专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]钡陶瓷靶的制备方法-CN03116802.7无效
  • 张汝冰;杨春生;冯洁 - 上海交通大学
  • 2003-05-08 - 2003-10-15 - C04B35/465
  • 一种钡陶瓷靶的制备方法属于材料领域。方法如下:先将四氯化、氯化、氯化钡分别配制成水溶液;将上述水溶液加入草酸水溶液中进行合成反应,控制pH值得到白色草酸氧钡沉淀;将沉淀洗涤、过滤、烘干后进行热分解即得钡复合粉粉末;将得到的钡粉末经预处理后按化学计量比配料,经球磨机球磨粉碎后,放于硅碳棒炉中预烧;将预烧好的粉末经球磨机再粉碎后,由液压机压成块材,并进行等静压成型;放于硅碳棒炉中最终烧结,得到钡陶瓷靶。本发明制备合成的钡粉体,具有高纯、超细、高均匀性和高活性,较好完全满足射频磁控溅射的要求,因此,本发明的钡陶瓷靶是一种很有应用前景的新型靶材。
  • 钛酸锶钡陶瓷制备方法
  • [发明专利]钡单晶及制备方法-CN201811325287.X有效
  • 张红芳;高炬 - 苏州科技大学
  • 2018-11-08 - 2020-12-25 - C30B29/32
  • 本发明属于单晶的技术领域,具体涉及一种钡单晶及制备方法。所述制备方法包括:固相反应制备设定钡比的钡块体,进一步制成200~2000目的微米粉末;采用溶胶‑凝胶法制备钡前躯体溶胶,进一步烘干后获得设定钡比的无定形钡干凝胶粉;将步骤1)中所述微米粉体、步骤2)中所述干凝胶粉与溶剂混合的浆料,所述浆料烘干后压制成素坯试样,然后将所述素坯试样在烧结炉中烧结,烧结温度为1200~1350℃,烧结完成后随炉冷却至室温获得设定钡比的钡单晶产物。与现有技术相比,本发明具有如下优势:烧结温度低,可以获得固定钡比的钡单晶体;工艺简单,成本低,复制性强。
  • 钛酸锶钡单晶制备方法
  • [发明专利]一种金属表面/羟基磷灰石医用复合涂层的制备方法-CN202010822010.9在审
  • 黄卫民;曲丽娜 - 吉林大学
  • 2020-08-15 - 2020-12-25 - A61L27/06
  • 本发明涉及一种金属表面/羟基磷灰石医用复合涂层的制备方法,包括以下步骤:将片用SiC砂纸逐级打磨,超声洗涤,混合酸溶液浸泡10‑15秒,再超声洗涤干燥;以预处理后的片为阳极,铂片电极为阴极,室温下进行阳极氧化后将片清洗干燥,并于管式炉中进行退火处理;将所得片于16ml,Sr(OH)2溶液中,200℃下水热反应1.5‑2h,取出清洗干燥;将所得片置于钙盐和盐混合电解液中进行恒流沉积本发明金属表面/羟基磷灰石医用复合涂层的制备方法,首次在基体表面制备了含元素复合涂层,其中分为含纳米管涂层和含羟基磷灰石涂层,对基体植入体的性能有很大改善。
  • 一种金属表面钛酸锶羟基磷灰石医用复合涂层制备方法
  • [发明专利]一种--磷--硼中间合金及其制备方法-CN201310273035.8有效
  • 聂金凤;刘相法 - 山东大学
  • 2013-07-01 - 2013-09-11 - C22C21/00
  • 本发明属金属材料领域,涉及一种用于细化变质共晶及过共晶-硅系合金中初晶硅与共晶硅的--磷--硼中间合金及其制备方法。该合金化学组成按质量百分比为:82.00%-96.30%,2.50%-10.00%,磷1.00%-5.00%,0.10%-2.00%,硼0.10%-1.00%。制备步骤是:按比例准备好工业纯-磷二元中间合金、-硼二元中间合金、纯和石墨粉。将配好的纯-硼二元中间合金一起置于中频炉中熔化至900℃-1100℃,加入-磷二元中间合金,搅拌2-5分钟,升温至1100℃-1400℃,同时加入纯和石墨粉,保温并搅拌5-30分钟后直接浇注成锭或制备成线材所制备--磷--硼中间合金具有良好的细化变质效果。
  • 一种中间合金及其制备方法
  • [发明专利]基于掺铌阻变薄膜的形变应力传感器-CN201810315148.2有效
  • 陆小力;王贺;史泽堃;王涛;姚会娟;张进成;郝跃 - 西安电子科技大学
  • 2018-04-10 - 2020-02-21 - H01L29/84
  • 本发明公开了一种基于掺铌阻变薄膜的形变应力传感器的制作方法,主要解决现有形变应力传感器功耗大且不能弯曲的问题。其技术方案是:1.使用脉冲激光沉积技术,在镧锰氧做牺牲层的衬底上生长掺铌薄膜;2.在掺铌薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯,用碘化钾溶液除去镧锰氧薄膜;3.将掺铌薄膜转移到后续所需的柔性导电衬底上,在丙酮中浸泡除去聚甲基丙烯酸甲酯;4.在掺铌薄膜表面加电极,完成形变应力传感器的制作。本发明采用掺铌阻变薄膜作为传感材料,耗能小,且提高了应力传感器的灵敏度,实现了传感器的弯曲,满足柔性电子设备的要求,可用于半导体器件的制备。
  • 基于掺铌钛酸锶阻变薄膜形变应力传感器

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