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[发明专利]衬底结构及其制作方法-CN201810054092.X有效
发明人：饶潞;黄金雷;梁超;都秉龙;刘如胜 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：衬底结构的制作方法包括以下步骤：提供支撑基底；在支撑基底上形成曝光后的感光材料层，曝光后的感光材料层具有第一结合力区和第二结合力区，其中，第一结合力区与支撑基底的结合力小于第二结合力区与支撑基底的结合力；以及在曝光后的感光材料层上形成柔性基底，将第一结合力区上的感光材料与柔性基底去除，得到图案化的感光材料层以及图案化的柔性基底层，以得到衬底结构。上述衬底结构的制作方法中，可以通过曝光得到任意图案的第一结合力区和第二结合力区，由于第一结合力区与支撑基底的结合力较小，从而容易将第一结合力区上的感光材料与柔性基底从支撑基底上去除，从而实现衬底结构的图案多样化
衬底结构及其制作方法

[发明专利]自调整结合力的柔性电子系统-CN201911076328.0有效
发明人：冯雪;李航飞;程嘉辉 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：提供了一种自调整结合力的柔性电子系统，柔性电子系统包括变形柔性基底、发热器件和易挥发物质，变形柔性基底包括膜基衬底和结合体阵列，结合体阵列用于与结合对象接触并施加结合力，膜基衬底承载结合体阵列并能够在压力下变形，变形柔性基底的内部设有密封的液腔，液腔容纳易挥发物质，易挥发物质在常温下处于液态，发热器件承载于变形柔性基底除膜基衬底和结合体阵列以外的其他部分，当发热器件发热时，易挥发物质受热并挥发成气态，膜基衬底向液腔的外部鼓起，结合体阵列变形从而结合力减小。该自调整结合力的柔性电子系统具有自主调控的特点，其可以方便的从结合对象脱开而不损坏内部的电子器件。
调整结合柔性电子系统

[发明专利]一种具有高膜基结合力的表面增强拉曼基底及制备方法-CN202210883713.1在审
发明人：曹燕强;王鑫鑫;钱继松;蒋剑莉;蒋立勇 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C25D3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高膜基结合力的表面增强拉曼基底及其制备方法，属于分子识别和纳米制备领域，本发明在固体基底表面制备具有纳米间隙的金属纳米结构，使用原子层沉积对金属纳米结构包裹纳米级厚度的氧化物，然后对样品进行辊轧，从而在基底上形成一层致密的金属‑氧化物平面复合结构，提高金属纳米材料在基底上的结合力，随后通过化学腐蚀的方法去除包裹的氧化物，暴露金属纳米结构之间原本存在的间隙，即可得到具有高膜基结合力的高性能SERS基底。
一种具有高膜基结合表面增强基底制备方法

[发明专利]一种增强聚合物与无机涂层结合力的方法-CN202310812510.8在审
发明人：潘磊;李思源;赵九蓬;李垚;徐洪波 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C08J7/043 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强聚合物与无机涂层结合力的方法，该方法包括：(1)提供聚合物基底；(2)采用粘接剂在所述聚合物基底的表面复合陶瓷纤维，得到纤维过渡层；(3)在所述纤维过渡层的表面复合无机涂层，以增强所述聚合物基底与无机涂层的结合力本发明中，通过在聚合物基底和无机涂层之间复合纤维过渡层，纤维过渡层能够与聚合物基底和无机涂层之间形成三维纠缠的体相结构，从而将聚合物基底和无机涂层的二维界面转化为三维界面，进而大幅提升了聚合物基底和无机涂层之间的结合力
一种增强聚合物无机涂层结合方法

[发明专利]一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法-CN201210585107.8有效
发明人：吕琴丽;李弢;杨明华;郜健 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法，包括以下步骤：A.将加工好的钼栅网进行真空除气，温度为800±20℃；B.采用离子束辅助沉积法在上述Mo栅网上沉积一层反发射薄膜；C.对所制成的栅网进行退火处理本发明利用离子束辅助沉积法在钼栅网基底上沉积反发射薄膜，通过离子束轰击基底表面，提高基底表面粗糙度，从而使得反发射薄膜与钼栅网基底结合力增加，再结合后续高温退火处理，使得反发射薄膜和钼基底间形成合金相，进一步提高了反发射薄膜与钼栅网基底结合力。
一种提高发射薄膜钼栅网基底结合方法

[发明专利]自调整结合力的柔性电子系统的制备方法-CN201911076346.9有效
发明人：冯雪;李航飞;刘鑫;韩志远 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： A61B5/04 文献下载
摘要：提供一种自调整结合力的柔性电子系统的制备方法，其包括：制备变形柔性基底：制备变形柔性基底以使其具有液腔、膜基衬底和承载于所述膜基衬底的结合体阵列，所述膜基衬底形成所述液腔的腔壁，所述结合体阵列用于与结合对象接触并施加结合力；向所述液腔填充易挥发物质，然后密封所述液腔，所述易挥发物质在常温下处于液态；以及在所述变形柔性基底上结合发热器件；当所述发热器件发热时，所述易挥发物质受热并挥发成气态，所述膜基衬底向所述液腔的外部鼓起，所述结合体阵列变形从而所述结合力减小。该自调整结合力的柔性电子系统具有自主调控的特点，其可以方便的从结合对象脱开而不损坏内部的电子器件。
调整结合柔性电子系统制备方法

[发明专利]发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置-CN202180004249.8在审
发明人：王好伟;张晓远;张渊明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：公开了一种发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置，发光器件包括：基底；在基底的一侧，依次设置的辅助层与量子点层；辅助层具有第一基团和第二基团，第一基团与基底的表面基团可通过化学反应相互结合，第二基团与量子点层中的量子点的配体可通过化学反应相互结合，辅助层与基底的结合力小于量子点与辅助层的结合力。
发光器件及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]一种薄膜真空计的固定电极及其制备方法-CN202010561675.9在审
发明人：唐云剑;丁基敏 -专利权人：上海振太仪表有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：所述固定电极包括基底，以及依次层叠设置于所述基底表面的缓冲层和导电层；所述缓冲层用于增强导电层和基底的结合力，改善固定电极表面微观形貌，有效的提高了薄膜真空计的测量精度。本发明在基底和导电层之间增设缓冲层，缓冲层的存在，提高了导电层和陶瓷基底之间的结合力，改善了导电层表面微观结构。本发明利用真空电子束蒸发镀膜技术和磁控溅射技术，在基底上沉积缓冲层与导电层，通过改变沉积时间和功率来控制缓冲层和导电层的厚度，最终得到导电层性能优良的固定电极，导电层与基底的结合力强，在恶劣环境下依然保持较高结合强度
一种薄膜真空计固定电极及其制备方法

[发明专利]一种用于激光微推力器的等离子体增强界面结合力双层工质靶带制备方法-CN202210908998.X在审
发明人：叶继飞;邢宝玉;洪延姬;王思博;李南雷 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队航天工程大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B05D3/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于激光微推力器的等离子体增强界面结合力双层工质靶带制备方法，针对现有激光微推力器中，激光烧蚀工质时由于透明薄膜基底与涂覆工质的层间界面结合力不强，产生溅射或鼓包导致推进性能显著降低的问题，通过低温等离子体处理透明薄膜基底表面的方法，增加了薄膜的表面能及工质层在薄膜表面的附着力，进而提高了层间界面结合力。本发明方法通过对透明薄膜基底进行低温等离子体处理，在透明薄膜基底与涂覆工质之间界面引入N‑C＝O或C＝O等活性基团，使得工质靶带层间界面结合力与已有方法比较提高约50％，可有效抑制工质靶带激光烧蚀过程中的溅射或鼓泡现象
一种用于激光推力等离子体增强界面结合双层工质制备方法

[实用新型]一种用于定量分析介质薄膜/基底界面结合力的试样-CN201922195747.8有效
发明人：苏梅英;王旭刚;陈峰;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及材料性能表征领域，具体涉及一种用于定量分析介质薄膜/基底界面结合力的试样，包括：基底；设置在基底上的介质薄膜；第一金属线路层，设置在所述基底与介质薄膜之间，用于使介质薄膜的一端与基底分离；本实用新型提供的试样，当要测试介质薄膜/基底界面结合力时，只需将两个拉伸夹具分别夹持基底以及介质薄膜的待夹持自由端，再进行拉伸即可，结构简单，且使用过程中不需受其他材料的限制，便于对介质薄膜/基底界面结合力进行测试
一种用于定量分析介质薄膜基底界面结合试样

[发明专利]一种在氧化铝陶瓷基底上制备氮化钽薄膜的方法-CN201811517604.8在审
发明人：赵弘韬;张玉宝;李志刚;张楠;斯琴图雅;李岩;赵孝文;高娃;李金凤 -专利权人：黑龙江省科学院技术物理研究所
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种在氧化铝陶瓷基底上制备氮化钽薄膜的方法，涉及一种薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的氮化钽薄膜与基底的结合力差的技术问题。本发明的有益效果：采用本发明的方法可以得到热稳定性好、结合力强的氮化钽薄膜。薄膜方阻可通过调节氮气流量比灵活控制；膜层能够耐受800℃的高温，空气冷却条件下不开裂；薄膜与基底的结合力达到75.4N。
氮化钽薄膜结合力制备薄膜氧化铝陶瓷基陶瓷片基底清洗真空热处理氮气流量灵活控制热稳定性方阻溅射膜层耐受

[发明专利]一种印刷电子工艺-CN201810320896.X在审
发明人：李恩竹;张庶;陆云龙 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：本发明属于印制电子中的基底材料领域，具体涉及一种印刷电子工艺。本发明采用含氮弱碱对聚酰亚胺基底进行表面活化，替换了现有技术活化时采用的KOH或NaOH强碱溶液。含氮弱碱对聚酰亚胺基底表面的亲核进攻在其表面形成较多含氮基团，增强了聚酰亚胺基底表面的极性，从而增大了其与打印功能材料间的结合力。相对现有的印刷电子工艺，本发明基底与打印功能材料结合力强、重复性好、基底腐蚀度低。
聚酰亚胺基电子工艺弱碱打印功能结合力印刷表面活化表面形成含氮基团基底材料基底腐蚀强碱溶液亲核进攻活化基底替换印制

[发明专利]一种在锆包壳上制备具有高温抗氧化性能的铬涂层的方法-CN202110254741.2在审
发明人：李杨;吴晓宏;郭宝;卢松涛;洪杨 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明解决了现有磁控溅射技术沉积获得的铬涂层与基底的结合力和高温抗氧化性能无法达到理想状态的技术问题。本发明对锆合金在镀膜前进行处理，使得涂层与基底有更好的结合力，且在涂层厚度小于1μm时，具有良好的高温抗氧化效果。此外，本发明证明了前处理工艺对锆包壳上铬涂层的结合力与高温抗氧化能力的影响，为后续工作打下基础。
一种锆包壳上制备具有高温氧化性能涂层方法

[发明专利]提高阳极氧化钛纳米管阵列膜与钛基底之间结合力的方法-CN201810446091.X有效
发明人：宋晔;曹世凯;黄文强;吴丽珍;朱绪飞 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高阳极氧化钛纳米管阵列膜与钛基底之间结合力的方法。通过常规的恒流或恒压阳极氧化法制备氧化钛纳米管阵列膜，然后在同一电解液中，进行小电流或小电压的短时间恒流或恒压阳极氧化后处理，最后进行退火处理，就能显著提高氧化钛纳米管阵列膜与钛基底之间的结合力，使其能更好地满足实际应用的要求采用本发明所述方法，操作简便，不用更换电解液，可以有效释放由于氧化膜生长过程中过大的体积膨胀和金属钛较差的塑性所引起的内应力，显著提高氧化膜与钛基底之间结合力，并且对柔性的薄钛片同样适用。
结合力钛基阳极氧化氧化钛纳米管阵列电解液阵列膜钛纳米恒流恒压阳极氧化法制氧化膜生长后处理体积膨胀退火处理有效释放常规的金属钛小电流小电压氧化膜钛片应用

[发明专利]一种阀门密封体表面六硼化镧复合碳薄膜及其高结合力沉积方法-CN202010811283.3有效
发明人：张斌;毛金银;贾倩;毛春龙;陈善俊 -专利权人：江苏金晟元特种阀门股份有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及真空镀膜和氯碱化工技术领域，具体涉及一种阀门密封体表面六硼化镧复合碳薄膜及其高结合力沉积方法，以阀门密封体表面为基底，自下而上依次包括基底氮化层、钛粘结层、钛硅层、氮化钛硅层、六硼化镧层和六硼化镧复合碳薄膜本发明采用钛、钛硅及六硼化镧作为靶材，甲烷或者乙炔作为碳源，沉积六硼化镧复合碳薄膜；本发明由于结合力高功率脉冲磁控溅射的高离化率和硅钛金属的高硬度及强韧性，获得的薄膜在阀门密封面基底上不仅具有高的结合力
一种阀门密封体表面六硼化镧复合薄膜及其结合沉积方法

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