专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]装饰膜-CN202123128213.7有效
  • 邓雄飞;成杰;杨光 - 昇印光电(昆山)股份有限公司
  • 2021-12-14 - 2022-07-12 - C09J7/29
  • 本实用新型公开了一种装饰膜,其包括:第一纹理、第一镀膜及光学胶,所述第一纹理包括凸起和/或凹陷设置的多个第一微纳结构;第一镀膜设置于第一纹理远离第一表面的表面上,第一镀膜包括增粘,增粘层位于第一镀膜最远离第一纹理的位置,增粘的材质为氧化硅或氧化锆,光学胶设置于第一镀膜远离第一纹理的表面,且光学胶与增粘直接接触。上述装饰膜,有效提高了光学胶与第一镀膜之间的拉拔力均值,能够满足终端客户对装饰膜与玻璃盖板之间的拉拔力需求。
  • 装饰
  • [实用新型]一种双层镀膜弯曲真空玻璃制品-CN202020840762.3有效
  • 吴瑞经 - 烟台瑞达玻璃有限公司
  • 2020-05-19 - 2020-12-29 - C03C27/06
  • 本实用新型公开了一种双层镀膜弯曲真空玻璃制品,包括盖体和本体,盖体位于本体的上部,盖体的底部设有转动,本体上端设有锁紧,本体外部为镀膜外层玻璃,镀膜外层玻璃底部设有限位块,内部设有镀膜内层玻璃,镀膜外层玻璃与镀膜内层玻璃之间为真空,真空接有真空口,真空口另一端穿过镀膜外层玻璃并延伸到装置外部,镀膜外层玻璃右侧对应真空口的位置活动连接有真空套,镀膜外层玻璃的底部外端套接底座,底座上设有凹槽,凹槽可与限位块转接固定,所述镀膜内层玻璃内壁的底部固定连接温度传感器,镀膜外层玻璃的底部固定连接电池。
  • 一种双层镀膜弯曲真空玻璃制品
  • [实用新型]一种高频率的石英晶体谐振器-CN201420418698.4有效
  • 杜自甫 - 广东惠伦晶体科技股份有限公司
  • 2014-07-28 - 2014-12-17 - H03H9/19
  • 本实用新型涉及石英晶体谐振器技术领域,具体涉及一种高频率的石英晶体谐振器,包括晶片本体,晶片本体的上表面设置有上镀膜,上镀膜中部开设有刻蚀,刻蚀的长边与上镀膜的长边之间的距离为0.25-0.40mm,刻蚀的短边与上镀膜的短边之间的距离为0.20-0.35mm。本实用新型由于在刻蚀尺寸小于上镀膜的尺寸,刻蚀掉中间一部分镀膜材料,因此对高频率FDLD参数影响小,并且可提高产品品质稳定性。
  • 一种频率石英晶体谐振器
  • [发明专利]一种金色低辐射镀膜玻璃-CN201510632010.1在审
  • 不公告发明人 - 涂艳丽
  • 2015-09-29 - 2016-01-27 - C03C17/36
  • 本发明涉及一种金色低辐射镀膜玻璃,该玻璃包括玻璃基片和镀膜,所述镀膜包括氧化不锈钢、NiCr、Ag、NiCr和SiO2;所述金色低辐射镀膜玻璃不仅在外观上满足高亮度、室外观察要有黄金色调的效果,同时在热学性能上,金色低辐射镀膜中空产品遮阳系数低于0.30,传热系数小于1.92W/m2•K,完全符合国家对节能的标准要求。
  • 一种金色辐射镀膜玻璃
  • [发明专利]镀膜方法及装置-CN201210562933.0有效
  • 郑文达;吴础任 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2012-12-21 - 2013-04-03 - C23C16/458
  • 本发明公开了一种镀膜方法及装置,所述镀膜方法包括步骤:对待镀件的待镀膜区加热;在所述待镀件加热后的待镀膜镀膜。从而,通过预先对待镀件的待镀膜区加热,以提高该待镀膜区的温度,减小该待镀膜区与镀膜气流之间的温差,避免镀膜气流中的混合物于待镀件的待镀膜区结晶,从而镀膜与待镀件之间没有结晶物的阻隔,镀膜直接紧密附着于待镀膜区上,提高了镀膜的成功率和稳定性。
  • 镀膜方法装置
  • [发明专利]基于磁控溅射与蒸发的超薄薄膜双面镀膜方法及设备-CN202210862534.X在审
  • 朱建明 - 肇庆市科润真空设备有限公司
  • 2022-07-21 - 2022-11-22 - C23C14/56
  • 本发明公开一种基于磁控溅射与蒸发的超薄薄膜双面镀膜方法及设备,其方法是利用磁控溅射镀膜与蒸发镀膜的结合,在同一镀膜区内对基材的两面进行交替的镀膜和冷却,其中磁控溅射镀膜可在基材的表面形成具有良好附着力的铜膜过渡,蒸发镀膜可在铜膜过渡上快速沉积形成厚度较大的铜膜。其设备包括镀膜区,镀膜区中设有至少一组镀膜辊组,镀膜辊组的外侧形成磁控溅射区域和蒸发镀膜区域,各磁控溅射镀膜区域中设有若干旋转磁控靶,各蒸发镀膜区域中设有蒸发源。本发明可有效改善超薄薄膜变形的情况,并可大幅度提高镀膜效率和镀膜产量,同时镀膜设备整体结构紧凑、占地面积小,设备制造成本也较低。
  • 基于磁控溅射蒸发超薄薄膜双面镀膜方法设备

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