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[发明专利]高温超导体导线的结构-CN201510090484.8有效
发明人： C·L·H·蒂姆;A·P·马洛莫夫;M·W·鲁皮奇;U·-D·肖普;E·D·汤普森;D·韦别利 -专利权人：美国超导公司
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L39/14 文献下载
摘要：本发明涉及高温超导体导线的结构，尤其涉及层叠的超导体导线。该层叠的超导体导线包括超导体导线组件，其包含第一超导体插入物和第二超导体插入物，该第一超导体插入物包含覆盖在第一基片上的第一高温超导体层，该第二超导体插入物包含覆盖在第二基片上的第二高温超导体层。第一和第二超导体插入物在其各自的基片处结合在一起。导电结构体基本上围绕该超导体导线组件。
超导体插入物超导体导线组件高温超导体导线高温超导体层超导体导线导电结构体覆盖

[发明专利]高温超导体导线的结构-CN200680027034.3无效
发明人： C·L·H·蒂姆;A·P·马洛莫夫;M·W·鲁皮奇;U·－D·肖普;E·D·汤普森;D·韦别利 -专利权人：美国超导公司
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L39/02 文献下载
摘要：层叠的超导体导线包括超导体导线组件，其包含第一超导体插入物和第二超导体插入物，该第一超导体插入物包含覆盖在第一基片上的第一高温超导体层，该第二超导体插入物包含覆盖在第二基片上的第二高温超导体层。第一和第二超导体插入物在其各自的基片处结合在一起。导电结构体基本上围绕该超导体导线组件。
高温超导体导线结构

[发明专利]通过利用基于高温超导体层的直接接触的部分微熔扩散压接的第二代ReBCO高温超导体的接合及供氧退火热处理的超导恢复方法-CN201280003809.9无效
发明人：吴荣根;安熙成;李明勋;李海根 -专利权人： K.约恩
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01R4/68 文献下载
摘要：本发明公开通过化学湿式蚀刻或等离子干式蚀刻等来去除两条高温超导体的稳定化层后，使两个高温超导体层的表面之间直接接触，并将其在真空状态下、在热处理炉内进行加热，对高温超导体层的表面进行部分微熔，使得原子相互扩散，从而接合两个超导体层的表面的第二代ReBCO高温超导体的接合方法。
通过利用基于高温超导体直接接触部分扩散第二代 rebco 接合供氧退火

[发明专利]具有降低的AC损耗的多细丝超导体及其形成方法-CN201180040575.0有效
发明人：文卡特·塞尔瓦玛尼卡姆;森希尔·萨姆班达姆 -专利权人：休斯敦大学体系
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L39/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温超导体结构，其包括：其上沉积有至少一个缓冲层的基片，所述缓冲层上的超导体层，超导层由超导体材料构成，所述超导体材料形成至少两个基本上平行并沿着所述基片的长度连续延伸的超导体细丝，其中至少两个超导体细丝彼此之间被至少一个绝缘条带隔开还公开了生产高温超导体的方法。
具有降低 ac 损耗细丝超导体及其形成方法

[发明专利]氧化物高温超导体及其制备方法-CN02817489.5有效
发明人：森达雷桑·阿西娜拉亚南;伊原英雄 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2002-09-05 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了在介电常数低的晶体基质上形成结晶完整度高、结晶取向性优良的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体，以及制备这样的氧化物高温超导体的方法。在制造在晶体基质上形成有含有Ba作为其构成元素的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体的过程中，在蓝宝石R(1，－1，0，2)晶面基质上形成由CeO₃组成的、用于减少蓝宝石R(1，－1，0，2)晶面基质与氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层，在由CeO₃制成的第一缓冲层上形成由其中的Ba被Sr取代的所述氧化物高温超导材料组成的第二缓冲层，以便在第二缓冲层上形成氧化物高温超导体薄膜这样，即便用于减少蓝宝石R(1，－1，0，2)晶面基质与氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层容易与氧化物高温超导体薄膜中的Ba发生界面反应，第二缓冲层也能防止该界面反应，由此能够外延生长出结晶完整度和结晶取向性均优良的氧化物高温超导体薄膜
氧化物高温超导体及其制备方法

[发明专利]高温超导体与半导体接口实现方法-CN201510628437.4在审
发明人：顾士平;顾海涛 -专利权人：顾士平
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温超导体与宽带隙电力电子连接的方法，在高温超导体陶瓷上，利用外延工艺直接生长SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等半导体；高温超导体与半导体电力电子的直接结合带来了新的器件特性；在高温超导陶瓷(101)上，利用外延工艺生长SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等半导体材料。在高温超导体和半导体衬底之间利用金属作为超导体与半导体之间的连接线，实现高温超导体与半导体之间导电。高温超导陶瓷(301)和宽禁带半导体(302)衬底之间利用化学气相沉积或物理气相沉积的方法沉积一层半导体材料。本发明解决了高温超导体与宽带隙电力电子，作为未来电力控制和电力传输的两项重要的技术结合起来将有新的现象和性质。
高温超导体半导体接口实现方法

[发明专利]形成具有条纹稳定剂的耐AC的复丝导体的方法及由其制备的物品和结合该物品的装置-CN200780026785.8无效
发明人：张寻;V·赛尔瓦曼尼克姆 -专利权人：美国超能公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了具有厚的、条纹的稳定剂的复丝高温超导体，该高温超导体包括衬底、缓冲层、复丝超导体层和至少一层厚的稳定剂层。本发明还公开了结合了超导带的组件以及制备它们的方法。
形成具有条纹稳定剂 ac 导体方法制备物品结合装置

[发明专利]第二代高温超导线材的熔融扩散接合方法-CN200980106223.3有效
发明人：李海根;吴荣根 -专利权人： K·约恩
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括基板部、缓冲层、超导体层及稳定化材料层的第二代高温超导线材的接合方法。该方法中，去除两条第二代高温超导线材所包含的稳定化材料层的一部分且对接去除稳定化材料层而暴露的两条第二代高温超导线材的超导体层并固定之后，加热到超导体层的熔点使对接的超导体层熔融扩散，从而接合两条第二代高温超导线材然后，在有氧环境下氧化接合部分而恢复第二代高温超导线材的超导特性。本发明通过上述过程无需中间介质也可以直接对接超导体层来使其进行熔融扩散，这与常导接合相比，可以几乎不存在接合阻抗而制作出长度足够的线材，尤其是，通过使氧分压达到接近真空的状态来降低共熔点，从而使得含有银(Ag)的稳定化材料层即使不被熔融也能够接合。
第二代高温超导线材熔融扩散接合方法

[发明专利]用于飞轮装置的高温超导磁悬浮轴承-CN200910076832.0无效
发明人：王延军;阳运国;涂凯 -专利权人：北京宇航世纪超导储能设备技术有限公司
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： F16C32/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于飞轮装置的高温超导磁悬浮轴承，包括：飞轮轴；上方转子，固定在所述飞轮轴上；下方转子，固定在所述飞轮轴上；高温超导体定子，套在所述飞轮轴上，并且固定的位于所述上方转子和下方转子之间。还包括冷却剂容器，容置有用于冷却所述高温超导体定子的冷却介质，与所述高温超导体定子相接触。所述冷却介质为液氮。所述上方转子位于高温超导体定子之上，所述超导体定子与上方转子之间为排斥悬浮力。所述下方转子位于高温超导体定子之下，所述超导体定子与下方转子之间为吸引悬挂力。所述高温超导体定子由YBCO高温超导体制成。因此，本发明使用了上下转子，并且在两个转子之间设置高温超导体定子，定子和两个转子之间非接触，无摩擦，能量消耗少。
用于飞轮装置高温超导磁悬浮轴承

[实用新型]用于飞轮装置的高温超导磁悬浮轴承-CN200920105331.6有效
发明人：王延军;阳运国;涂凯 -专利权人：北京宇航世纪超导储能设备技术有限公司
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： F16C32/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于飞轮装置的高温超导磁悬浮轴承，包括：飞轮轴；上方转子，固定在所述飞轮轴上；下方转子，固定在所述飞轮轴上；高温超导体定子，套在所述飞轮轴上，并且固定的位于所述上方转子和下方转子之间。还包括冷却剂容器，容置有用于冷却所述高温超导体定子的冷却介质，与所述高温超导体定子相接触。所述冷却介质为液氮。所述上方转子位于高温超导体定子之上，所述超导体定子与上方转子之间为排斥悬浮力。所述下方转子位于高温超导体定子之下，所述超导体定子与下方转子之间为吸引悬挂力。所述高温超导体定子由YBCO高温超导体制成。因此，本实用新型使用了上下转子，并且在两个转子之间设置高温超导体定子，定子和两个转子之间非接触，无摩擦，能量消耗少。
用于飞轮装置高温超导磁悬浮轴承

[发明专利]一种用于检测高压开关柜的局放仪-CN201810189101.6在审
发明人：周雷;谭向宇;闫江宝;王科;彭晶;徐肖伟;张少泉;陈先富;陈晓云 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于检测高压开关柜的局放仪，包括：金属外壳，设在金属外壳内部依次连接的高温超导体电容耦合板、超导体通信电缆和信号处理模块；金属外壳包括相互连接的头部和感应侧；感应侧与高压开关柜接触的一面设有绝缘层，绝缘层覆盖在感应侧的内表面；高温超导体电容耦合板与绝缘层接触；超导体通信电缆自感应侧内部延伸到头部的内部，与信号处理模块连接。本申请实施例提供的局放仪，利用金属外壳屏蔽外界电磁波的干扰，利用绝缘层避免高温超导体电容耦合板带电，使得高温超导体电容耦合板能将高压开关柜局放时所产生的电磁波转换为电信号传输，使局放仪测量抗干扰和保真，
电容耦合板高温超导体高压开关柜局放仪绝缘层金属外壳超导体信号处理模块通信电缆金属外壳屏蔽电磁波转换电信号传输绝缘层覆盖外界电磁波便于携带内部延伸依次连接抗干扰内表面自感应检测保真带电局放申请测量

[实用新型]一种用于检测高压开关柜的局放仪-CN201820315575.6有效
发明人：周雷;谭向宇;闫江宝;王科;彭晶;徐肖伟;张少泉;陈先富;陈晓云 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于检测高压开关柜的局放仪，包括：金属外壳，设在金属外壳内部依次连接的高温超导体电容耦合板、超导体通信电缆和信号处理模块；金属外壳包括相互连接的头部和感应侧；感应侧与高压开关柜接触的一面设有绝缘层，绝缘层覆盖在感应侧的内表面；高温超导体电容耦合板与绝缘层接触；超导体通信电缆自感应侧内部延伸到头部的内部，与信号处理模块连接。本申请实施例提供的局放仪，利用金属外壳屏蔽外界电磁波的干扰，利用绝缘层避免高温超导体电容耦合板带电，使得高温超导体电容耦合板能将高压开关柜局放时所产生的电磁波转换为电信号传输，使局放仪测量抗干扰和保真，
电容耦合板高温超导体高压开关柜局放仪绝缘层金属外壳超导体信号处理模块通信电缆金属外壳屏蔽电磁波转换电信号传输绝缘层覆盖外界电磁波便于携带内部延伸依次连接抗干扰内表面自感应检测保真带电局放申请测量

[发明专利]高温超导量子比特和制作方法-CN202210857820.7在审
发明人： N·庞西亚;F·塔夫里;V·维诺库尔 -专利权人：特拉量子股份公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：本公开涉及高温超导量子比特和制作方法。一种高温超导量子比特适于实施量子力学二能级系统。高温超导量子比特包括第一超导体、第二超导体和重叠区。第一超导体包括第一高温超导体材料，第一高温超导体材料包括第一表面和第一取向。第二超导体包括第二高温超导体材料，第二高温超导体材料包括第二表面和第二取向。高温超导量子比特包括在第一高温超导体材料与第二高温超导体材料之间的约瑟夫森结。约瑟夫森结适于提供高温超导量子比特的量子力学二能级系统。
高温超导量子比特制作方法

[发明专利]高温超导体及其制备方法-CN201010602798.9无效
发明人：吴仕驹 -专利权人：吴仕驹
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温超导体，所述高温超导体是一金属间化合物，所述金属间化合物的通式为R1-x′E(1-x″)x′Ax″x′[(Dm(1-x′″)Gmx′″)1-yMy]1+z，其中，m＝2或5，0≤x′≤1，0.01≤x″≤0.9，0≤x′″≤1，0≤y≤0.02，0≤z≤0.01；组成物D或组成物G的3d层电子、3s层电子、3p层电子、4s层电子或4p层电子的通道为开通状态。通过所述金属间化合物的三层六边形晶体结构和组成物D、G的电子的通道开通状态，所述金属间化合物为具有临界温度Tc＞300K和有较高的临界电流密度的高温超导体。通过使用金属物质合成所述高温超导体，所述高温超导体具有一定的柔韧性和延展性，便于生产加工成各种形状和结构的产品，大大增加了所述高温超导体的工业应用性能。
高温超导体及其制备方法

[发明专利]第二代ReBCO高温超导体的接合方法及其接合体-CN201410122847.7无效
发明人：吴荣根;安熙成;李明勋 -专利权人： K·约恩
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：公开一种接合后超导性能优秀的第二代ReBCO高温超导体的接合方法及其接合体。本发明的第二代ReBCO高温超导体的接合方法，其特征在于，分别使两股第二代ReBCO高温超导体的高温超导层直接接触，并在真空及ReBCO包晶反应温度以下，借助固相原子扩散压接来进行接合，由此接合超导性能优秀的第二代ReBCO高温超导体，并通过供氧退火处理来恢复在进行接合中由于氧原子的移动扩散而失去的氧而损失的超导性能。
第二代 rebco 高温超导体接合方法及其

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