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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于微环波导结构的集成混沌信号发生器-CN201910373313.4有效
发明人：张明江;徐浩;乔丽君;张建忠;王涛;柴萌萌;杨强 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及光子集成混沌激光器领域。具体为一种基于微环波导的集成混沌信号发生器，用于产生宽带、频谱平坦、无时延特征的混沌激光，解决了现有的产生混沌激光方法体积庞大、易受环境影响，带有时延信息等问题。本发明将激光器以及用于光反馈的U型波导和微环结构集成在一个芯片上，是一种新颖的结构。同时有效减小了器件体积，波导结构在硅基上实现，工艺较简单，适合用于随机数产生以及保密通信等大规模集成芯片。
基于波导结构集成混沌信号发生器

[发明专利]用于成像的光学部件-CN202080026513.3在审
发明人： T·P·施兰斯;A·G·里克曼 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：用于接收光的成像部件，该成像部件包括光子集成电路（PIC）接收器、板、楔形件和透镜，该楔形件具有前表面和相对的后表面，成像部件被布置成限定通过楔形件的前表面的接收光程，该接收光程继续通过楔形件并通过板到达
用于成像光学部件

[发明专利]具有共享输入输出路径的光学相干成像器和用于感测相干光的方法-CN202180081093.3在审
发明人：凯姆·外·加利福德·婵;钟的·翁 -专利权人： OAM光电有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H04B10/11 文献下载
摘要：本公开提供一种在光子集成电路(photonic integrated circuit,PIC)上实现的光学相干成像器，其通过利用偏振分集实现用于发射和接收光学信号的共享路径。
具有共享输入输出路径光学相干成像用于相干光方法

[发明专利]偏振色散缓解-CN201880034990.7在审
发明人：利芬·维尔斯莱格斯;穆罕默德·索托德赫;浦田良平 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：提供了绝缘体上硅光子集成电路(PIC)。PIC可以包括围绕硅波导的二氧化硅衬底。硅波导具有在上侧和下侧之间的厚度以及在横向侧之间的宽度。
群折射率硅波导光子集成电路绝缘体上硅二氧化硅衬底近似

[发明专利]用于硅光子应用的应力隔离-CN201811442036.X在审
发明人： S·库马尔;S·M·利夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：描述了最小化或消除硅光子集成电路(Si‑PIC)和具有一个或多个Si‑PIC的半导体封装(Si‑PIC封装)中的应力的技术。Si‑PIC或Si‑PIC封装包括应力最小化解决方案，其有助于通过选择性地隔离光子和/或电子器件，通过隔离Si‑PIC或Si‑PIC封装中的作为应力源的部件或器件，或通过隔离Si‑PIC封装中的Si‑PIC应力最小化解决方案可以包括策略性放置的空腔和台状物，其有助于最小化或防止应力传递到Si‑PIC或Si‑PIC封装中的一个或多个光子和/或电子器件。
封装最小化电子器件隔离光子光子集成电路半导体封装光子应用应力传递应力隔离策略性应力源空腔滤除状物

[发明专利]基于微环的提升光源抗反射的方法-CN202011264644.3有效
发明人：陈明华;汤黎伟;李佳琛 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：基于微环自注入提升光源抗反射的方法，针对于光源对外部反射具有容忍性，可应用于任何光子集成平台，可用于大规模的多芯片集成系统，避免为了制作光隔离器而引入异质集成、晶圆键合、磁化条件等其他制备工艺。这种基于微环的提升光源抗反射的方法，在原有的硅基光子芯片结构前增加一个微环结构，该微环结构与激光器采用端面水平直接耦合连接；通过多模干涉器将微环结构的Drop端口和Input端口连接起来形成直波导；微环结构的
基于提升光源反射方法

[发明专利]基于时间交织的二维光子相干卷积加速芯片及其应用系统-CN202310321188.9有效
发明人：郭清水;尹坤;陈宏晨;刘硕 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于时间交织的二维光子相干卷积加速芯片及其应用系统，属于光电集成技术领域，适用于所有包含卷积运算的人工智能神经网络。本发明通过光子集成技术将完成卷积加速运算的强度调制器、M个延时加权移相单元、M‑1个二级延时波导、二级合束器及光电探测器一体化集成。
基于时间交织二维光子相干卷积加速芯片及其应用系统

[发明专利]光电计算系统-CN202080005363.8在审
发明人：孟怀宇;Y.徐;G.亨德里;L.欧;J.邓;R.加格农;卢正观;M.斯坦曼;M.埃文斯;吴建华;沈亦晨 -专利权人：光子智能股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：一种光电计算系统，包括：具有光子集成电路(PIC)的第一半导体晶粒和具有电子集成电路(EIC)的第二半导体晶粒。PIC包括光波导，其中输入值被编码在由光波导承载的相应光信号上。
光电计算系统

[发明专利]光电计算系统-CN202110291311.8在审
发明人：孟怀宇;Y.徐;G.亨德里;L.欧;J.邓;R.加格农;卢正观;M.斯坦曼;M.埃文斯;吴建华;沈亦晨 -专利权人：光子智能股份有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：一种光电计算系统，包括：具有光子集成电路(PIC)的第一半导体晶粒和具有电子集成电路(EIC)的第二半导体晶粒。PIC包括光波导，其中输入值被编码在由光波导承载的各个光信号上。
光电计算系统

[发明专利]测试结构、晶圆以及晶圆的制造工艺控制监控方法-CN202011144855.3有效
发明人：冯朋;肖希;刘敏;吴定益 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：经过波导传输，再从输出耦合器射出；通过获取不同波长的偏振光的光谱特性曲线来确定曝光工艺中掩膜板是否对准，刻蚀工艺中刻蚀深度是否达到需求，从而保证制造工艺的一致性、稳定性，实现晶圆的制造工艺控制监控，从而提高光子集成芯片或光电子集成芯片良率
测试结构以及制造工艺控制监控方法

[发明专利]用于可选择并行光纤和波分复用操作的方法和系统-CN201710553120.8有效
发明人：格雷格·扬;彼得·德多比拉里 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本申请公开了用于可选择并行光纤和波分复用操作的方法和系统，所述系统可以包括集成在硅光子芯片中的光电收发器。所述光电收发器可以在第一通信模式中，将连续波(CW)光信号从光源模块传送到所述芯片上的光耦合器的第一子集，用于根据第一通信协议在光耦合器中处理信号，以及在第二通信模式中，将所述CW光信号传送到光耦合器的第二子集可以使用所述光耦合器的第三子集将处理的信号发送出所述芯片。可以从耦合到所述光耦合器的第四子集或第五子集的所述光纤接口分别接收第一或第二协议光信号。
用于可选择并行光纤波分复用操作方法系统

[发明专利]与光耦合元件的3D光子集成-CN201580049504.5在审
发明人： J·克拉姆金;S·里斯蒂克 -专利权人：拜奥德光电公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：公开了用于在可能包括集成电子器件的互补金属氧化物半导体(CMOS)相容性硅(Si)光子芯片上实现集成激光器和光子集成电路的方法。集成技术依赖于与集成光耦合元件(诸如转向镜、透镜和表面光栅耦合器)的光耦合。使用光耦合元件从两个或更多个衬底之间耦合光。该技术可以在Si上实现集成激光器，其中，增益倒装芯片(第二衬底)接合到Si芯片(第一衬底)，并且光通过倒装芯片中的转向镜或光栅耦合器和Si芯片中的光栅耦合器在增益倒装芯片中的波导与Si波导之间耦合。也可以包括集成透镜和其他元件(诸如光斑尺寸转换器)来改变来自增益倒装芯片的模式，以增强与Si芯片的耦合效率。光耦合集成技术也允许集成其他部件，诸如调制器、放大器和光电检测器。
耦合元件光子集成

[发明专利]一种集成型光子储备池计算装置-CN202210701251.7有效
发明人：赵彤;张敏;许俊伟;谢文丽;郭浩然;郭龑强 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成型光子储备池计算装置，涉及光子储备池计算、光子集成领域。
一种集成光子储备计算装置

[实用新型]一种实现高密度耦合的光发射机及光模块-CN202122902311.5有效
发明人：廖振兴;王会涛;戈超;钱银博 -专利权人：东莞铭普光磁股份有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：所述光发射机包括：包括至少一个第一激光器芯片的第一激光器阵列、包括至少一个第二激光器芯片的第二激光器阵列、第一耦合单元、第二耦合单元，光子集成芯片；光子集成芯片包括设于表面的第一耦合器和设于端面的第二耦合器
一种实现高密度耦合发射机模块

[发明专利]具有被抑制的反射的双向光电集成电路-CN201680024092.4有效
发明人： J·L·卢比欧·吉唯尔那;J·叁考·杜拉;E·马伽罗·巴尔巴斯 -专利权人：梅德路米克斯有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：给出了一种光子集成电路(100)，其包括基板(102)以及被图案化在基板(102)上的第一波导(204)和第二波导(206)。第一波导(204)引导输入辐射束。光子集成电路还包括耦合区域(208)，其中第一波导和第二波导(204，206)各自穿过耦合区域(208)。一个或多个调制元件(210)耦合到第一波导和第二波导(204，206)中的每一个。
具有抑制反射双向光电集成电路

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