专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于闪存制程差异的数据布局方法-CN201710601039.2在审
  • 石亮;李乔;薛春 - 重庆大学
  • 2017-07-21 - 2017-11-21 - G06F3/06
  • 本发明涉及一种基于闪存制程差异的数据布局方法,主要包括以下步骤判断闪存中数据的读热度,将频繁读的热读数据分配或者移动到闪存可靠较高的闪存块;当可靠高的闪存块中没有更多的空间分配给热读数据时,在可靠高的闪存块中以闪存块为单位判断冷读数据,并将整个闪存块中的数据移动到可靠低的闪存块中;完成移动后擦除闪存块,将热读数据移动到该块中。本发明具有如下的优点由于闪存读操作需要的时间与待读数据的可靠直接相关,将热读数据布局在可靠高的闪存块中,有利于闪存整体读性能的改善。
  • 一种基于闪存差异数据布局方法
  • [发明专利]闪存芯片可靠等级预测方法、装置及存储介质-CN202110066138.1在审
  • 陈卓;张浩明;潘玉茜;刘政林 - 置富科技(深圳)股份有限公司
  • 2021-01-19 - 2021-05-18 - G06F3/06
  • 本发明公开了一种闪存芯片可靠等级预测方法、装置及存储介质。其中方法包括:对待预测闪存芯片进行闪存操作,并在闪存操作过程中采集待预测闪存芯片的至少一种特征量;对待预测闪存芯片的至少一种特征量进行运算操作,得到待预测闪存芯片的特征运算值,依据待预测闪存芯片的特征量和待预测闪存芯片的特征运算值,建构待预测闪存芯片的数据集合;将待预测闪存芯片的数据集合中的第一子集输入到第一闪存可靠等级预测模型的优化程序中,并对第一闪存可靠等级预测模型进行参数调整,得到第二闪存可靠等级预测模型;将待预测闪存芯片数据集合中的第二子集输入到第二闪存可靠等级预测模型中,得到待预测闪存芯片的可靠等级的第一预测结果。上述方法可以提高闪存芯片可靠等级的预测准确度。
  • 闪存芯片可靠性等级预测方法装置存储介质
  • [发明专利]闪存可靠测试方法及计算机可读存储介质-CN202111150386.0在审
  • 陈宏 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-09-29 - 2021-12-24 - G11C29/56
  • 本发明提供了一种闪存可靠测试方法及计算机可读存储介质,所述闪存可靠测试方法包括:对闪存单元执行第一擦除测试,第一擦除测试合格的闪存单元为第一闪存单元;对第一闪存单元执行写入测试,写入测试合格的第一闪存单元为第二闪存单元,写入测试不良的第一闪存单元为第三闪存单元;对第二闪存单元及第三闪存单元执行第二擦除测试,第二擦除测试不良的第三闪存单元为可靠不良单元。通过将第三闪存单元继续后续的测试,并利用后续的第二擦除测试从第三闪存单元中筛选出其中的第二擦除测试不良,并将其判定为可靠不良单元,由此将可靠不良单元有效区分于普通不良单元,从而达到从可靠测试中有效筛出可靠不良单元的目的
  • 闪存可靠性测试方法计算机可读存储介质
  • [发明专利]一种基于数学模型的闪存分类方法及装置-CN202110170491.4有效
  • 刘政林;林羽盛;潘玉茜;张浩明 - 置富科技(深圳)股份有限公司
  • 2021-02-08 - 2022-04-12 - G11C16/14
  • 本发明公开了一种基于数学模型的闪存分类方法及装置,该方法包括:获取目标闪存Tm次编程/擦除操作后的特征量;对所述特征量进行运算,得到特征量运算数据集合;基于特征量运算数据或所述特征量和特征量运算数据的组合构建表征闪存可靠的数学模型;获取待分类闪存的特征量;将所述待分类闪存的特征量输入所述数学模型,得到所述待分类闪存闪存可靠数据,根据所述闪存可靠数据来判断闪存可靠等级,从而根据所述闪存可靠等级来对所述待分类闪存进行分类。本发明能够根据闪存可靠等级对闪存进行分类,可以帮助使用者提前了解闪存的耗损程度,能够根据不同的使用场景选取相应等级的闪存,进而及时调整闪存的存储策略。
  • 一种基于数学模型闪存分类方法装置
  • [发明专利]一种面向长时间存储的闪存可靠测试、预测方法-CN202310182421.X在审
  • 刘政林;潘玉茜;于润泽;汪钊旭 - 华中科技大学
  • 2023-02-28 - 2023-05-02 - G11C29/08
  • 本发明公开了一种面向长时间存储的闪存可靠测试、预测方法。本发明提供的面向长时间存储的闪存可靠测试方法,基于3D NAND闪存可靠机制设计能够更好地模拟闪存芯片在长时间存储场景下的可靠下降过程,考虑自修复效应与阈值电压抖动对测试结果的影响,由于闪存芯片在短时间内错误数的波动较大,因此将其静置预设时间,从而提高测试结果的精度,使测试结果更贴近芯片的实际可靠。本发明提供的面向长时间存储的闪存可靠预测方法,以相同制造工艺为基准,在制造工艺相同的多个不同型号芯片测试数据的基础上建立可靠预测模型,模型具有更好的泛化能力,从而实现对相同制造工艺下的闪存芯片的可靠预测
  • 一种面向长时间存储闪存可靠性测试预测方法
  • [发明专利]闪存可靠测试方法-CN201310032785.6有效
  • 钱亮 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2013-01-28 - 2016-11-16 - G11C29/56
  • 本发明公开了一种闪存可靠测试方法,该方法通过两次测试步骤来对闪存进行筛选,第一次测试步骤直接筛选出不良品,将不能判定为不良品的闪存作为待确认良品,以便在第二次测试步骤中对该待确认良品进行进一步的测试,经过两次测试之后才筛选出真正的良品,提高了可靠测试方法的准确度。另外,两次测试步骤中均对闪存施加电压应力,正确模拟了闪存在25℃(室温)条件下使用10年时所承受的正常应力条件,因而能够利用电压应力来激发闪存在短时间内产生跟正常应力水平下相同的失效,进而能够利用该可靠测试方法来对失效反应活化能较低的闪存进行筛选
  • 闪存可靠性测试方法
  • [实用新型]可靠闪存存储装置-CN200820215149.1有效
  • 庄志青;黄明 - 苏州亮智科技有限公司
  • 2008-12-12 - 2010-07-14 - G11C7/10
  • 本实用新型公开了一种闪存存储装置,包括通过内部总线(130)连接的至少一个微处理器(110)、至少一个主机接口(160)和主机接口控制器(161)、至少一个内部缓存(120)、16位数据总线的闪存控制器组成的阵列(140)、8位数据总线的闪存芯片构成的闪存存储单元阵列(150)。闪存控制器的控制总线同时和同一闪存单元0芯片及1芯片连接,其16位数据总线中8位连接0芯片,其余8位连接1芯片,闪存控制器当中有一个数据重复逻辑单元。本实用新型可以提高存储数据的安全可靠
  • 可靠性闪存存储装置
  • [发明专利]提高固态硬盘可靠方法和装置-CN201310744083.0在审
  • 黎燕;周建华;王斐 - 华为技术有限公司
  • 2013-12-30 - 2014-04-09 - G06F11/14
  • 本发明实施例提供一种提高固态硬盘可靠方法和装置。本发明提高固态硬盘可靠方法,包括:判断固态硬盘的第一闪存颗粒是否即将失效,若确定第一闪存颗粒即将失效,则禁止向第一闪存颗粒写入数据,将第一闪存颗粒上的数据迁移到固态硬盘上的第二闪存颗粒上,第二闪存颗粒为固态硬盘的有效颗粒从而解决了在固态硬盘的闪存颗粒失效后,整个固态硬盘可靠不能保证甚至不能使用的问题,提高了固态硬盘的可靠
  • 提高固态硬盘可靠性方法装置

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