专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种细泥中有价金属分离的方法-CN202211631358.5在审
  • 黄成龙;徐国钻;张代彬 - 崇义章源钨业股份有限公司
  • 2022-12-19 - 2023-03-14 - C22B34/36
  • 本发明属于冶炼技术领域,具体涉及一种细泥中有价金属分离的方法,采用盐酸协同氧化分解细泥,制备得到粗酸和废酸,粗酸经碱溶后得到粗酸钠溶液和渣,达到了细泥中的分离的目的,使得细泥中的回收率由85%左右提升至99%以上,并通过高温氧化使渣中以氧化铜形态存在,最后将高温氧化后的渣进行酸溶,从而达到分离及富集的目的,使回收率提高至95%以上,且最终富料中的品位由5wt%左右提升至25wt%以上,最终实现细泥中的高效分离回收,减少了资源的浪费,降低了生产成本。
  • 一种钨细泥中有价金属分离方法
  • [发明专利]一种制备氮化铝/热沉的方法-CN202310207523.2在审
  • 熊杰然;邹建;林逸敏 - 汕尾市栢林电子封装材料有限公司
  • 2023-03-06 - 2023-07-07 - H01L21/48
  • 本发明涉及半导体导热材料技术领域,具体涉及到一种制备氮化铝/热沉的方法。本申请的一种制备氮化铝/热沉的方法,通过S1、预处理基板;S2、在基板上沉积金属化层,所述金属化层利用光刻及刻蚀形成金属化图案;S3、利用光刻技术在基板上留出金图形区域,并在所述金图形区域上电镀3~5μm金焊料层;S4、湿法去掉光刻胶以及光刻胶上的金焊料层,获得氮化铝/热沉,从而实现氮化铝/热沉的高精度生产,有效降低氮化铝/热沉的生产成本,减少材料的浪费;同时利用光刻工艺及光刻胶剥离工艺,提升导体图形层线条精度,利用电镀工艺进行金焊料层增厚。
  • 一种制备氮化钨铜金锡热沉方法
  • [实用新型]一种预置金焊料热沉-CN202020618755.9有效
  • 韩建栋;表军;智云涛 - 石家庄海科电子科技有限公司
  • 2020-04-22 - 2020-11-24 - H01L23/40
  • 本实用新型涉及一种预置金焊料热沉,包括铜块,所述铜块为长方体结构,所述铜块的外周设置镍层,所述镍层外设置金层,其中,所述金层的上端设置预置金焊料,所述预置金焊料通过分层电镀的方式设置在所述金层上端通过在传统的热沉上设置预置金焊料,省去了热沉使用时夹取焊料的步骤,且不需要夹取焊料后,要将焊料放到芯片烧结的位置,简化了步骤工艺。
  • 一种预置焊料
  • [发明专利]用原子荧光光谱仪测定酸中的方法-CN201610421450.7在审
  • 王长基;郭俊 - 赣州华兴钨制品有限公司
  • 2016-06-15 - 2016-09-28 - G01N21/64
  • 本发明涉及一种用原子荧光光谱仪测定酸中的方法,具体是采用锌粉‑硼酸‑硼砂混合熔剂高温烧结处理酸样品,使酸样品中的生成高分散状的锌合金,烧结物经盐酸浸取,成可溶性氯化物存在于溶液中,大部分的、钼等成不溶性单体黑渣,用滤纸加脱脂棉过滤,最后用原子荧光光谱仪测定。本发明能使分离完全,完全消除测定的干扰,大大提高测定的准确度。原子荧光光谱仪测定的灵敏度很高,完全能满足酸中微量的测定,方法经济、简便、快速,容易操作。
  • 原子荧光光谱仪测定钨酸中锡方法
  • [发明专利]一种制备光阳极薄膜方法-CN201610896768.0有效
  • 李朝升;钱勤枫;黄辉庭;邹志刚 - 南京大学
  • 2016-10-13 - 2018-04-10 - H01G9/20
  • 本发明涉及一种制备光阳极薄膜的方法,包括如下步骤1)首先配制含有元素的有机溶液,分别为三水合硝酸溶于乙二醇甲醚,浓度为0.04‑0.08mol/L;二水合氯化亚溶于乙二醇甲醚,浓度为0.04‑0.08mol/L;2)分别取(5‑X)ml和Xml的步骤1)中配置的溶液,混合至均匀;3)再加入等摩尔量的偏酸铵,再加入0.1‑0.7ml的浓硝酸以及10‑100mg硝酸铵,搅拌溶液至澄清,即得前驱体溶液;4)利用移液器移取一定量的步骤3)中制备好的前驱体溶液,滴加在氟掺杂的氧化导电衬底上,在70℃的加热板上加热20min,去除有机溶剂;5)将步骤4)中覆有薄膜前驱体的氟掺杂氧化导电衬底置于550±50℃的马弗炉中煅烧1‑4h,取出自然冷却至室温,即得相应的元素掺杂的薄膜。
  • 一种制备钨酸铜光阳极薄膜方法

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