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- [发明专利]NOR FLASH的形成方法-CN202110209862.5有效
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田志;梁启超;邵华;陈昊瑜
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上海华力微电子有限公司
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2021-02-24
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2023-06-16
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H10B41/35
- 本发明提供了一种NOR FLASH的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括相邻的闪存区和逻辑区;在所述衬底的表面依次形成闪存氧化层、浮栅层和氮化层,所述闪存氧化层、浮栅层和氮化层均形成在所述闪存区和逻辑区上;依次刻蚀所述氮化层、浮栅层和闪存氧化层,以形成浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构的填充物为氧化物;去除所述闪存区的所述氮化层,并对所述闪存区和逻辑区的所述浮栅层进行离子注入和退火,部分所述离子通过所述浅沟槽隔离结构的侧壁进入所述浮栅层;在所述闪存区的所述浮栅层上形成层间介质层;去除逻辑区的所述层间介质层和浮栅层,以形成闪存区的栅极结构。本发明可以在闪存单元的面积缩小的同时,仍然可以使得擦除均匀。
- norflash形成方法
- [实用新型]一种双通道OTG双盘优盘-CN201720452598.7有效
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张思源
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张思源
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2017-04-27
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2018-01-30
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G06K19/077
- 本实用新型公开了一种双通道OTG双盘优盘,包括组件Micro USB接口、挂载开关、USB接口、金属外套、保护套、保护套卡口、壳体,保护套通过保护套卡口转动配合壳体,壳体的外部一端设有金属外套,集成电路板包括SD卡读卡模块和FLASH闪存模块,USB接口连接PC端,SD卡读卡模块和FLASH闪存模块通过挂载开关连接Micro USB接口,所述Micro USB接口连接手机端,该双通道OTG双盘优盘,从电脑上拷贝的文件的,可直接连接手机
- 一种双通道otg优盘
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