得到分峰图谱，分峰图谱中所述衍射峰A分峰数量为1个‑3个；衍射峰A分峰中最强峰的峰面积占所述衍射峰
衍射峰基金属陶瓷布拉格角图谱定量化控制切削工具使用寿命微观结构粘结相最强峰峰形拟合硬质优化保证

[发明专利]正极活性材料、正极极片及钠离子电池-CN202211178783.3在审
发明人：刘倩;林文光;梁成都;郭永胜 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：0.33，0h≤0.24，0≤k≤0.32，0l≤0.68，0≤m0.1，h+k+l+m＝1，0≤y0.2；正极活性材料的水含量为6000ppm以下；正极活性材料具有六方层状晶体结构；正极活性材料在X射线衍射下包含(003)晶面的特征衍射峰和(104)晶面的特征衍射峰，且(003)晶面的特征衍射峰的半峰宽为0.01°～0.5°，(104)晶面的特征衍射峰的半峰宽为0.01°～0.5°。
正极活性材料钠离子电池

[发明专利]采用X射线衍射法区分牛尾蒿和牛尾蒿炭的方法-CN201810565164.7有效
发明人：刘圆;杨正明;李莹;黄艳菲 -专利权人：西南民族大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本发明提供了采用X射线衍射法区分牛尾蒿和牛尾蒿炭的方法，它是通过X射线衍射峰进行鉴别的。本发明研究发现，采用X射线衍射法，可以将牛尾蒿和牛尾蒿炭通过特征峰进行区分，找到两者的差异，为两者的区分、鉴别提供了帮助。
采用射线衍射区分牛尾方法

[发明专利]一种粉末X射线衍射图谱的衍射峰定标方法-CN202010245672.4有效
发明人：阳卓岑;马健;温书豪;赖力鹏 -专利权人：深圳晶泰科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本发明提供一种粉末X射线衍射图谱的衍射峰定标方法，包括以下步骤：（1）对原始衍射数据进行插值平滑处理；（2）选定数据处理窗口，寻峰算法将对窗口范围内的数据进行寻峰计算；（3）对划定的数据处理窗口内的数据计算参数，识别并记录出该窗口内可能的衍射峰位置；（4）对选出的衍射峰位置进行过滤；（5）将选定的数据处理窗口进行移动，选定新的数据处理窗口位置，重复（3）—（4）步骤，识别并记录新得到的衍射峰位置；（6）将所有获取到的衍射峰位置进行聚类，距离过近的衍射峰位置合并为同一衍射峰。本发明能够对各种情况的衍射峰保持较高的识别率，过滤错误的衍射峰，显著减少标定缺失/寻峰错误的情况。
一种粉末射线衍射图谱定标方法

[发明专利]一种超高镍四元正极材料及其制备方法和应用-CN202210171909.8在审
发明人：白艳;李子郯;张树涛;王壮;王亚州;孙裴;宋宝玉;陈素杰;杨红新 -专利权人：蜂巢能源科技股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：base:Sub>cAldO2，其中，0.95≤a≤0.99，a+b+c+d＝1；正极材料经过X射线衍射测试后，满足：特征衍射分裂峰(006)+(012)的峰强的总和与特征衍射峰(110)的峰强度比R1，0.430≤R1≤0.450；锂镍混排R2≤1.05％；特征衍射峰(003)的晶粒尺寸D(003)，49.0nm≤D(003)本发明通过限定超高镍正极材料中的峰强之比R1、锂镍混排R2的程度，同时限定主峰中的D(003)
一种超高镍四元正极材料及其制备方法应用

[发明专利]四氢三唑并吡啶衍生物的盐及其晶体-CN201080009393.2有效
发明人：南园拓真;北泽则孝;栉田郁雄 -专利权人：卫材R&D管理有限公司
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明提供了具有A产生抑制作用的由式(1)表示的化合物的1.5D-酒石酸盐的晶体，其特征在于该晶体在粉末X-射线衍射测定中在23.2°的衍射角(2θ±0.2°)处具有衍射峰；式(1)化合物的二硫酸盐的晶体，其特征在于该晶体在粉末X-射线衍射测定中在17.1°的衍射角(2θ±0.2°)处具有衍射峰；式(1)化合物的多种其它的盐；这些盐的晶体多晶型物等；其被期望用作药物。
四氢三唑吡啶衍生物及其晶体

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