专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]鼻腔深部给药设备-CN201620700227.1有效
  • 杨振九;赵国钧 - 杨振九;赵国钧
  • 2016-07-05 - 2017-04-12 - A61M31/00
  • 本实用新型公开一种鼻腔深部给药设备,其中,该鼻腔深部给药设备包括内导管和套设于所述内导管外的外导管,所述外导管的出口端与所述内导管的出口端均用于伸入鼻腔内,所述内导管的出口端在伸出所述外导管的出口端时形成朝预定方向弯曲的结构在采用本实用新型的鼻腔深部给药设备对病人进行治疗时,能够使内导管的出口端朝向颅内方向弯曲,以通过供药器经内导管向鼻腔深部内注入药物。在病人清醒时,利用鼻腔深部给药设备可以无痛且无创伤(非侵入性)地在鼻腔深部内给药,使药物直接且精确地达到需治疗的部位。
  • 鼻腔设备
  • [实用新型]一种新型的只读式巷道顶板离层仪-CN201720648481.6有效
  • 朱稳樑;祁和刚;谢树鹏;周振;周剑;杨可 - 中天合创能源有限责任公司
  • 2017-06-06 - 2018-02-06 - G01B5/02
  • 本实用新型公开一种新型的只读式巷道顶板离层仪,包括钻孔内部预设的深部基点、浅部基点,钻孔的内部推入有套管,套管连接测量管,测量管的一端设置为深测管,测量管的另一端设置为浅测管,深部基点通过深基点锚固器连接深部测绳,浅部基点通过浅基点锚固器连接浅部测绳,深部测绳连接于深测管外部的深部指示环,浅部测绳的尾端分叉,浅部测绳分叉的一端连接于浅测管外部的浅部指示环,浅部测绳分叉的另一端连接于深测管内部安装的滑动内套管,即可以直接读出顶板至浅基点、深基点的离层量,又能直接读出深部围岩的离层量,设计新颖,是一种很好的创新方案。
  • 一种新型只读巷道顶板离层仪
  • [实用新型]监测单元和监测设备-CN202023343679.4有效
  • 张国俊 - 国家能源集团煤焦化有限责任公司;国能蒙西煤化工股份有限公司
  • 2020-12-31 - 2021-07-27 - G01C5/00
  • 该监测单元包括卷绳机构、探测机构和计量计,探测机构包括探测主体和多个探测爪,探测主体插设于采空区的钻孔,多个探测爪铰接于探测主体的底部并能够在探测主体的压力作用下发生旋转,以使探测爪能够贴合深部地层设置并随深部地层同步沉降,进而带动探测主体沉降,卷绳机构包括绳体和缠绕绳体的卷轴,绳体的两端分别与卷轴和探测主体连接,卷轴位于采空区的地表层并能在探测主体的带动下释放绳体,计量计能够测量绳体的释放长度,以获取深部地层的沉降距离该监测单元的探测爪能够贴合深部地层设置并且随深部地层沉降,便于精准获取深部地层的实际沉降距离。
  • 监测单元设备
  • [发明专利]深部打结器-CN201210065822.9无效
  • 马光元 - 马光元
  • 2012-03-14 - 2012-07-25 - A61B17/04
  • 深部打结器属于一种医疗器械,用于手术深部打结,由手持部(1)、钳叉部(2)组成,两者连成一体,所述钳叉部(2)为两根对称的叉体,叉体之间有横杆(3)将两叉体撑开,叉尖部为弯钩状,弯钩前端开设有线槽(4),深部打结器能有效解决手术缝合打结所带来的困难和问题,保证了深部手术缝合打结的安全、可靠,给病人的生命带来了极大的安全保障作用。
  • 打结
  • [实用新型]套式深部激光针-CN91217774.8无效
  • 李方正;李学顺;卜宏建;毛海涛 - 河南大学
  • 1991-07-06 - 1993-12-15 - A61B17/36
  • 本实用新型是一种用于兽医学的套式深部激光针。单根光导纤维穿入内管并与其固定粘结,内管前端面为平面并与管轴垂直且抛光,使光纤输出端成镜面。内管置于前端面为斜面的外管中,构成套式深部激光针。套式深部激光针刺入兽体穴位或组织时,由光导纤维传输的激光和针体产生的机械刺激同时作用于穴位或组织深部,产生治疗作用。
  • 套式深部激光
  • [发明专利]功率用半导体装置-CN201510882702.1有效
  • 高桥彻雄 - 三菱电机株式会社
  • 2015-12-03 - 2019-02-19 - H01L29/739
  • 半导体衬底(71)的第1面(S1)具有分别包含于IGBT区域(81)及二极管区域(82)的部分。设置在第1面(S1)的沟槽(TR)包含配置在栅极沟槽与二极管区域(82)间的边界沟槽。半导体衬底(71)的第4层(41)设置在第1面(S1),具有包含于二极管区域(82)的部分。第4层(41)包含:沟槽包覆阱区域(16B),其对边界沟槽的最深部进行包覆;分离阱区域(16F);以及扩散区域(17),其将沟槽包覆阱区域(16B)以及多个分离阱区域(16F)间连接。扩散区域(17)的杂质浓度比分离阱区域(16F)的杂质浓度低。第1电极(11)与分离阱区域(16F)接触且远离扩散区域(17)。
  • 功率半导体装置

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