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[发明专利]一种钙钛矿量子点膜及其制备方法、背光模组及显示装置-CN201710537400.X有效
发明人：刘振国;宋志成;刘卫东 -专利权人：海信视像科技股份有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C07C211/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿量子点膜及其制备方法、背光模组，属于液晶显示器背光模组领域。所述量子点膜包括：钙钛矿量子点和聚酰胺胺树形分子；所述钙钛矿量子点分散于聚酰胺胺树形分子的侧基形成的空隙中。所述制备方法包括：在聚酰胺胺树形分子的溶液中加入钙钛矿量子点钙钛矿量子点得到混合溶液，将混合溶液涂布至基底上进行固化得到固化薄膜，获取钙钛矿量子点膜。所述背光模组包括：钙钛矿量子点膜、结构组件和背光及反射片。本发明利用聚酰胺胺树形分子具备的侧基结构将钙钛矿量子点进行分散，聚酰胺胺树形分子的侧基起到分隔、固定钙钛矿量子点的作用，减少了钙钛矿量子点间的团聚或者重叠。
一种钙钛矿量子及其制备方法背光模组显示装置

[发明专利]一种基于钙钛矿-闪烁体单晶的复合闪烁体及制备方法-CN202111228351.4有效
发明人：何世熠;李洋;陈亮;欧阳晓平;阮金陆 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钙钛矿‑闪烁体单晶的复合闪烁体及制备方法，其中钙钛矿‑氧化锌复合闪烁体以闪烁体为基底，于其出射面上覆盖有钙钛矿薄膜，生长有钙钛矿量子点。闪烁体单晶与钙钛矿的结合方式按照制备方法进行，包括如下步骤：(1)制备钙钛矿量子点溶液；(2)将制备好的钙钛矿量子点溶液均匀滴涂在闪烁体单晶基底并静置得到湿膜；(3)将湿膜置于常温负压环境下以加速量子点的凝固，得到基于钙钛矿的复合闪烁体。本发明利用钙钛矿移波与光致发光量子产额近100％的特性，提高了闪烁体光产额，并通过调节钙钛矿的卤素配比实现复合闪烁体的可调波长发射。
一种基于钙钛矿闪烁体单晶复合制备方法

[发明专利]钙钛矿器件、钙钛矿薄膜及其制备方法-CN201910306236.0有效
发明人：朱桂;安扬;葛文奇;袁晨辰;陈伟中;田清勇;范斌 -专利权人：昆山协鑫光电材料有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿器件、钙钛矿薄膜及其制备方法。所述钙钛矿薄膜的制备方法是基于溶剂络合分段退火抽气工艺实施的，其包括：将配置形成的钙钛矿溶液涂覆在基底上形成液膜；对所述液膜进行干燥处理以除去其中的部分溶剂，获得钙钛矿与溶剂络合形成的中间相薄膜；对所述中间相薄膜进行退火处理，进而形成钙钛矿薄膜。本发明提供的钙钛矿薄膜的制备方法工艺流程简单，其通过优化抽气工艺，并采用溶剂络合法延缓钙钛矿结晶，从而显著提高了钙钛矿的结晶性，大幅减少了内部缺陷，有效稳定了器件效率；并且提高了形成的钙钛矿薄膜的成膜和结晶质量
钙钛矿器件薄膜及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿薄膜的制备方法-CN202211264959.7有效
发明人：肖平;赵政晶;赵志国;赵东明;秦校军;蔡子贺;刘云 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能新能源股份有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：a）将钙钛矿前驱体溶液置于基底表面，得到钙钛矿前驱体溶液薄膜；b）将步骤a）得到的钙钛矿前驱体溶液薄膜进行真空反溶剂退火，得到钙钛矿薄膜。与现有技术相比，本发明提供了一种氛围控制条件下制备钙钛矿薄膜的方法，用于实现可控制备钙钛矿太阳能电池；针对现有钙钛矿薄膜在溶液方法制备过程中所存在的不足及当前对于提升钙钛矿电池器件提升光电器件性能的要求，提出一种新型的真空反溶剂退火方式，使用真空液态反溶剂汽化反溶剂（氯苯、乙醚等）对钙钛矿薄膜进行退火处理，可以实现器件的可控制备以及保证器件制备的重复性、良品率。
一种钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用-CN202310918941.2有效
发明人：郝群;魏志鹏;唐鑫;陈梦璐 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用。本发明属于光电子器件新材料领域。本发明为解决现有钙钛矿异质结制备方法复杂，不利于大规模生产以及所得钙钛矿异质结光电性能不高的技术问题。本发明分别对底层和上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂进行选取，以过饱和的乙氰和甲胺的乙醇溶液构成的混合溶液作为上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂，既保持顶层钙钛矿的结晶浓度，又保持底层不被其溶解；此外，通过设计垂直钙钛矿异质结薄膜各层厚度，构建出一种上层钙钛矿薄膜厚度远超底层钙钛矿薄膜厚度的垂直钙钛矿薄膜异质结，本发明的方法更加的简便快速，易于大面积制备，便于工业化生产。
垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法应用

[实用新型]一种大面积钙钛矿太阳能电池-CN201821849485.1有效
发明人：王萌;韩阳 -专利权人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大面积钙钛矿太阳能电池，包括：导电玻璃；空穴传输层，位于所述导电玻璃上；复合钙钛矿吸光层，位于所述空穴传输层上；电子传输层，位于所述复合钙钛矿吸光层上；空穴阻挡层，位于所述电子传输层上本实用新型实施例通过设置复合钙钛矿吸光层，其中不同材料的钙钛矿膜在空穴传输层上间隔排列，可以促进光生载流子在钙钛矿吸光层横向流动，从而使得钙钛矿膜中载流子分布均匀，弥补钙钛矿膜的界面缺陷，改善钙钛矿膜连续性和均匀性不佳的问题，从而提高太阳能的转换效率，为大面积钙钛矿膜的制备奠定基础。
一种大面积钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种有机金属卤化物钙钛矿太阳电池的界面修饰方法-CN201811442868.1在审
发明人：张帅;胡志蕾;姜禾;史超;袁宁一;丁建宁 -专利权人：常州大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种有机金属卤化物钙钛矿太阳电池的界面修饰方法，提出了一种修饰有机金属卤化物钙钛矿太阳电池中钙钛矿晶粒界面和钙钛矿/空穴传输层界面的方法。向制备电池用的反溶剂中添加酞菁，通过酞菁分子与钙钛矿前驱体阳离子间的弱相互作用，使酞菁分子附着在钙钛矿晶粒界面和钙钛矿/空穴传输层界面。相对于无酞菁界面修饰的钙钛矿太阳电池，修饰后的钙钛矿太阳电池在大气环境下和光照下的稳定性得到大幅提升，而且对应的电池效率也更高。该方法对未来钙钛矿太阳电池的产业化具有重要的意义。该方法可改善有机金属卤化物钙钛矿层在大气环境下和光照下的稳定性，并提高钙钛矿太阳电池的效率。
钙钛矿有机金属卤化物酞菁界面修饰空穴传输层大气环境晶粒界面修饰光照电池效率分子附着钙钛矿层产业化电池用反溶剂前驱体阳离子制备

[发明专利]一种量子点提升钙钛矿电池性能的方法-CN202310219408.7在审
发明人：王旭;牛强;何敬敬 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明提供一种量子点提升钙钛矿电池性能的方法，属于钙钛矿电池技术领域。本发明涉及利用一种量子点提升钙钛矿电池性能的方法。首先利用金属离子掺杂制备一层二氧化钛(TiO2)薄膜，再在TiO2薄膜上面制备MAPbI3钙钛矿薄膜，随后在钙钛矿薄膜上涂覆一层稳定性良好的CsPbBr3量子点，后续通过电池制备工序组装成钙钛矿太阳电池。本发明首先通过室外再沉淀法制备了晶粒尺寸可控的钙钛矿纳米晶，再用特定的离子液体添加剂对钙钛矿量子点进行处理，得到室温稳定性良好的钙钛矿纳米晶。将该钙钛矿纳米晶作为界面缓冲层材料应用于钙钛矿太阳能电池中，可以大大提升电池的光电转化效率，显示出此工艺方法具有较高的开发价值。
一种量子提升钙钛矿电池性能方法

[发明专利]钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法及叠层太阳能电池-CN201910584432.4在审
发明人：何永才;杨少飞;唐泽国 -专利权人：北京宏泰创新科技有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法及叠层太阳能电池。所述制备方法，包括以下步骤：钙钛矿电池制备步骤：在钙钛矿电池中先后制备P型钙钛矿光吸收层和N型钙钛矿光吸收层。该制备方法提升了大面积钙钛矿太阳能电池的效率。该制备方法提升了钙钛矿叠层太阳能电池的光电转化效率。
钙钛矿叠层太阳能电池制备方法

[发明专利]一种钙钛矿电池的制备方法-CN202010027176.1在审
发明人：张军 -专利权人：张军
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿电池的制备方法，其包括以下步骤：在ITO透明导电衬底上依次制备PEDOT:PSS空穴传输层、第一复合钙钛矿功能层、第二复合钙钛矿功能层、第三钙钛矿功能层、第四钙钛矿功能层、电子传输层以及金属电极在本申请的钙钛矿电池的制备方法中，通过优化各功能层的材质以及各步骤的具体工艺参数，得到了一种高光电转换效率的反式钙钛矿电池。
一种钙钛矿电池制备方法

[发明专利]卤化物钙钛矿的应变工程和外延稳定-CN202080047495.7在审
发明人：徐升;陈怡沐;雷雨声 -专利权人：加利福尼亚州立大学董事会
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据形成卤化物钙钛矿薄膜的方法，选择待形成卤化物钙钛矿薄膜的第一卤化物钙钛矿材料。还选择由第二卤化物钙钛矿材料形成的外延基底。由第一卤化物钙钛矿材料在基底上外延形成卤化物钙钛矿薄膜。选择基底，使得在基底上形成的卤化物钙钛矿薄膜具有至少一种特性的选定值。所述特性选自晶体结构稳定性、电荷载流子迁移率和能带隙。
卤化物钙钛矿应变工程外延稳定

[发明专利]基于固相反应的钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202010744524.7在审
发明人：解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本公开涉及基于固相反应的钙钛矿太阳能电池的制备方法。该方法包括：S1、制备电子传输半电池和空穴传输半电池；电子传输半电池依次包括第一导电衬底、电子传输层和第一钙钛矿前驱体；空穴传输半电池依次包括第二导电衬底、空穴传输层和第二钙钛矿前驱体；第一导电衬底和/或第二导电衬底用透明材料制作；第一钙钛矿前驱体用AX制作，第二钙钛矿前驱体用BX2制作；或者，第一钙钛矿前驱体用BX2制作，第二钙钛矿前驱体用AX制作；AX为一价阳离子卤化物，BX2为二价金属卤化物；S2、将第一钙钛矿前驱体与第二钙钛矿前驱体贴合，并加热，使电子传输半电池上的第一钙钛矿前驱体与空穴传输半电池上的第二钙钛矿前驱体进行固相反应，形成钙钛矿结构的ABX3化合物层。
基于相反钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]钙钛矿太阳能电池及其制备方法和用电设备-CN202310577738.3在审
发明人：王宏涛;邱开富;王永谦;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K30/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法和用电设备。本申请提供的钙钛矿太阳能电池包括光活性层，该光活性层为钙钛矿薄膜，钙钛矿薄膜由钙钛矿墨水制备而成，钙钛矿墨水包括：钙钛矿前驱体、交联剂和溶剂，钙钛矿前驱体的结构式为ABX3钛矿太阳能电池相对于基于Cs0.05FA0.85MA0.10Pb(I0.97Br0.03)3作为光活性层的钙钛矿太阳能电池取得了超过20％的PCE值，相比于钙钛矿前驱体溶液中没有添加硅氧烷及其衍生物制备得到的钙钛矿电池效率提升了
钙钛矿太阳能电池及其制备方法用电设备

[发明专利]钙钛矿闪烁体材料及其间接型X射线探测器的制备方法-CN202310854906.9在审
发明人：程传同;关硕;黄丽婷;黄北举;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种钙钛矿闪烁体材料制备方法，该方法包括：S11，旋涂底层钙钛矿纳米晶层，沉积底层聚合物薄膜层；S12，在底层聚合物薄膜层上表面依次旋涂钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层，钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层组成复合结构层；其中，复合结构层至少为两层；复合结构层的最上层包括顶层钙钛矿纳米晶层；其中，自下而上从底层钙钛矿纳米晶层至顶层钙钛矿纳米晶层，钙钛矿纳米晶层的带隙逐层降低。本公开另一方面提供了一种利用钙钛矿闪烁体材料制备间接型X射线探测器的方法。本公开通过引入钙钛矿纳米晶带隙梯度变化的多层薄膜解决自吸收问题，采用聚合物薄膜增加钙钛矿闪烁体材料稳定性，并采用高响应度光探测器配合钙钛矿闪烁体部分。
钙钛矿闪烁材料及其间接射线探测器制备方法

[发明专利]连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法-CN201610805277.0有效
发明人：徐闰;杜斌斌;徐海涛;王文贞;吴杨琳;蔡江;倪超伟;徐飞;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
钙钛矿生长单晶钙钛矿晶体驱动环流逆温对角线器件制造工艺加入装置晶体制备新型材料产业化高结晶过饱和温度差输运