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[发明专利]一种生产钒氧化物的方法-CN201310111078.6无效
发明人：付自碧;孙朝晖;王彬彬;张林;赵小平;卢晓林 -专利权人：攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种生产钒氧化物的方法。所述方法包括：将钒渣与氧化钙或石灰石混合形成混合物料；焙烧混合物料，得到钙化熟料；在80～95℃使用5wt％～12wt％的碳酸钠溶液浸出钙化熟料；浸出反应结束后，进行固液分离，以得到含钒浸出液和残渣；对含钒浸出液进行除硅处理，以使含钒浸出液中硅浓度＜0.1g/L，然后将含钒浸出液降温至10～20℃并向含钒浸出液中加入碳酸铵，调节NH4+/TV的摩尔比在2.5～7范围内沉淀偏钒酸铵，过滤获得偏钒酸铵和沉钒废水；偏钒酸铵经氧化煅烧脱氨制取五氧化二钒或者经还原制取三氧化二钒本发明能够在满足环保要求的情况下实现普通钒渣和高钙高磷钒渣制取氧化钒，又可以减少试剂的消耗，降低了生产成本。
一种生产氧化物方法

[发明专利]含磷钒渣提钒脱磷的方法-CN202011304054.9在审
发明人：张涛;叶芊 -专利权人：重庆第二师范学院
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种含磷钒渣提钒脱磷的方法，包括对含磷钒渣进行焙烧得到含钒物料；将所述含钒物料、磷酸盐与硫酸混合，进行酸浸，经固液分离获得浸出液，酸浸过程控制混合料浆pH＝0.5～1.5，浸出液中磷浓度为0.3～4g/L，钒浓度为10～25g/L；将所述浸出液与铝盐、铁盐反应，然后调节pH＝3～4.5进行脱磷，固液分离获得磷酸盐渣和脱磷溶液。通过本申请方案可以达到深度提钒的目的，并有效地除去酸性含钒液中的硅磷，且除硅磷效果显著。
含磷钒渣提钒脱磷方法

[发明专利]一种生产高纯硅铁的降钒方法-CN201810626223.7在审
发明人：胡海东;李海英;赵海勇;杨小平;兰成元;卢光发 -专利权人：青海百通高纯材料开发有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C22C35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种生产高纯硅铁的降钒方法，在高纯硅铁冶炼过程中，在硅石炉料中加入卤化物催化剂，所述卤化物催化剂加入后在炉内底部形成高熔点的熔渣，在硅铁熔液出炉的同时不断加入混合精炼材料，并向铁水包中吹入压缩空气及氧气本发明生产高纯硅铁的降钒方法在硅石炉料中加入卤化物催化剂，并在硅铁熔液出炉的同时不断加入混合精炼材料，有效解决了高纯硅铁生产中的降钒问题，生产成本低、产品质量稳定。
高纯硅铁卤化物催化剂炉料硅铁熔液精炼材料硅石出炉生产生产成本低压缩空气冶炼过程有效解决质量稳定高熔点铁水包吹入炉内熔渣氧气

[发明专利]一种铁硅铝软磁合金-CN201410294652.0无效
发明人：钱国平 -专利权人：张家港市佳威机械有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C22C38/12 文献下载
摘要：本发明揭示了一种铁硅铝软磁合金，所述的铁硅铝软磁合金由铁、硅、铝、镍、钒以及锆六种成分组合而成，所述的铁硅铝软磁合金中各成分所占重量百分比分别为：所述的铁占71.1%-78.4%，所述的硅占9.2%-10.3%，所述的铝占5.4%-6.3%，所述的镍占1.8%-4.2%，所述的钒占1.7%-2.6%，所述的锆占3.5%-5.5%。由铁、硅、铝、镍、钒以及锆等六种元素组成，具有高硬度、高强度、工艺性好、可塑性高、抗氧化性好、耐蚀性好、耐磨性好、耐高温的特点。
一种铁硅铝软磁合金

[发明专利]一种钒硅分子筛及其制备方法-CN201310454658.5有效
发明人：史春风;朱斌;林民 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C01B37/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种钒硅分子筛，其特征在于，含有硅元素、钒元素和氧元素，全部或部分晶粒内部具有空穴或空腔结构，且总比表面积≥300m2/g，外比表面积占总比表面积的比例≥5%。本发明的钒硅分子筛具有良好的催化氧化效果，用于苯酚羟基化反应时对位产物对苯二酚的选择性高，并可以提高氧化剂的有效利用率。
一种分子筛及其制备方法

[发明专利]一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法-CN201510030113.0有效
发明人：张立春;王国伟;张宇;徐应强;倪海桥;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法，包括单晶硅衬底表面清洗，装入磁控溅射装置生长室；在单晶硅表面溅射氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上沉积一层硫化锌薄膜；在硫化锌薄膜上沉积一层氧化钒薄膜本发明无需高温退火处理，既保证了氧化钒薄膜制备与MEMS工艺和集成电路工艺的兼容性，又可以得到电阻率适中的氧化钒薄膜材料，可满足高性能氧化钒基非制冷型红外探测器的要求。
一种电阻温度系数氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种制备钒氧化物的方法-CN201310111092.6无效
发明人：付自碧;孙朝晖;王彬彬;张林;何文艺;申彪 -专利权人：攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备钒氧化物的方法。所述方法包括：将钒渣与氧化钙或石灰石混合形成混合物料；焙烧混合物料，得到钙化熟料；在80～95℃使用C2O42-浓度为35～70g/L的草酸盐溶液浸出钙化熟料；浸出反应结束后，进行固液分离，以得到含钒浸出液和残渣；对含钒浸出液进行除硅处理，以使含钒浸出液中硅浓度＜0.1g/L，然后向含钒浸出液中加入草酸铵，调节NH4+/TV的摩尔比在2～3.5范围内沉淀偏钒酸铵，过滤获得偏钒酸铵和沉钒废水；偏钒酸铵经氧化煅烧脱氨制取五氧化二钒或者经还原制取三氧化二钒本发明能够在满足环保要求的情况下实现普通钒渣和高钙高磷钒渣制取氧化钒，又可以减少试剂的消耗，降低了生产成本。
一种制备氧化物方法

[发明专利]一种锌离子协同去除钒溶液中硅和铬以制备高纯五氧化二钒的方法-CN202111544377.X在审
发明人：刘波;彭穗;姚洁;文俊维 -专利权人：成都先进金属材料产业技术研究院股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01G31/02 文献下载
摘要：本发明涉及钒溶液化学法除杂领域，具体涉及一种锌离子协同去除钒溶液中硅和铬以制备高纯五氧化二钒的方法。该方法包括：提供含钒溶液，向含钒溶液中加酸，调节pH值至6‑9，加入还原剂进行还原反应；向还原后的钒溶液中加碱，调节pH值至10.5‑12，加入Zn2+源进行反应，过滤；向得到的无色钒溶液中加入铵盐进行反应，然后进行过滤、洗涤、干燥，得到白色固体；将干燥后的白色固体焙烧。按照本发明所述的方法，可以将钒溶液中硅和铬的含量降至5ppm以下，除杂效果优异，制备的高纯五氧化二钒纯度＞99.99％，达到4N级，产品纯度高，可满足各个行业对钒源纯度的要求。
一种离子协同去除溶液制备高纯氧化方法

[发明专利]一种镍离子协同去除钒溶液中硅和铬以制备高纯五氧化二钒的方法-CN202111546689.4在审
发明人：刘波;彭穗;辛亚男;姚洁 -专利权人：成都先进金属材料产业技术研究院股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C22B34/22 文献下载
摘要：本发明涉及钒溶液化学法除杂领域，具体涉及一种镍离子协同去除钒溶液中硅和铬以制备高纯五氧化二钒的方法。该方法包括：提供含钒溶液，向含钒溶液中加酸，调节pH值至6‑9，加入还原剂进行还原反应；向还原后的钒溶液中加碱，调节pH值至10.5‑12，加入Ni2+源进行反应，过滤；向得到的无色钒溶液中加入铵盐进行反应，然后进行过滤、洗涤、干燥，得到白色固体；将干燥后的白色固体焙烧。按照本发明所述的方法，可以将钒溶液中硅、铬、镍的含量降至5ppm以下，除杂效果优异，制备的高纯五氧化二钒纯度＞99.99％，达到4N级，产品纯度高，可满足各个行业对钒源纯度的要求。
一种离子协同去除溶液制备高纯氧化方法

[发明专利]一种与生长衬底自发分离的二硒化钒纳米片的制备方法-CN202011229598.3在审
发明人：王超伦;刘东明;吴幸 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种与生长衬底自发分离的二硒化钒纳米片的制备方法，该方法将硅衬底倒扣在装有三氯化钒粉末的石英舟上，并置于管式炉中心，硅衬底距离三氯化钒的高度为1‑5mm，在管式炉的上游放置硒粉，硒粉与三氯化钒质量比为本发明采用的基于硅衬底的倒扣式化学气相沉积生长方法，得到的高结晶质量的二硒化钒纳米片，能自发与硅衬底分离，有利于样品转移，避免了传统化学气相沉积制备的样品难以转移，以及转移过程中容易对样品和环境造成污染的缺点本发明制备的二硒化钒纳米材料可应用于先进能源器件，如柔性超级电容器的电极材料等。
一种生长衬底自发分离二硒化钒纳米制备方法

[发明专利]一种实现钛、钒、铁、钙、硅、硫和氮循环利用的方法-CN202310222052.2在审
发明人：席海红;姜文杰;龙泽彬;史东林;赵林 -专利权人：四川顺应动力电池材料有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种实现钛、钒、铁、钙、硅、硫和氮资源循环利用的方法，包括：S1、对含钛高炉渣进行硝酸加压浸出，去除钙元素，得到钛硅料和含钛高炉渣酸浸液，钛硅料作为硫酸钛白原料进行酸解、水解工序，同时副产稀硫酸；S2、含钒钢渣经破碎磨细后，用S1副产的稀硫酸进行常压浸出，浸出浆料固液分离后得到建筑石膏产品及含钒浸出液；S3、含钒浸出液经冷却结晶析出硫酸亚铁，硫酸亚铁与含钛高炉渣酸浸液反应制备高纯硫酸钙和硝酸铁本发明将含钒钢渣和含钛高炉渣两种工业固废资源化利用进行有机结合，不仅钒、钛资源综合利用率高，同时钙、铁、硅也得到了利用，具有经济成本低、绿色环保的优点。
一种实现循环利用方法

[发明专利]一种光控可调太赫兹波衰减装置-CN201410788576.9在审
发明人：王昌雷;李丹丹;武帅 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供一种光控可调太赫兹波衰减装置，所述衰减装置包括硅基-二氧化钒薄膜、激光发射器、准直器以及电源接口。所述硅基-二氧化钒薄膜垂直于太赫兹波束方向，所述激光发射器设置在硅基-二氧化钒薄膜一侧，所述激光发射器与准直器相连，所述电源接口与激光发射器相连。本发明通过调节电源端口的注入电流的大小，使激光发射器输出的光功率发生连续调节，由于硅基-二氧化钒薄膜在激光发射器作用下会发生半导体-金属相变，改变硅基-二氧化钒薄膜的电导率，从而使太赫兹波的吸收率发生变化
一种光控可调赫兹衰减装置

[实用新型]一种光控可调太赫兹波衰减装置-CN201420805372.7有效
发明人：王昌雷;李丹丹;武帅 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光控可调太赫兹波衰减装置，所述衰减装置包括硅基-二氧化钒薄膜、激光发射器、准直器以及电源接口。所述硅基-二氧化钒薄膜垂直于太赫兹波束方向，所述激光发射器设置在硅基-二氧化钒薄膜一侧，所述激光发射器与准直器相连，所述电源接口与激光发射器相连。本实用新型通过调节电源端口的注入电流的大小，使激光发射器输出的光功率发生连续调节，由于硅基-二氧化钒薄膜在激光发射器作用下会发生半导体-金属相变，改变硅基-二氧化钒薄膜的电导率，从而使太赫兹波的吸收率发生变化
一种光控可调赫兹衰减装置

[发明专利]一种从含钒高浓度盐酸溶液中提取钒的方法-CN201510811231.5在审
发明人：张国之;齐涛;陈德胜;赵宏欣;王丽娜 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C22B3/40 文献下载
摘要：本发明属于湿法冶金领域，具体地，本发明涉及一种从含钒高浓度盐酸溶液中提取钒的方法。该方法主要包括萃取、反萃、反萃液沉淀煅烧等过程，利用胺类萃取剂和中性萃取剂选择性提取含钒高浓度盐酸溶液中的钒，而溶液中的钙、铝、镁、铬、钛、锰和硅等杂质不被萃取；负载钒的有机相用硫酸溶液、盐酸溶液、氯化钠溶液、氨水溶液或水进行反萃，反萃后的有机相可以返回萃取工序使用；反萃液经沉淀煅烧后可以得到五氧化二钒产品。该工艺可实现从盐酸浓度大于2.5mol/L的溶液中提取钒，钒与钙、铝、镁、铬、钛、锰和硅等杂质分离系数大，工艺流程简单，萃取剂可以循环使用。
一种含钒高浓度盐酸溶液提取方法

[发明专利]钒渣焙烧生产五氧化二钒的方法-CN201110197357.X有效
发明人：李秀雷;马瑞峰;张喜水;李敏;豆长宏;沈国军;梁喜武;张晓峰;李国东;唐仕超;张国杰 -专利权人：河北钢铁股份有限公司承德分公司
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种钒渣焙烧生产五氧化二钒的方法，其根据钒渣含钒量及杂质量的不同确定附加剂的加入量，并进一步优化附加剂配比参数，便于后续工序的处理。本方法采取调整盐、碱的配比，降低SiO2、Fe对熟料转化率的影响；当SiO2含量增高时减少碱的加入量，提高盐的加入量；将对减少硅酸钠生成、增加钒酸钠的生成有益，针对钒渣含硅、含铁高进行优化附加剂配比参数本方法有针对性的提出适合高硅高铁钒渣焙烧方法及相应的附加剂配比，极大的提高熟料转化率，产品产量提高显著，钒渣单耗降低明显。
焙烧生产氧化方法