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[发明专利]高压半导体装置-CN201710207296.8有效
发明人：杨绍明;简廷耀;吴玠志;李自捷;赖秋仲 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高压半导体装置，其包含具有第一导电型态的基底及设置于基底上的栅极。高压半导体装置也包含分别位于栅极的相对两侧的源极区及漏极区。高压半导体装置也包含设置于栅极和漏极区之间且具有第一导电型态的线性掺杂区，其中线性掺杂区具有不均匀的掺杂深度。高压半导体装置还包含设置于源极区下方且具有第一导电型态的第一掩埋层。
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN201710004833.9在审
发明人：韦维克;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供高压半导体装置，其包含具有第一导电型态的基底，及具有不同于第一导电型态的第二导电型态的外延层设置于基底上，外延层包含高压单元；低压单元；以及电位转换单元设置于高压单元与低压单元间，电位转换单元包含具有第二导电型态的源极区，具有第二导电型态的漏极区设置于源极区与高压单元间，其中漏极区通过设置于漏极区上方的漏极电极与高压单元电连接；以及栅极区设置于源极区与漏极区间。高压半导体装置更包含隔离结构，设置于高压单元与低压单元间，且隔离结构设置于漏极电极的正下方。本发明通过设置隔离结构贯穿外延层，防止电流从低压单元直接经由外延层流至高压单元，可减少高压半导体装置漏电。
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN202011108928.3在审
发明人：莫尼卡·巴提;韦维克;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置，包括一半导体衬底、第一阱区和第二阱区、以及位于第一阱区与第二阱区之间的隔离结构。其中半导体衬底具有第一导电类型，且第一阱区和第二阱区设置于半导体衬底上和具有不同于第一导电类型的第二导电类型。隔离结构包括具有第一导电类型的第一隔离阱和第二隔离阱于半导体衬底上。
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN202010263462.8在审
发明人：胡钰豪;江小玲;江岳竺;黄翊翔 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置，包括：衬底；基体区及阱区，位于衬底中且彼此分隔，其中基体区具有第一导电类型且阱区具有与第一导电类型相反的第二导电类型；块体区及源极，位于基体区中且彼此分隔，其中块体区具有第一导电类型且源极具有第二导电类型
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN202010525855.1在审
发明人：谭鸿志;刘兴潮;杨晓莹;廖志成 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高压半导体装置，包含基底、埋层、汲极区域、源极区域、闸极以及至少一浓度调变区。该基底具有第一导电类型，该埋层设置于该基底内并具有第二导电类型。
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN202010316243.1在审
发明人：林庭佑;庄政新;黄绍璋 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：高压半导体装置包括基底、第一绝缘结构、栅极、漏极区域、源极区域以及隔离掺杂区。基底具有第一导电类型，第一绝缘结构设置在基底上。漏极区域设置于基底内且具有第二导电类型。
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN202011304074.6在审
发明人：罗宗仁;何冠毅;徐国谦;张哲华;杨晓莹;廖志成 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高压半导体装置，其包括基底、第一井区、第二井区、第一绝缘层、源极、漏极、第一电极结构以及第二电极结构。第一井区以及第二井区设置在基底内，并分别具有互补的第一导电类型以及第二导电类型。
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN202110191369.5在审
发明人：周玲君;严得绮;张宇宏;李坤宪;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高压半导体装置，其包括半导体基底、第一深阱区、第二深阱区、第一阱区与第二阱区。第一深阱区、第二深阱区、第一阱区与第二阱区设置于半导体基底中。
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN202110566453.0在审
发明人：郑允涵;潘钦寒;魏子乔 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高压半导体装置包括基板、第一高压阱、第二高压阱、第三高压阱、漏极区、源极区、栅极结构、以及掺杂区。基板具有一第一导电类型。第一高压阱设置在基板上方，并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型。第二高压阱设置与第一高压阱相邻且接触，并且具有第一导电类型。第三高压阱设置与第一高压阱相邻且接触，并且具有第二导电类型。漏极区设置在第一高压阱内。栅极结构设置在源极区和漏极区之间。掺杂区设置在第三高压阱内，并且具有第二导电类型。
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN201711471935.8有效
发明人：伊牧;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高压半导体装置。高压半导体装置包括位于基板结构上的栅极结构。位于基板结构内的漏极掺杂区。超接面掺杂结构，位于基板结构内，且接近漏极掺杂区。
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN201710004486.X有效
发明人：苏布;陈柏安;维克 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供高压半导体装置，其包含基底，源极区及漏极区设置于基底内，且被隔离结构隔开，第一金属层设置于基底上，包含第一金属层主体部与源极区及漏极区各自电连接，以及多个第一金属阻挡块，设置在隔离结构的正上方本发明的高压半导体装置更能防止游离电子渗透至隔离结构上，而减低击穿电压下降和漏电的机率。
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN201910187396.8有效
发明人：韦维克;陈鲁夫;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置，包含半导体衬底，具有第一导电类型，源极区和漏极区设置于半导体衬底上，其中漏极区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，且源极区包含分别具有第一导电类型和第二导电型的两个部分，第一隔离结构和第二隔离结构分别设置于漏极区的相对两侧，其中第一隔离结构在源极区与漏极区之间，第一阱设置于第二隔离结构下且具有第一导电类型，其中第一阱的顶面邻接第二隔离结构的底面，以及第一埋层设置于半导体衬底内且具有第一导电类型
高压半导体装置

[发明专利]高压半导体装置-CN201811619517.3有效
发明人：韦维克;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置，包含半导体衬底具有第一导电型，第一阱设置于半导体衬底上，第一阱具有第一导电型，第二阱和第三阱与第一阱相邻，且具有与第一导电型相反的第二导电型，具有第二导电型的第一源极区和第一漏极区分别设置于第一阱和第二阱中，第一栅极结构设置于第一阱和第二阱上，具有第二导电型的第二源极区和第二漏极区分别设置于第一阱和第三阱中，第二栅极结构设置于第一阱和第三阱上，以及埋置层设置于半导体衬底中且具有第一导电型，埋置层与第一阱、
高压半导体装置

[发明专利]用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法-CN202210426585.8在审
发明人：迟延庆 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法。一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构，半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件的测试台和用于对半导体器件进行高压测试的探针组件；辅助机构包括包围框以及连接部件。连接部件的一端设置于包围框的开口端，另一端与测试台和放置在测试台上的半导体器件中的其中之一密封连接，以界定出一密封空间。其中，探针组件的探针位于密封空间内，且密封空间内填充具有预设压力值的气体。在密封空间内利用探针组件对半导体器件进行高压测试的过程中，半导体器件的放电电压会小于半导体器件在高压测试所需的电压，半导体器件就不易出现放电打火现象。
用于半导体器件高压测试装置辅助机构方法

[发明专利]用于半导体的感测元件-CN201410268635.X在审
发明人： S·威尔科费尔;A·基普 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明公开了用于半导体的感测元件。一个实施例涉及一种装置，包括高压侧半导体、低压侧半导体、与高压侧半导体相邻布置的第一感测元件。第一感测元件与高压侧半导体隔离，并且第一感测元件可直接连接至处理装置。
用于半导体元件

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