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[实用新型]一种磁控溅射镀膜机-CN201720302687.3有效
发明人：王福贞 -专利权人：王福贞
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型是一种旋靶管型柱状非平衡闭合磁场的磁控溅射镀膜机。属于真空镀膜技术领域。在镀膜机内安装旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶，相邻和对向安装的旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶靶内磁钢的磁极性反向排列，形成闭合磁场。闭合磁场可以使磁控溅射靶镀膜机内的等离子体密度提高，有利于镀制各种优异的薄膜材料。旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶和平面非平衡磁控溅射靶相比，具有结构简单、安装方便、成本低、靶材利用率高等优点。
一种磁控溅射镀膜

[发明专利]会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置-CN200910010112.4无效
发明人：任春生;张家良;王德真;王友年 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属等离子体薄膜沉积技术领域，涉及会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置。其特征在于，装置主体为一非平衡磁控；在非平衡磁控溅射靶与样品台之间加入ICP增强电离放电，使磁控溅射产物电离度得到有效提高；在非平衡磁控溅射靶下方分别加入三圈环状永久磁铁，与非平衡磁控溅射磁场闭合，沿放电室壁产生一闭合磁场分布，有效约束放电等离子体，进一步提高磁控溅射产物电离度，改善放电等离子体空间分布的均匀性；本发明的效果在于，在大大提高了非平衡磁控溅射放电等离子体密度与空间分布均匀性的基础上，利用该装置可以制备出高质量薄膜
磁场约束 icp 增强电离平衡磁控溅射薄膜沉积装置

[发明专利]有机电子器件的制备方法-CN200980146423.1无效
发明人： M·卡拉斯克-欧罗兹克;P·C·布鲁克斯;K·帕特森;F·E·迈耶;M·詹姆斯;T·库尔;D·C·米勒 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及闭合场非平衡磁控溅射离子镀工艺在有机电子器件或其组件制备中的应用，以及可通过这种方法获得的有机电子器件或其组件。
有机电子器件制备方法

[发明专利]一种冷作模具钢基体上的CrMoAlN涂层及其制备方法和性能测试方法-CN201610054723.9在审
发明人：楼白杨;张侠 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该冷作模具钢基体上的CrMoAlN涂层，采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备，在冷作模具钢基体上依次镀膜Cr粘结层、CrN过渡层及CrMoAlN四元涂层。本发明通过采用上述技术，得到的CrMoAlN多元涂层，大大提高Cr12冷作模具钢的抗磨损性能性能，利用闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备在其表面沉积了一层CrMoAlN多元涂层，高Mo含量的CrMoAlN涂层组织更加均匀细密
一种冷作模具钢基体 crmoaln 涂层及其制备方法性能测试

[发明专利]一种Cr二维孔洞式纳米环阵列结构可控尺寸的方法-CN201510603749.X在审
发明人：吴泓均;王怿宁 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： B82Y40/00 文献下载
摘要：将基板置于氨水与过氧化氢的混合溶液中，进行亲水性处理；通过旋转涂布法在基板上制备周期性排列的高分子纳米球的单层模板；通过反应性离子蚀刻的方法控制纳米球尺寸，获得蚀刻后的单层模板；通过三轴卫星旋转支架技术及闭合场非平衡磁控溅射离子镀系统对蚀刻后的单层模板进行Cr的溅射沉积；对沉积后的模板进行纳米球剥除处理。与现有技术相比，本发明采用三轴卫星旋转支架技术及闭合场非平衡磁控溅射离子镀系统的关键工艺参数即可获得具有不同光学透射率尺寸的Cr二维孔洞式纳米阵列结构，制备工艺简单，可控性强，工艺过程具有很高的可重复性
一种 cr 二维孔洞纳米阵列结构可控尺寸方法

[发明专利]一种多元硬质涂层及其电磁增强磁控溅射制备工艺-CN202010363318.1在审
发明人：郎文昌;刘伟;刘俊红 -专利权人：苏州艾钛科纳米科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种多元硬质涂层及其电磁增强磁控溅射制备工艺，其中电磁增强磁控溅射技术是在磁控溅射阴极套装电磁线圈，多组阴极非平衡磁场形成闭合磁场，与中心阳极形成正交电磁场，提高溅射粒子的离化率；多元硬质涂层包括：打底过渡层、功能层、覆盖层，电磁增强磁控溅射可增大溅射区域，加宽溅射沟道，还可增大闭合磁场的磁场强度，有利于提高溅射粒子的离化率；闭合磁场不仅增加了电子的自由程，提高等离子体密度，提升清洗效率及效果，而且可极大的提高溅射粒子的离化率
一种多元硬质涂层及其电磁增强磁控溅射制备工艺

[发明专利]一种用于制造被涂覆的血管内装置的方法-CN200680039938.8无效
发明人：阿莱亚尔多·玛瑞斯塔;安东尼奥·拉瓦格廖利 -专利权人： I.B.S.国际生物医学系统公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： A61L31/08 文献下载
摘要：通过在衬底上传输高离子电流(闭合场非平衡磁控溅射离子镀)来第一次氮处理所述第一钛层(21)，以实现所述第一钛层(21)的至少一部分在氮化钛陶瓷涂层(210)的第一层内的转化。通过在衬底上传输高离子电流(闭合场非平衡磁控溅射离子镀)来第二次氮处理所述第二钛层(22)，以实现所述第二钛层(22)的至少一部分在氮化钛陶瓷涂层(220)的第二层内的转化。
一种用于制造被涂覆血管装置方法

[发明专利]非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备-CN201210161364.9有效
发明人：文晓斌;栾亚 -专利权人：文晓斌
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备，包括真空腔（1）和控制柜（3），真空腔（1）下方设有真空控制柜（2），控制柜（3）上设有手动操作界面（4）和全自动操作界面（5），真空腔（1）上设有侧开式炉门
平衡闭合磁控溅射离子镀设备

[实用新型]非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备-CN201220233276.0有效
发明人：文晓斌;栾亚 -专利权人：文晓斌
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备，包括真空腔（1）和控制柜（3），真空腔（1）下方设有真空控制柜（2），控制柜（3）上设有手动操作界面（4）和全自动操作界面（5），真空腔（1）上设有侧开式炉门
平衡闭合磁控溅射离子镀设备

[实用新型]一种磁控溅射镀膜机-CN201720302520.7有效
发明人：王福贞 -专利权人：王福贞
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型是一种在镀膜室中央配置两个柱状阴极电弧源的旋靶管型柱状非平衡闭合磁场的磁控溅射镀膜机。在镀膜室周边安装旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶，进行镀膜。旋靶管型柱状非平衡磁控溅射靶内磁钢的磁极性反向排列，形成闭合磁场。在镀膜室中央安装两个柱状阴极电弧源。使阴极电弧源产生弧光等离子体始终参与辉光放电的磁控溅射镀膜的加热、轰击净化、辅助沉积和镀膜的全过程。提高膜基结合力和镀出优异的薄膜材料。
一种磁控溅射镀膜

[发明专利]一种磁控溅射阴极磁场布置结构及用于制备纳米碳薄膜的方法-CN201810828325.7在审
发明人：唐诗琪;高凯雄;张斌;刘睿峰;唐迎春 -专利权人：衡阳舜达精工科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开的磁控溅射阴极磁场布置结构，包括至少一磁控溅射阴极基本磁场阵列，所述磁控溅射阴极基本磁场阵列包括产生中心磁场的中心磁铁和产生外围磁场的外围磁铁，所述外围磁铁围绕在中心磁铁的外围，所述中心磁铁和外围磁铁均固定在上磁轭、下磁轭上且中心磁场和外围磁场均垂直于上磁轭、下磁轭，所述中心磁场方向与所述外围磁场方向相反，构成闭合场并在闭合磁场间形成跑道。本发明的磁控溅射阴极磁场布置结构的设计可以无限制的加宽磁控溅射阴极，而端头不均匀区域只取决于形成磁场跑道基本单元的端头非均匀区域。本发明还公开了利用上述磁控溅射阴极磁场布置结构来制备纳米结构碳薄膜的方法。
磁控溅射阴极磁场布置结构外围磁铁中心磁场中心磁铁外围基本磁场上磁轭下磁轭端头制备跑道非均匀区域纳米碳薄膜闭合磁场磁场方向基本单元纳米结构闭合场不均匀碳薄膜加宽垂直

[发明专利]一种磁镜场约束双靶非平衡磁控溅射方法-CN200610134220.9无效
发明人：牟宗信;贾莉;李国卿;赵华玉;刘升光 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁镜场约束的对靶非平衡磁控溅射系统，主要用于表面工程技术领域。其特征在于：有两个通电的同轴线圈和两个永磁式磁控靶相对放置，通电线圈能够形成和两个永磁式磁控靶同轴的完全封闭的磁镜场；通过调整两对相对放置的同轴线圈的电流来控制溅射靶的外围的封闭磁镜场，精细调整放电等离子体状态本发明的优点：采用同轴的磁镜场约束等离子体，附加同轴线圈后，增大了沉积参数的调整范围，这种非平衡磁控溅射技术和常规磁控溅射技术相比具有等离子状态可调，等离子体离化率高，离子原子到达比高等优点。
一种磁镜约束双靶非平衡磁控溅射方法

[实用新型]一种磁控溅射阴极磁场布置结构-CN201821185646.1有效
发明人：唐诗琪;高凯雄;张斌;唐迎春;刘睿峰 -专利权人：衡阳舜达精工科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开的磁控溅射阴极磁场布置结构，包括至少一磁控溅射阴极基本磁场阵列，所述磁控溅射阴极基本磁场阵列包括产生中心磁场的中心磁铁和产生外围磁场的外围磁铁，所述外围磁铁围绕在中心磁铁的外围，所述中心磁铁和外围磁铁均固定在上磁轭、下磁轭上且中心磁场和外围磁场均垂直于上磁轭、下磁轭，所述中心磁场方向与所述外围磁场方向相反，构成闭合场并在闭合磁场间形成跑道。本实用新型的磁控溅射阴极磁场布置结构的设计可以无限制的加宽磁控溅射阴极，而端头不均匀区域只取决于形成磁场跑道基本单元的端头非均匀区域。
磁控溅射阴极磁场布置结构外围磁铁中心磁场中心磁铁外围本实用新型基本磁场上磁轭下磁轭端头跑道非均匀区域闭合磁场磁场方向基本单元闭合场不均匀加宽垂直

[发明专利]一种用于杯型谐波齿轮减速器的固体润滑方法-CN202010322844.3有效
发明人：高晓明;翁立军;孙嘉奕;胡明;伏彦龙;杨军;王德生;姜栋;王琴琴 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供的固体润滑方法，包括以下步骤：利用封闭场非平衡磁控溅射法在所述杯型谐波齿轮减速器的柔轮以及波发生器中的大挡片和小挡片表面沉积过渡层；利用等离子体辅助化学气相沉积结合封闭场非平衡磁控溅射在所述过渡层表面沉积C‑WC复合薄膜层；利用封闭场非平衡磁控溅射法在所述杯型谐波齿轮减速器的刚轮以及波发生器中的柔性轴承内圈和柔性轴承外圈表面沉积MoS2/WS
一种用于谐波齿轮减速器固体润滑方法

[发明专利]一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法-CN201310729760.1有效
发明人：王启民;王成勇;伍尚华;邹长伟 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜材料技术领域，尤其涉及一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置，包括真空室、磁控靶、工件架和旋转支座，磁控靶包括高功率脉冲磁控溅射靶和脉冲直流磁控靶，固定在真空室内，呈九十度对向设置，其磁场布局方式相反，形成闭合场；每个磁控靶的磁场布局方式都为非平衡磁场。
一种功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法

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