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[发明专利]熔丝元件、熔丝单元以及保护单元-CN202180056328.3在审
发明人：米田吉弘 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01H85/046 文献下载
摘要：本发明的熔丝元件(10)具有：低熔点金属层(11)；高熔点金属层(12)，层叠于低熔点金属层(11)的至少一个表面；以及中间层(13)，配置于低熔点金属层(11)与高熔点金属层(12)之间，高熔点金属层(12)和中间层(13)是由熔解于低熔点金属层(11)的熔融物的金属构成的层，构成中间层(13)的材料的熔点比构成低熔点金属层(11)的材料的熔点高，比构成高熔点金属层(12)的材料的熔点低。
元件单元以及保护

[发明专利]叠层高熔点焊接层及其制造方法以及半导体器件-CN201210220419.9有效
发明人：大塚拓一;奥村启树 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及叠层高熔点焊接层及其制造方法以及半导体器件。一种叠层高熔点焊接层包括叠层结构，其层叠多个三层结构，各个三层结构包括低熔点金属薄膜层以及置于低熔点金属薄膜层的表面和背面表面上的高熔点金属薄膜层；第一高熔点金属层，置于叠层结构的表面上；以及第二高熔点金属层，置于叠层结构的背面表面上。低熔点金属薄膜层和高熔点金属薄膜层通过TLP相互熔成合金，并且叠层结构以及第一高熔点金属层和第二高熔点金属层通过TLP接合相互熔成合金。
层高熔点焊接及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]熔丝元件、熔丝器件、保护元件、短路元件、切换元件-CN201680028866.0有效
发明人：米田吉弘;古内裕治;榊原和征 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2016-06-04 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01H85/08 文献下载
摘要：熔丝元件(1)具有低熔点金属层(2)、熔点比低熔点金属层(2)高的第1高熔点金属层(3)、以及具有熔点比所述低熔点金属层(2)高的高熔点物质且限制低熔点金属的流动或者第1高熔点金属层(3)与低熔点金属层
元件器件保护短路切换

[发明专利]镀膜件及其制备方法-CN201010277217.9无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;林顺茂 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供一种镀膜件，其包括基材、形成于基材表面的耐蚀合金层及耐蚀金属层，该耐蚀合金层中含有低熔点金属与高熔点金属，该低熔点金属为熔点低于700℃的金属，该高熔点金属为熔点高于1200℃的金属，该耐蚀金属层含有与所述耐蚀合金层中相同的高熔点金属本发明采用低熔点金属层与高熔点金属层沉积于基材表面，再通过热处理使高熔点金属在低熔点金属层内部扩散形成耐蚀合金层的方式，制得镀膜件，该耐蚀合金层致密且富含耐蚀性强的高熔点金属，因而耐腐蚀性能优异，可有效保护基材
镀膜及其制备方法

[发明专利]保险丝单元、保险丝元件和保护元件-CN202080042402.1在审
发明人：米田吉弘 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01H85/055 文献下载
摘要：本发明的保险丝单元(10)具有：低熔点金属层(11)、层叠于低熔点金属层(11)的至少一个表面的高熔点金属层(12)、和配置于低熔点金属层(11)与高熔点金属层(12)之间的中间层(13)，高熔点金属层(12)与中间层(13)为包含可熔解于低熔点金属层(11)的熔融物的金属的层，中间层(13)的离子化倾向高于高熔点金属层(12)的离子化倾向。
保险丝单元元件保护

[实用新型]一种用于柔性印刷线路板的导电性片-CN202222128928.0有效
发明人：杜鹃;黄慧琼;张华;梁锦坤 -专利权人：东莞市驭能科技有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：所述导电性片包括相互粘接的低熔点金属导电胶膜层和高熔点金属导电胶膜层，所述低熔点金属导电胶膜层外粘接金属补强片，高熔点金属导电胶膜层外贴附保护膜层。本实用新型的导电性片通过低熔点金属导电胶膜层和高熔点金属导电胶膜层的结合，低熔点金属导电胶膜层可以在高温压合条件下融化，实现与金属补强片具有良好的粘接效果，极大的提升导电稳定性。同时通过设计低熔点金属导电胶膜层和高熔点金属导电胶膜层的厚度和导电粒子形貌，实现最佳的导电性能。
一种用于柔性印刷线路板导电性

[发明专利]形成半导体装置的金属接线的方法-CN97113989.X无效
发明人：金宪度 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1997-06-27 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种用于形成一半导体装置的金属接线的方法，包括的步骤为：提供一半导体基片；在该半导体基片上形成具有一接触孔的一层间隔离用膜；在该层间隔离用膜的形成后所得到的最终结构上方形成一第一高熔点金属膜；在该第一高熔点金属膜上方形成一多重层，此多重层为由一第一高熔点金属氮化物膜、一高熔点金属氧化物膜以及一第二高熔点金属氮化物膜所组成；在该第二高熔点金属氮化物上方形成一第二高熔点金属膜；以及在该第二高熔点金属膜上方形成一金属接线。
形成半导体装置金属接线方法

[发明专利]多层热电模块与其制造方法-CN201310227322.5有效
发明人：黄菁仪;谢慧霖;庄东汉;黄振东;简朝棋 -专利权人：中国钢铁股份有限公司
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：多层热电模块包含二热电元件组以及金属电极组，其中此二热电元件组对应至不同的工作温度范围。每一热电元件组包含热电单元、界面黏着层、扩散障碍层以及高熔点金属层。在多层热电模块的制造方法中，首先于热电单元上依序形成界面黏着层、扩散障碍层以及高熔点金属层，以获得前述的二热电元件组。接着，于金属电极组的二电极层上分别形成高熔点金属层。然后，进行固液扩散接合步骤，以利用低熔点金属层来与高熔点金属层反应，而产生介金属化合物层来将热电元件组接合至金属电极组，并完全消耗低熔点金属层。
多层热电模块与其制造方法

[发明专利]保护元件-CN201611199213.7有效
发明人：米田吉弘 -专利权人：迪睿合电子材料有限公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01H37/76 文献下载
摘要：本发明目的在于实现利用高熔点金属层和低熔点金属层的层叠体能够无铅化的保护元件。并且，可熔导体（13）由至少包含高熔点金属层（13a）和低熔点金属层（13b）的层叠体构成，低熔点金属层（13b）因发热体（14）产生的热而熔化，从而浸蚀高熔点金属层（13a），并且因表面张力而被吸引到低熔点金属层
保护元件

[发明专利]保护元件-CN201380017716.6有效
发明人：米田吉弘 -专利权人：迪睿合电子材料有限公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01H37/76 文献下载
摘要：本发明目的在于实现利用高熔点金属层和低熔点金属层的层叠体能够无铅化的保护元件。并且，可熔导体（13）由至少包含高熔点金属层（13a）和低熔点金属层（13b）的层叠体构成，低熔点金属层（13b）因发热体（14）产生的热而熔化，从而浸蚀高熔点金属层（13a），并且因表面张力而被吸引到低熔点金属层
保护元件

[发明专利]电子零部件装置及其制造方法-CN200880018412.0有效
发明人：木村裕二;堀口广贵 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电子零部件装置及其制造方法，力图在使用例如以Sn为主要成分的低熔点金属作为接合材料、来将由例如以Cu为主要成分的高熔点金属构成的导体膜的彼此之间进行接合时，能缩短接合所需要的时间。在配置了由例如以Sn为主要成分的低熔点金属所构成的低熔点金属层(16及18)的状态下，使其沿着厚度方向夹着与构成要接合的第一及第二导体膜(13及14)的高熔点金属是相同种类的、由例如以Cu为主要成分的高熔点金属所构成的高熔点金属层因为要生成高熔点金属和低熔点金属的金属间化合物，能缩短要使高熔点金属分别扩散到低熔点金属层(16及18)中的距离，因此能缩短扩散所需要的时间，所以，能缩短接合所需要的时间。
电子零部件装置及其制造方法

[发明专利]一种基于TLP扩散连接的电子封装方法-CN201710734712.X在审
发明人：肖黎明 -专利权人：苏州孚尔唯系统集成有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提出一种基于TLP扩散连接的电子封装方法，是采用在热沉基板上沉积四层不同功能的金属层第一层高熔点的粘接阻挡金属层，厚度0.1～5μm，材料优选高熔点单层金属Ni、Cr；或双层金属Ti/Pt、Ti/Ni等；第二层扩散母材金属层，厚度2～50μm，材料优选熔点较高、便于同低熔点金属进行快速扩散的单层金属Au、Cu、Ag等；第三层低熔点金属中间层，厚度2～10μm，材料优选单层金属Sn、In、80Au20Sn合金等；第四层金属保护层，厚度0～5μm，材料优选耐氧化耐腐蚀的单层金属Au、Ag等。封装焊接温度由第三层低熔点金属中间层的熔点决定，通过控制焊接保温时间，调节低熔点元素在母材金属中的扩散程度，实现不同熔点的焊接组织，并且熔点高于原焊接材料。
一种基于 tlp 扩散连接电子封装方法

[发明专利]蓄电装置用外包装材料及蓄电装置-CN201710252185.9有效
发明人：永田健祐 -专利权人：昭和电工包装株式会社
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01M50/129 文献下载
摘要：本发明的蓄电装置用外包装材料构成为：包含金属箔层和层合于该金属箔层一面上的密封层，该密封层包含构成金属箔层侧最外层的由热塑性树脂形成的第一低熔点层、构成与金属箔层侧相反一侧的最外层的由热塑性树脂形成的第二低熔点层和配置于第一低熔点层与第二低熔点层之间的由热塑性树脂形成的高熔点中间层，高熔点中间层的熔点为120℃～180℃，第一及第二低熔点层的熔点比高熔点中间层的熔点低，高熔点中间层厚度为20μm以上，将高熔点中间层厚度设为“X”、将密封层厚度设为“Y”时，为0.50Y≤X≤0.99Y由此，能抑制将密封层彼此热熔接时的密封层流出，能在热封部确保充分的绝缘性。
装置外包装材料

[发明专利]一种二元金属壳层结构微米纳米粒子批量制备方法-CN202011355643.X在审
发明人：杜芳林;谢广文;于立岩;董红周;王莉;杨安丽;王兆波;李桂村;蔺玉胜;陈光岭;白强;陈克正;张志焜;崔作林 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B22F9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二元金属壳层结构微米纳米粒子批量制备方法，在专用设备真空室中，将作为内核结构的高熔点贱金属板块放在阳极平面板上，再将作为壳结构的低熔点贵金属薄片放在高熔点金属板块上面；将真空室抽真空后，充入氩气和氢气，用高熔点金属板块接触引发电弧，使高熔点金属和低熔点金属蒸发产生原子蒸汽并逸出，在蒸汽冷凝过程中，高熔点金属冷凝成内核，之后低熔点金属在其表面产生外壳结构，生成的二元金属壳层结构微米纳米粒子沉积在冷阱上，收集到由贵金属外壳和贱金属内核构成的壳层结构粒子，这种二元壳层结构金属粒子作为高技术封装技术中导电膏的导电相，代表导电浆料发展方向，该方法降低贵金属用量及生产成本，提高贱金属性能。
一种二元金属结构微米纳米粒子批量制备方法

[发明专利]熔丝元件以及熔丝器件-CN201480018203.1有效
发明人：米田吉弘;小森千智;古田和隆;宇都宫泰志 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01H85/06 文献下载
摘要：在构成熔丝器件（1）的通电路径并且由于超过额定的电流通电而利用自我发热熔断的熔丝元件（5）中，具有：低熔点金属层（5a）和层叠于低熔点金属层（5a）的高熔点金属层（5b），低熔点金属层（5a）在通电时侵蚀高熔点金属层
元件以及器件

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