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[发明专利]含卤废旧塑料两级真空热化学处理回收方法及其装置-CN200610032661.8无效
发明人：陈烈强;彭绍洪;蔡明招;钟建军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： C08J11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种含卤废旧塑料两级真空热化学处理回收方法及其装置，旨在提供一种用于含卤废旧塑料回收领域，通过无害处理回收含卤废旧塑料的方法及其装置。本发明的方法包括含卤废旧塑料熔融、阻燃剂分离、阻燃剂气体冷凝、不凝气处理、脱阻燃剂后的含卤废旧塑料熔体热解、热解气冷凝、热解残渣处理等步骤，所述方法使用的装置包括进料料斗、真空熔融分离罐进料螺杆、真空熔融分离罐、搅拌器、真空热解反应器进料螺杆、真空热解反应器、阻燃剂气体冷凝器、热解油冷凝器、气体洗涤塔、不凝气处理系统、真空泵、含卤阻燃剂收集罐、低卤热解油收集罐、热解残渣出料螺杆、真空密封阀、热解残渣储存器、电热加热系统
废旧塑料两级真空热化学处理回收方法及其装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010218432.5在审
发明人：兼村瑠威;竹泽由裕;熊谷圭太;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料气体。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010201549.2在审
发明人：林宽之;藤田成树;熊谷圭太;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：基于本公开的一个方式的成膜方法包括：降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在所述恒温步骤中，一边将所述基板的温度维持为第三温度，一边向所述处理容器内供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。
方法装置

[发明专利]单晶硅棒拉制方法和单晶硅棒拉制装置-CN202111681256.X在审
发明人：韩伟;杜超;邓浩;李侨 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：所述单晶硅棒拉制方法包括：将硅料装入炉体内的坩埚中；采用加热器加热熔化所述坩埚内的硅料，得到硅液；将导气管插入所述硅液中；通过所述导气管向所述硅液中通入反应气体，所述反应气体至少包括含卤气体，以使所述含卤气体与所述硅液中的金属杂质反应本申请实施例中，在单晶硅棒拉制的过程中，可以将含卤气体通入硅液内部，以使含卤气体与所述硅液的金属杂质充分反应，提高所述硅液的纯度，从而，可以减少从所述硅液中生长拉制的单晶硅棒的杂质，提升所述单晶硅棒的品质
单晶硅拉制方法装置

[发明专利]用于从烟气中除汞的吸附剂的动态卤化-CN200580008950.8有效
发明人： W·唐斯;G·A·小法斯因 -专利权人：巴布考克及威尔考克斯公司
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： B01D47/00 文献下载
摘要：一含卤气体，在靠近于吸附剂和传输空气首先混合的位置，注入一流动的传输空气/吸附剂流，来最大化滞留时间，可用于在吸附剂注入含汞的烟气之前，含卤化合物被吸附到吸附剂表面。此工艺最大化含卤试剂的益处和利用，通过放置该含卤试剂精确地位于需要促进单质汞去除的位置——在吸附剂的表面。吸附剂颗粒及其吸附的含卤试剂的负荷，以用于去除单质汞的高反应率进入烟气。
用于烟气吸附剂动态卤化

[发明专利]一种含可水解卤原子的物质的水解方法-CN201010162174.X有效
发明人：刘基扬 -专利权人：刘基扬
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种流程短，投资少，操作简便的含可水解卤原子的物质的水解方法，是含可水解卤原子的物质与含水的物质在混合与反应单元进行混合、反应；控制反应条件使至少一种反应物尽可能完全反应，尤其关键的是使得到反应产物为干燥的固体氧化物和气体卤化氢，固体氧化物产物从气固分离与纯化单元移出，气体卤化氢产物经由气体产物净化单元处理。该方法可以用于含可水解卤原子的工业废弃物的处理，也可以用于以含可水解卤原子的化合物为原料生产固体氧化物和卤化氢产品。
一种水解原子物质方法

[发明专利]一种α-卤代烯基胺的合成方法-CN201210520928.3有效
发明人：王满刚;于华;尤心稳;吴军;商志才 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C07D235/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种α-卤代烯基胺的合成方法，包括：在惰性气体的保护下，向含氮杂环、铜催化剂、碱、含膦配体以及助剂的混合物中加入二卤代烯烃的溶液，加热至40-120℃进行反应，反应完全之后，反应液经后处理得到所述的α-卤代烯基胺。该合成方法以将含氮杂环高立体和局域选择性的加成到卤代烯烃上合成了Z型含氮杂环取代的α-卤代烯基胺，反应温度较低，底物实用性较广，产率较高，反应原料易得，适用于工业规模生产，得到的产物可以用于偶联反应。
一种卤代烯基胺合成方法

[发明专利]离子束中和方法和离子注入装置-CN201910358773.X有效
发明人：锹田雄介 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供能节约用于抑制离子束膨胀的离子束中和用气体量的方法和离子注入装置。在从导入离子源的掺杂气体的等离子体通过引出电极引出的离子束中，当所述掺杂气体含卤时，不向离子束轨道供给中和用气体，当所述掺杂气体不含卤时，向离子束轨道供给中和用气体。
离子束中和方法离子注入装置

[发明专利]一种铝灰处理方法-CN202310390797.X在审
发明人：刘秀;刘万超;练以诚;李帅;闫飞飞;王嵩;余剑;余伟奇;畅拓 -专利权人：中铝环保节能集团有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B09B3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝灰处理方法，具体过程为：将铝灰加入气固反应装置，并向气固反应装置内通入含卤气体；铝灰和含卤气体在气固反应装置内在常温‑750℃下进行气固反应，铝灰中氮化物和碳化物全部转化成卤化物，最终得到含卤盐高铝料
一种处理方法

[发明专利]生产不饱和含卤烃的方法和适用于该方法的设备-CN03810205.6无效
发明人： M·本耶;H·埃特尔;I·米尔克;T·维尔德;P·卡默霍费尔;P·施瓦茨迈尔 -专利权人：犹德有限公司
申请日： 2003-04-30 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： C07C17/25 文献下载
摘要：本发明涉及由饱和含卤脂族烃的热裂解而制备烯属不饱和含卤脂族烃的方法。根据该方法，将进料气体流引入反应器中，该反应器包括至少一个通向该反应器内部的进料管线，通过该进料管线向反应器供给从分裂促进剂形成的含有自由基的受热气体。用该方法可以实现分裂反应产率的提高。
生产不饱和含卤烃方法适用于设备

[发明专利]硅料处理方法和硅料处理装置-CN202111680716.7在审
发明人：韩伟;邓浩;李侨 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：所述硅料处理方法具体包括：将硅料装入炉体内的坩埚内；采用加热器将硅料加热至第一预设温度；将导气管从炉体外伸入炉体内的坩埚；通过导气管向坩埚内通入反应气体，反应气体至少包括含卤气体，以使含卤气体与硅料中金属杂质反应本申请实施例中，在硅棒拉制之前，可以先用含卤气体与硅料中的金属杂质充分反应，提高硅料的纯度，从而，可以提升后续的晶棒拉制工步中得到的硅棒的品质。
处理方法装置

[发明专利]碳纳米管的制造方法和制造装置-CN201280022296.6有效
发明人：井上翼;阿德里安·盖梅什;赵海波 -专利权人：国立大学法人静冈大学;JNC株式会社
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明通过向容纳有用于使碳纳米管生长的催化剂（26）的反应容器管（14）的内部供给包含成为碳纳米管原料的碳化合物的原料气体（30），而使碳纳米管生长。此时，还将含卤物气体（32）供给到反应容器管（14）的内部，所述含卤物气体（32）用于减少通过原料气体（30）的供给而在碳纳米管之外堆积于催化剂粒子（44）的表面的无定形碳等碳生成物的生成量。
纳米制造方法装置

[发明专利]单晶硅棒的拉制方法和单晶硅棒的拉制装置-CN202111678025.3在审
发明人：邓浩;杜超;李侨;韩伟;董升 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种单晶硅棒的拉制方法和一种单晶硅棒的拉制装置，单晶硅棒的拉制方法包括：提供单晶炉，所述单晶炉包括：热场部件和用于放置硅料的坩埚；开启加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度；采用进气机构向所述单晶炉内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应，可以提高单晶硅棒的品质。
单晶硅拉制方法装置

[发明专利]含磷无卤阻燃型聚乳酸及其制备方法和由其共混的阻燃材料-CN200810147907.5有效
发明人：王德义;宋艳朋;汪秀丽;袁小亚;王玉忠 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C08G63/692 文献下载
摘要：本发明公开的含磷无卤阻燃型聚乳酸是通过扩链法或偶联法将起阻燃作用的磷元素引入到分子主链中获得的，该聚乳酸的磷含量为0.1～5wt％，垂直燃烧等级为V-0。本发明还公开了制备含磷无卤阻燃型聚乳酸的方法和由含磷无卤阻燃型聚乳酸与普通工业聚乳酸共混的阻燃材料。由于本发明提供的含磷阻燃型聚乳酸是通过扩链或偶联反应将阻燃元素磷引入到聚乳酸分子主链中，因而不仅在使聚乳酸分子量提高的同时，还赋予了聚乳酸本体和共混阻燃材料的良好的阻燃性能，克服了使用添加型阻燃剂导致的相容性差和易析出等缺点，还因不含卤素组分，在使用过程中不会有含卤气体释放，特别是在燃烧过程中避免了有害气体释放对环境污染和人体的伤害。
含磷无卤阻燃乳酸及其制备方法材料

[发明专利]金属除去方法、干蚀刻方法和半导体元件的制造方法-CN202080031010.5在审
发明人：松井一真 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23F1/12 文献下载
摘要：金属除去方法具备反应工序和挥发工序，反应工序使含有含氟的卤间化合物的处理气体与含有金属元素的含金属材料接触，生成含氟的卤间化合物与金属元素的反应生成物即金属氟化物，挥发工序在惰性气体气氛下或真空环境下加热金属氟化物从而使其挥发
金属除去方法蚀刻半导体元件制造

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