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[发明专利]一种增强型陶瓷金属水龙头及其制备方法-CN201110047526.1有效
发明人：余水;黄贤明;李明仁 -专利权人：厦门建霖工业有限公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： F16K27/00 文献下载
摘要：一种增强型陶瓷金属水龙头及其制备方法，涉及一种水龙头。所述增强型仿金属塑料水龙头包括ABS塑料外壳和配套部件，所述配套部件包括阀芯、手柄、出水网、密封圈、紧固螺钉等。先将水龙头的金属水道按照水龙头的水路要求组合好；将组合好水道放入在水龙头的金属外壳的模具中，并固定好；将陶瓷矿物粉与增强添加剂混合，加入水搅拌后，填充在水龙头外壳的模具中，成型后从模具中取出，并安装在水龙头的金属外壳中，将准备好的按常规工艺生产的水龙头配套部件，包括阀芯、手柄、出水网、密封圈、紧固螺钉等按照常规的组装方式组装成增强型陶瓷金属水龙头，所述陶瓷矿物粉与增强添加剂的质量比为1∶(0.1～1.5)。
一种增强陶瓷金属水龙头及其制备方法

[发明专利]一种电流源电路-CN202111250550.5有效
发明人：李兆桂;易鹏;高会阁 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及电路技术领域，提供了一种电流源电路，包括：电源电压输入电路输入电源电压；电源电压防抖电路与电源电压输入电路连接；电源电压防抖电路包括：第三增强型NMOS管与第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管连接；第三增强型NMOS管的漏极与第三增强型NMOS管的源极连接；第三增强型NMOS管接入电源电压；第一本征NMOS管的源极，与第五增强型NMOS管的漏极、第四增强型NMOS管的漏极连接至第一节点；第二增强型NMOS管的源极与第三增强型NMOS管的漏极、第三增强型NMOS管的源极、第五增强型NMOS管的源极连接至第二节点；其中，当从待机模式切换为正常工作模式时，所述第五增强型NMOS管打开，第二节点电压升高以进行预充电
一种电流电路

[发明专利]用于支持上行链路传输中的分组的分段的方法和装置-CN200880108782.3有效
发明人： D·帕尼;C·R·凯夫;P·马里内尔;S·E·泰利 -专利权人：交互数字专利控股公司
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：一种用于对媒介接入控制(MAC)服务数据单元(SDU)进行分段的方法和装置，该方法和装置通过连接接收自逻辑信道的MAC SDU来在增强型MAC-e/es子层中创建增强型MAC-es PDU。增强型传输格式组合(E-TFC)选择实体将MAC SDU的连接控制成增强型MAC-es PDU。当接收到的MAC SDU太大而不适合选定的增强型MAC-es PDU有效载荷时，分段实体对MAC SDU进行分段，以使得MAC SDU分段填入选定的增强型MAC-es PDU中可用的剩余有效载荷。然后，向增强型MAC-es PDU分配传输序列号(TSN)，并且所述增强型MAC-es PDU与其它增强型MAC-es PDU复用，以创建单个增强型MAC-e PDU，该增强型MAC-e PDU将会在下一个HARQ实体对增强型MAC-e PDU进行存储，并且如果需要的化，还会在传输发生错误时对该增强型MAC-e PDU进行重传。
用于支持上行传输中的分组分段方法装置

[实用新型]一种增强热塑复合结构壁管-CN201120308780.8有效
发明人：郑能欢;杨春江 -专利权人：深圳金鸿机械制造有限公司
申请日： 2011-08-23 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： F16L9/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增强热塑复合结构壁管，包括基板和与基板成一体的波纹加强肋，以及与所述波纹加强肋，或同时与所述基板和所述波纹加强肋成一体的增强型材，还包括设置在所述增强热塑复合结构壁管两端的切断端面上，且与所述增强热塑复合结构壁管的热塑材料层相同或相容的补焊塑料包覆层，所述补焊塑料包覆层覆盖于裸露的所述增强型材上。本实用新型提供的增强热塑复合结构壁管，在定长切断后，对波纹加强肋及裸露的增强型材的切断端面去除锐边，并对去锐边后，裸露的增强型材切口覆盖补焊塑料包覆层，该补焊塑料包覆层能够覆盖住裸露的增强型材，从而避免了增强型材与管内液体接触而被腐蚀，影响增强热塑复合结构壁管的环刚度和正常使用。
一种增强复合结构

[发明专利]一种孔眼型三维机织网架织物增强轻质板材及其制备方法-CN201210536539.X无效
发明人：周罗庆;周超美 -专利权人：江南大学
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：一种孔眼型三维机织物增强了的轻质板材及其制备方法。它使用整体结构的孔眼型三维机织网架织物作为其增强骨架，以如下的步骤进行制备：首先是在机织布机上织造孔眼型三维机织网架织物，然后将织造下机后的孔眼型三维机织网架织物放入发泡设备的模具中为骨架，通过公知的泡沫塑料发泡工艺制成增强型泡沫板材该增强型泡沫板材根据选用的发泡材料和工艺可以是软质的，也可以是硬质的。
一种孔眼三维机织网架织物增强板材及其制备方法

[发明专利]一种增强型光缆及制备方法-CN202310811088.4在审
发明人：樊轩虎;朱勇;宋静静;张义军;孙国青;李璇;张笑;张凡;张旺 -专利权人：西安西古光通信有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型光缆及制备方法，该增强型光缆包括由内至外依次设置的缆芯、铠装层和增强型护套层，增强型护套层中设置有增强件，增强件类型包含螺旋型和编织网状型，增强件位于增强型护套层的中心位置。本发明提供的增强型光缆及制备方法中，缆芯外设置有铠装层和增强型护套层，增强型护套层内嵌入增强件，可赋予光缆优异的机械性能、抗侧压性能和防护性能等优点，可提升护套抵御动物的啃咬，延长光缆的使用寿命，在同等芯数外径下，增强型光缆具有重量轻和防护效果优良的特点，且施工运维成本低，产品优势明显，提升了防护型光缆产品的竞争力，切合市场实际需求，未来市场效益会进一步显现和提升。
一种增强光缆制备方法

[实用新型]一种砼式增强型滤板-CN202021935167.4有效
发明人：周林杰;杨华;陈科庆;莫廷斌 -专利权人：浙江杰为凯环保科技有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： B01D25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种包括增强型滤板外框和增强型滤板，所述增强型滤板外框的内侧活动连接有增强型滤板，增强型滤板外框包括外框本体、外框边角孔、凹陷槽、夹紧板活动槽、弹簧、夹紧板、导流通道和排液分支管，所述外框本体的四角中部开设有外框边角孔该砼式增强型滤板设置有增强型滤板，通过增强型滤板两侧的连接固定板放置于夹紧板活动槽中，通过弹簧给夹紧板一定的力，有效的将连接固定板夹紧并固定，增强型滤板外框与增强型滤板连接，在压缩过程中，增强型滤板主体内部的钢丝网
一种增强型滤板

[实用新型]数字增强型无线免持通讯装置-CN201020108484.9无效
发明人：林碧芬 -专利权人：林碧芬
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种数字增强型无线免持通讯装置，包括一数字增强型无线主机与一数字增强型无线耳机；数字增强型无线主机耦接于一公共交换电话网，其上设置有一耳机容置空间，耳机容置空间设置有一磁性元件；数字增强型无线耳机可分离的设置于耳机容置空间，通过数字增强型无线通讯技术与数字增强型无线主机通讯连接；数字增强型无线耳机设置有一导磁元件，并于数字增强型无线耳机接近耳机容置空间时，磁性元件吸附数字增强型无线耳机的导磁元件，使数字增强型无线耳机快速容置于耳机容置空间中
数字增强无线通讯装置

[发明专利]金属-塑料复合专用增强型热熔胶及高性能复合管材-CN201611187845.1有效
发明人：王景旺;高元杰;刘伟 -专利权人：天津中财型材有限责任公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C09J187/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属‑塑料复合专用增强型热熔胶及高性能复合管材，由包括如下重量份数的原料制备而得：聚乙烯接枝马来酸酐型热熔胶树脂：40～46份；去离子水：50～56份；催化剂：0.5～0.8份；氧化石墨烯本发明所述的金属‑塑料复合专用增强型热熔胶与金属的粘合强度极高，与高密度聚乙烯具有极好的相容性，同时由于氧化石墨烯的引入，使得该热熔胶的各方面物理性能得到了不同的提高。
热熔胶塑料复合增强型金属氧化石墨烯复合管材聚乙烯接枝马来酸酐高密度聚乙烯热熔胶树脂去离子水无水酒精物理性能原料制备重量份数相容性粘合催化剂引入

[发明专利]转移增强型上行链路数据的方法和无线传送/接收单元-CN200910266056.0有效
发明人：张国栋;史蒂芬·E·泰利;史蒂芬·G·迪克 -专利权人：美商内数位科技公司
申请日： 2004-11-10 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H04B7/216 文献下载
摘要：本发明提供一种转移增强型上行链路数据的方法和无线传送/接收单元。所述方法包含：在所述无线传送/接收单元的缓冲器中产生所述增强型上行链路数据；传送包含存储于所述缓冲器中的增强型上行链路数据的量的起始增强型上行链路数据传输请求消息，其中所述增强型上行链路数据与多个数据流相关联，其中所述多个数据流与多个优先等级相关联，所述起始增强型上行链路数据传输请求消息指示所述无线传送/接收单元具有待转移的增强型上行链路数据；接收增强型上行链路数据调度消息；及确定所述增强型上行链路数据调度消息是否允许将被传送的所述存储于所述缓冲器中的增强型上行链路数据的量
转移增强上行路数方法无线传送接收单元

[实用新型]增强型网布纸-CN89211896.2无效
发明人：董明安 -专利权人：董明安
申请日： 1989-12-08 - 公布日： 1990-07-25 - 主分类号： D21H27/30 文献下载
摘要：本实用新型是一种在纸材料(1)中直接埋置网格布(2)以增强其机械纵横强度的网布纸，比较普通带网格布的复合纸，其生产工艺简单且生产成本降低。采用此结构，可做成增强型网布卫生纸、增强型网布油毡纸、增强型网布牛皮纸、增强型网布印刷纸、增强型网布晒图纸及增强型网布钞票纸等各种网布纸及其制品。
增强网布

[发明专利]对讲机的稳压电路-CN201610993477.3在审
发明人：曾国春 -专利权人：曾国春
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开了对讲机的稳压电路，包括电阻一、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一及N沟道增强型绝缘栅型场效应管一，电阻一两端分别与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一源极和N沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极连接，N沟道增强型绝缘栅型场效应管一的源极接地，P沟道增强型绝缘栅型场效应管一为二极管连接的MOS管，N沟道增强型绝缘栅型场效应管一栅极与P沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极连接。N沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极与电阻一之间的线路上连接有直流电压输入线，P沟道增强型绝缘栅型场效应管一源极与电阻一之间的线路上连接有直流电压输出线。本发明采用上述结构，整体结构简单，便于实现，本发明应用时通过P沟道增强型绝缘栅型场效应管一和N沟道增强型绝缘栅型场效应管一的作用能避免泄放电压出现跳变，进而避免解调失败。
绝缘栅型场效应管电阻漏极稳压电路对讲机源极直流电压输出线二极管连接解调失败源极接地直流电压输入线跳变泄放应用

[发明专利]用于电子标签中天线的电压限幅模块-CN201210225626.3无效
发明人：曾维亮 -专利权人：成都市宏山科技有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明公开了用于电子标签中天线的电压限幅模块，包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管、第一电容、第一天线信号输入端、第二天线信号输入端及多个串联的P沟道增强型场效应管，多个串联的P沟道增强型场效应管与第一电容并联构成串并联线路。第一天线信号输入端连接在第一N沟道增强型场效应管漏极和第三N沟道增强型场效应管源极之间的线路上，第二天线信号输入端连接在第二N沟道增强型场效应管漏极与第四N沟道增强型场效应管漏极之间的线路上。本发明通过调整第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管实现天线的电压限幅，不会对功率产生影响。
用于电子标签天线电压限幅模块

[实用新型]用于电子标签中天线的电压限幅模块-CN201220316374.0有效
发明人：曾维亮 -专利权人：成都市宏山科技有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本实用新型公开了用于电子标签中天线的电压限幅模块，包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管、第一电容、第一天线信号输入端、第二天线信号输入端及多个串联的P沟道增强型场效应管，多个串联的P沟道增强型场效应管与第一电容并联构成串并联线路。第一天线信号输入端连接在第一N沟道增强型场效应管漏极和第三N沟道增强型场效应管源极之间的线路上，第二天线信号输入端连接在第二N沟道增强型场效应管漏极与第四N沟道增强型场效应管漏极之间的线路上。本实用新型通过调整第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管实现天线的电压限幅，不会对功率产生影响。
用于电子标签天线电压限幅模块

[发明专利]带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型JFET的半导体器件及其制备方法-CN201110306022.7有效
发明人：雷燮光;王薇 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET器件和等效增强型JFET(等效二极管增强型JFET)器件位于公共半导体衬底区上方。等效二极管增强型JFET器件具有公共半导体衬底区，作为其等效二极管增强型JFET漏极。至少两个类型-2导电类型的等效二极管增强型JFET栅极区位于等效二极管增强型JFET漏极上方，并且在水平方向上相互分离，带有等效二极管增强型JFET栅极间距。至少一个类型-1导电类型的等效二极管增强型JFET源极位于公共半导体衬底区上方，以及等效二极管增强型JFET栅极之间。顶部等效二极管增强型JFET电极位于等效二极管增强型JFET栅极区和等效二极管增强型JFET源极区上方，并与它们相接触。如果配置得合适，等效二极管增强型JFET会同时具有大幅低于PN结二极管的正向电压Vf，以及可以与PN结二极管相比拟的反向漏电流。
带有 mosfet 正向电压等效二极管增强 jfet 半导体器件及其制备方法