专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种纯硅沸石复合及其制备方法和应用-CN202011177144.6在审
  • 吴苏州;陈俊孚;任嵬 - 武汉市晶博特科技有限公司
  • 2020-10-28 - 2021-02-23 - B01D71/02
  • 本发明涉及沸石制备技术领域,特别是一种纯硅沸石复合及其制备方法,本发明制备方法主要采用含硅烷偶联剂的改性溶液对多孔载体进行改性,通过硅烷偶联剂来改善多孔载体在改性溶液中的分散性以及多孔载体与有机改性溶液的结合力,大大增加了改性有机物与多孔载体的界面结合的牢固性以及改性物质在载体表面和载体孔隙中的覆盖率,而后通过高温处理将已经全面覆盖于载体表面的改性有机物炭化为一层碳。本发明所制备的纯硅沸石显示出较低的气体分子、液体分子传输阻力和较高的分离选择性,具有优越的分离性能,同时本发明的纯硅沸石制备方法简单、节能环保,可以推广到其他类型沸石的制备中,适合沸石规模化生产
  • 一种纯硅沸石复合及其制备方法应用
  • [发明专利]一种基于低温等离子体技术的低污染型膜分离装置-CN201510574679.X有效
  • 赵如金;于博;龚丽影;王勇;王韦胜;朱凡 - 江苏大学
  • 2015-09-11 - 2018-02-27 - C02F9/14
  • 本发明提供一种基于低温等离子体技术的低污染型膜分离装置,该装置包括等离子体改性帘式组件、生物炭小球、不锈钢丝网骨架和等离子体改性无纺布外罩;等离子体改性帘式组件和生物炭小球设置在不锈钢丝网骨架的内部,等离子体改性无纺布外罩罩在不锈钢丝网骨架的外面;等离子体改性帘式组件和等离子体改性无纺布外罩经低温等离子体技术改性制成;该低污染型膜分离装置,基于低温等离子体技术对帘式组件表面和无纺布外罩表面进行改性引入大量羟基、羰基等亲水性极性基团,使表面和无纺布外罩表面的亲水性增强,耐污性能得到提高;在传统基础上,增设不锈钢丝网骨架、等离子体改性无纺布外罩和生物炭小球,制作成本较低,有效减缓污染。
  • 一种基于低温等离子体技术污染分离装置
  • [发明专利]一种改性布制备工艺及其应用-CN201710918852.2有效
  • 李和伟 - 李和伟
  • 2017-09-30 - 2020-10-30 - A61K8/02
  • 本发明属于制用品领域,尤其涉及一种改性布制备工艺及其应用。本发明提供的制备工艺包括以下步骤:a)、提供涂布液;所述涂布液中含有挥发性成分和/或热敏性成分,和非挥发性非热敏性增稠剂;所述涂布液不含水;之后将所述涂布液涂布在布表面,得到改性布;或,b)、提供涂布液;所述涂布液中含有挥发性成分和/或热敏性成分;所述涂布液不含水;之后将所述涂布液涂布在预涂有非挥发性非热敏性增稠剂的布表面,得到改性布。本发明提供的改性布制备工艺可在改性布中添加挥发性成分,且在添加热敏性成分时也无需选择冻干的脱水方式。
  • 一种改性制备工艺及其应用
  • [发明专利]一种高强度聚乙烯改性TPU高低温及其制备方法-CN202310657413.6在审
  • 李锋 - 广东中鼎科技发展有限公司
  • 2023-06-05 - 2023-08-22 - B32B27/40
  • 本发明涉及TPU技术领域,具体涉及一种高强度聚乙烯改性TPU高低温及其制备方法。高强度聚乙烯改性TPU高低温包括由上至下依次设置的第一TPU层、纱线层和第二TPU层,所述第一TPU层和纱线层之间以及第二TPU层和纱线层之间均设有PU复合层。本发明的高强度聚乙烯改性TPU高低温具有耐老化性、耐水性强、抗冲击性能强和拉伸性能强的特点,可以作为鞋面骨架,鞋面,还有其他。高强度聚乙烯改性TPU高低温的制备方法工艺简单,操作易控,有利于工业化大生产,制得的高强度聚乙烯改性TPU高低温质量稳定,综合性能优越。
  • 一种强度聚乙烯改性tpu低温及其制备方法
  • [发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置-CN201110221425.1有效
  • 细谷正德;伊藤雅大;吉田亮一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2011-08-03 - 2012-02-08 - H01L21/3065
  • 本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置,在对将抗蚀剂作为掩模的防反射进行蚀刻工序之前,使抗蚀剂良好地改性。等离子体处理方法包括以下工序:蚀刻工序,对在被蚀刻层上形成作为防反射的Si-ARC(15)而在防反射上形成图案形成后的ArF抗蚀剂(16)而成的层叠,使用从蚀刻气体生成的等离子体来将上述抗蚀剂作为掩模对上述防反射进行蚀刻;以及改性工序,在上述蚀刻工序之前,执行对等离子体处理装置导入含有CF4气体、COS气体以及Ar气体的改性用气体,用从该改性用气体生成的等离子体使ArF抗蚀剂(16)改性
  • 等离子体处理方法以及装置

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