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[发明专利]结晶状二酰基肼及其用途-CN201280054692.7有效
发明人： R·E·霍曼;I·舒尔曼;E·洛德尔;R·希尔菲克;S·M·德保罗 -专利权人：英特瑞克斯顿股份有限公司
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C07C243/18 文献下载
摘要：本发明提供结晶状多晶形式或非晶形式的(R)-3,5-二甲基-苯甲酸N-(1-叔丁基-丁基)-N'-(2-乙基-3-甲氧基-苯甲酰基)-酰肼(化合物1)或(S)-3,5-二甲基-苯甲酸N-(1-叔丁基-丁基本发明进一步提供包含化合物1或化合物2的结晶状多晶形式和非晶形式及赋形剂的组合物，制造化合物1或化合物2的结晶状多晶形式或非晶形式的方法，及使用化合物1或化合物2的结晶状多晶形式或非晶形式来调节细胞中或对象中的基因表达的方法
结晶状二酰基肼及其用途

[发明专利]激光局域退火非晶多晶复合光电子集成方法-CN202011280112.9在审
发明人：林宏焘;钟础宇;李钧颖;戴浩;李兰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光局域退火非晶多晶复合光电子集成方法，该方法步骤如下：在硅晶圆(硅晶圆上覆盖有波导下包层)上生长一层非晶硅薄膜并沉积上一层保护层，在保护层上制备一层金属图案，将金属图案未覆盖部分的保护层刻蚀掉，向非晶硅薄膜中注入掺杂离子；将激光束以一定的速率扫描过金属图案上方，金属图案覆盖区域反射大部分激光束的能量，其未覆盖处的非晶硅则由于吸收大量激光束能量形成熔融态，并激活了注入的掺杂离子，最后通过退火结晶形成多晶硅，之后进行CMOS兼容的硅光器件常规工艺。采用本发明方法可实现在低温工艺下制备非晶多晶复合光子器件，可以在电子芯片上直接集成低损耗的高速光子链路，实现高性能的单片集成光电融合芯片。
激光局域退火多晶复合电子集成方法

[发明专利]具有非晶形内表面涂层的管材及其制造方法-CN201980046015.2在审
发明人：金忠年 -专利权人：美泰金属科技私人有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C4/06 文献下载
摘要：本发明公开一种具有非晶形内表面涂层的管材及其制造方法，通过在管材的内表面涂布非晶形合金粉末而即使是在涂布之后也可以维持非晶形结构，从而可以提升管材的涂布密度、耐腐蚀性以及耐磨性。所述具有非晶形内表面涂层的管材包括：管材；以及形成于所述管材的内表面的涂层；其中，所述涂层为与所述管材的材料不同的其他材料的合金或金属层，且非晶相的占比为90％以上。
具有晶形表面涂层管材及其制造方法

[发明专利]由局部硅外延籽晶形成的体晶片中的隔离半导体层-CN202310673929.X在审
发明人： D·N·卡罗瑟斯;J·R·德博尔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请题为“由局部硅外延籽晶形成的体晶片中的隔离半导体层”。在所描述的示例中，一种集成电路可以通过在基于单晶硅的衬底中的隔离槽内形成埋入式隔离层来形成。基于单晶硅的籽晶层穿过籽晶沟槽形成并且延伸高于埋入式隔离层的顶表面。硅基非晶层被形成为与籽晶层接触。保护层被形成在非晶层上方。辐射感应的再结晶工艺将非晶层转换为与籽晶层对齐的单晶层。
局部外延籽晶形成晶片中的隔离半导体

[发明专利]多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法-CN200410074540.0有效
发明人：舒芳安 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法，首先，于基材上形成非晶形铟锡氧化物薄膜，接着进行快速热退火处理，以将非晶铟锡氧化物薄膜转换为多晶形铟锡氧化物薄膜。另外，本发明还提出一种多晶形铟锡氧化物电极的制造方法，首先，于薄膜晶体管阵列基材上形成非晶铟锡氧化物薄膜。接着，在此非晶铟锡氧化物薄膜上制作布线图案，以于基材上形成多个非晶铟锡氧化物电极。之后，进行快速热退火处理，以将多个非晶铟锡氧化物电极转换为多晶形铟锡氧化物电极。上述的制造方法可形成较佳平坦度之多晶形铟锡氧化物薄膜，并可缩短处理时间并提高成品率。
多晶形铟锡氧化物薄膜以及电极制造方法

[发明专利]非晶形粉末、复合硬化体和复合建材-CN99816151.9无效
发明人：松野吉弥;小川哲司;佐藤健司;野村敏弘 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 1999-12-10 - 公布日： 2002-02-06 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明提供适用作各种工业材料的起始原料的非晶形粉末,包括包含两或多种氧化物类型的非晶形体,用所述非晶形粉末作原料可在不损害可加工性和生产能力的情况下生产弯曲强度极好的复合硬化体和建材。
晶形粉末复合硬化建材

[发明专利]一种多元Mg基非晶态合金-CN201110280588.7无效
发明人：司松海;司乃潮;陈振华;杨道清;齐宝林 -专利权人：镇江忆诺唯记忆合金有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：一种多元Mg基非晶态合金，属于非晶合金技术领域，其特征为：采用楔形铜模铸造法制备Mg65Cu22Ni3Y10-xNdx(x＝0，2，4，5，6，8)块体非晶，其非晶形成能力最好的是Mg65Cu22Ni3Y5Nd5非晶合金，非晶形成的临界厚度为3.6mm，达到最大值。即使非晶形成能力最差的Mg65Cu22Ni3Nd8Y2合金，其非晶形成临界厚度也与Mg65Cu22Ni3Y10合金的临界形成厚度相当，说明利用Nd替代Y后，合金的非晶形成能力都得到了不同程度的提高。热稳定性最好的是Mg65Cu22Ni3Y8Nd2非晶合金，较Mg65Cu22Ni3Y10合金有很大改善。
一种多元 mg 非晶态合金

[发明专利]具有非晶形表层的聚合物轴承保持架-CN92102326.X无效
发明人： R·E·弗斯特;K·L·塞弗特 -专利权人：托林顿公司
申请日： 1992-04-02 - 公布日： 1996-04-10 - 主分类号： F16C33/56 文献下载
摘要：塑料部件由内芯为晶状的塑料，外表层为非晶形的塑料模制而成。非晶形的表面层能承受摩擦负荷，至少在开始运行阶段是这样。在一个实施方案中，非晶形的表面是用较高的塑料熔融温度和比正常低的模制温度来形成。在另一实施方案中，中间部分是作为晶状部件模制而成，将表层加热和淬火以在最终部件上形成非晶形的外表层。轴承保持架是将熔融的塑料注入到轴承保持架一根杆两端中间的一点模制而成，以在连结各杆终端的轨条上形成所希望的非晶形层。
具有晶形表层聚合物轴承保持

[发明专利]一种铁硼硅系软磁合金的制备方法-CN201610145644.9在审
发明人：李秋燕 -专利权人：李秋燕
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁硼硅系软磁合金的制备方法，该铁硼硅系软磁合金由以下原子配比的合金制成：（Fe_1-xNb_x）_1-a-b-c-d（B硅系软磁合金，具有非晶合金成本低廉，具有较好的非晶形成能力，高饱和磁化强度和低矫顽力。
一种铁硼硅系软磁合金制备方法

[发明专利]纳米硅异质结双向隧穿二极管-CN200810091862.4无效
发明人：韦文生 -专利权人：韦文生
申请日： 2008-03-20 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅异质结双向隧穿二极管，包括单晶硅基片、电极、沉积于单晶硅基片上的纳米硅薄膜，该纳米硅薄膜包括嵌在氢化非晶形硅组织中的纳米硅晶粒，所述纳米硅薄膜和构成纳米硅/单晶硅异质结构，其特征是所述的纳米硅晶粒粒径为4－6nm，且不同纳米硅晶粒的粒径大小相接近。
纳米硅异质结双向二极管

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011191758.X有效
发明人：李高原;顾林;何亮亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在本发明提供了一种新的半导体器件的形成方法中，通过将现有技术中的形成高K金属栅CMOS器件中的单晶硅栅极层替换为非晶硅栅极层，并通过对非晶硅栅极层进行退火处理，从而使非晶硅栅极中的非晶硅再结晶形成多晶硅栅极由于CMOS器件中栅极堆叠层的有效电阻与晶硅栅中的掺杂离子浓度的均匀性，以及掺杂离子的渗透程度有关，因此，可以通过将非晶硅进行退火处理，从而得到对掺杂离子具有高渗透力的多晶硅，在该多晶硅中掺杂P型或N型离子后能够获得相对更加均匀的掺杂浓度
半导体器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202011545703.4在审
发明人：陆智勇;彭盛;余凯;高晶;周文斌;董明;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：制备三维存储器的方法包括：在衬底上形成叠层结构，并在叠层结构中形成沟道孔；在沟道孔的靠近衬底的底面形成第一外延层；在第一外延层的远离所述衬底的上表面和沟道孔的内侧壁上依次形成功能层和非晶硅层；在叠层结构的远离衬底的顶面形成诱发金属薄膜；以及使非晶硅层与诱发金属薄膜接触，以诱发结晶形成多晶硅沟道层。根据该制备方法，可使由双堆叠或多堆叠工艺制备的三维存储器具有高质量的多晶硅沟道层。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]锶及铯特异性离子交换介质-CN201910185953.2在审
发明人： A·马格里奥;D·杜洛舍尔 -专利权人：巴斯夫公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法，其包括：使水流与非晶形硅酸钛接触，所述水流含有锶阳离子和至少一种选自钠阳离子、钾阳离子、钙阳离子、镁阳离子的阳离子，所述非晶形硅酸钛通过在搅拌下使可溶性钛盐溶液与硅酸钠溶液及碱接触制得，使非晶形硅酸钛形成为沉淀凝胶，并且成型为不具有结晶特征的粉末或颗粒；通过所述非晶形硅酸钛上的钠离子与水流中的锶阳离子离子交换从所述水流中选择性地去除部分锶阳离子。
硅酸钛阳离子非晶形离子交换介质硅酸钠溶液可溶性钛盐沉淀凝胶钙阳离子钾阳离子结晶特征离子交换镁阳离子钠阳离子钠离子晶形去除与非成型

[其他]非晶形的多金属合金涂料的制造方法-CN86104496无效
发明人：迈克尔·艾伦·坦霍弗尔;理查德·斯科特·亨德森;罗伯特·卡尔·格拉西里 -专利权人：标准石油公司
申请日： 1986-07-02 - 公布日： 1986-12-31 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：一种非晶形的多金属合金涂料组成方法的公开。更确切地说，这里述及的是一种化学蒸汽沉积方法，其中起始化合物在控制参数下在基质上引起分解，使涂料在基质上形成，即为大体上非晶形的多金属合金。更好的非晶形的合金成分也加以说明，就是按权利要求方法的标准合成。
晶形金属合金涂料制造方法

[发明专利]形成非晶态多元金属合金覆层的方法-CN86104496.7无效
发明人：迈克尔·艾伦·坦霍弗尔;理查德·斯科特·亨德森;罗伯特·卡尔·格拉西里 -专利权人：标准石油公司
申请日： 1986-07-02 - 公布日： 1990-05-09 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：一种非晶形的多金属合金覆层组成方法的公开。更确切地说，这里述及的是一种化学蒸汽沉积方法，其中起始化合物在控制参数下在基质上引起分解，使覆层在基质上形成，即为大体上非晶形的多金属合金。更好的非晶形的合金成分也加以说明，就是按权利要求方法的标准合成。
形成晶态多元金属合金覆层方法