专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光二极管的制造方法-CN99105516.0有效
  • 仓桥孝尚 - 夏普公司
  • 1999-02-10 - 2003-10-29 - H01L33/00
  • 发光二极管的制造方法,当n-型GaAs衬底的上表面相对于(100)面倾斜角度θ时,正电极(11a)形成在厚度为‘d’的电流扩散层(10)的表面状部位(10A)上,反映电流阻挡部位(9A)形状的表面状部位,从与方向(E1)相反的方向(F1)位移大约(d/tanθ),在方向(E1)表面状部位(10A)已经相对于电流阻挡部位(9A)位移。因此,在电流阻挡部位(9A)上的正确位置形成正电极(11a)。
  • 发光二极管制造方法
  • [发明专利]一种LED外延层生长方法-CN201611005441.6有效
  • 徐平 - 湘能华磊光电股份有限公司
  • 2016-11-15 - 2019-04-30 - H01L33/04
  • 本申请公开了一种LED外延层生长方法,依次包括:处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长SiInN/InAlN超晶格电流扩展层、生长发光层、生长P型AlGaN本发明通过在生长掺杂Si的N型GaN层之后、生长发光层之前,引入生长SiInN/InAlN超晶格电流扩展层,使发光层的电流分布相对变得均匀,发光效率得到提高,电流拥挤的情况得到改善,电压得到下降。
  • 一种led外延生长方法
  • [发明专利]系统连接装置-CN02127363.4有效
  • 真田和法 - 三菱电机株式会社
  • 2002-07-23 - 2003-05-14 - H02J7/34
  • 12)将系统电源(11)与负载(13)加以连接,通过电力变换器(14)将第2电源(15)连接于开关(12)的负载侧,以形成系统连接,在系统电源(11)发生异、常开关(12)断开时,使开关(12)的电弧电流快速消除本发明的方法是在开关(12)断开时,用流入负载(13)的电流值(22a)作为指令控制电力变换器(14)的输出电流,以此切断开关(12)的电弧电流
  • 系统连接装置

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