专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种用于分离处理材料和金属杂质的装置-CN202222574924.5有效
  • 武文鑫;蔡晓岚;于庆凯;周振义 - 上海氢田新材料科技有限公司
  • 2022-09-28 - 2023-04-25 - C01B32/05
  • 本申请公开一种用于分离处理材料和金属杂质的装置,该装置包括:第一容纳件、第二容纳件、阳极件和驱动件;第一容纳件能够容纳导电溶液,第一容纳件的至少部分侧壁构造为阴极件;第一容纳件中设有第二容纳件,第二容纳件用于容纳携带有金属杂质的处理材料;第二容纳件包括液体穿透,液体穿透能够允许携带导电离子的导电溶液通过,且不允许处理材料以及金属杂质通过;第二容纳件中设有阳极件和驱动件,驱动件用于驱动处理材料在第二容纳件中流动,利用本申请提供的技术方案可以实现对携带有金属的处理材料进行分离,得到分离后的处理材料和金属单质,且整个分离过程中不会破坏处理材料结构,同时,整个过程中无强酸的参与,进而还能够避免对环境造成污染。
  • 一种用于分离处理材料金属杂质装置
  • [发明专利]一种特级双相不锈铸钢QPQ处理方法-CN201410196795.8有效
  • 刘东;向红亮 - 福州大学
  • 2014-05-12 - 2014-08-06 - C22C38/44
  • 本发明提供了一种超级双相不锈铸钢及其QPQ(Quench-Polish-Quench)处理方法,特级双相不锈钢材料含有下列重量百分比的成分:C≤0.03%、Si≤1.0%、Mn≤1.0%、Ni:5.0%材料先进行固溶处理再进行QPQ处理。QPQ处理主要为两部分,第一分进行渗氮处理,采用氰酸根型基盐。第二分为氧化处理。QPQ处理后的材料在保证常规的力学性能、耐蚀性能下,能显著提高耐磨性,延长材料或者零件使用寿命,具有显著的经济效益。
  • 一种特级不锈铸钢qpq处理方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110914814.6在审
  • 赵振阳;柯星;郑二虎 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-08-10 - 2023-04-04 - H01L27/088
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,包括衬底、以及衬底上的底部鳍材料层,衬底包括第一器件区以及第二器件区;在底部鳍材料层上形成第一鳍材料层,第一鳍材料层的材料与底部鳍材料层的材料不同;去除位于第二器件区的第一鳍材料层,形成露出底部鳍材料层顶部的开口;在开口中形成第二鳍材料层;进行鳍图形化处理,将底部鳍材料层图形化为底部鳍,将第一鳍材料层图形化为凸立于第一器件区底部鳍的第一器件鳍,将第二鳍材料层图形化为凸立于第二器件区底部鳍的第二器件鳍。形成的第二器件鳍以及第一器件鳍与底部鳍的接触面均较为平整,提升了第二器件鳍和第一器件鳍的高度一致性。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]图像形成装置、后处理装置以及电源单元-CN201110395956.2有效
  • 小寺伸一 - 京瓷美达株式会社
  • 2011-11-28 - 2012-06-06 - G03G15/00
  • 本发明提供一种图像形成装置、后处理装置以及电源单元。本发明的图像形成装置包括:具有将在其上形成了图像的图像被形成材料排出到外部的主体侧排出的主体装置;以及对被后处理单元侧送入供应的图像被形成材料进行预定的后处理的后处理装置,后处理装置包括将从主体装置内的主电源供应的电力变压成中继单元和后处理装置的驱动所需的电压的电源单元根据本发明,不需要在主体装置内设置后处理装置用的电源,由此能够减少部件和空间。
  • 图像形成装置处理以及电源单元

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